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登録特許
1)
「Al系III-V族化合物半導体の気相成長方法、Al系III-V族化合物半導体の製造方法ならびに製造装置」
日本国特許第3803788号，韓国特許第10-0693078号，中国特許第ZL 03 8 08002.8，
U.S. Patent 7,645,340．
2)
「FeSi2の製造方法」
日本国特許第4265073号（2012.2.27登録抹消）．
3)
「化合物半導体の製造方法及び化合物半導体の製造装置並びに赤外線発光素子及び赤外線受光素子」
日本国特許第4331936号（2019.6.26登録抹消）．
4)
「窒化ガリウム基板、エピタキシャル基板、および窒化ガリウムを形成する方法」
日本国特許第4337749号（2013.7.10登録抹消）．
5)
「アルミニウム系III族窒化物結晶の製造方法および結晶積層基板」
日本国特許第4476174号．
6)
「アルミニウム系III族窒化物結晶の製造方法および結晶積層基板」
日本国特許第4578282号．
7)
「結晶成長装置」
日本国特許第4631072号（2013.11.26登録抹消）．
8)
「エピタキシャル層の気相成長装置」
日本国特許第4747350号．
9)
「アルミニウム系III族窒化物結晶の製造方法および結晶積層基板」
日本国特許第4749792号．
10)
「AlNエピタキシャル層の成長方法及び気相成長装置」
日本国特許第4765025号（2015.6.24登録抹消）．
11)
「Si基板結晶上における窒化ガリウム結晶成長方法」
日本国特許第4815569号．
12)
「アルミニウム系III族窒化物結晶の製造方法」
日本国特許第4936277号．
13)
「酸化亜鉛系半導体の製造方法及び酸化亜鉛系半導体の製造装置」
日本国特許第5052174号．
14)
「AlN半導体の製造方法及びAlN半導体製造装置」
日本国特許第5054902号．
15)
「ホモエピタキシャル成長方法、ホモエピタキシャル結晶構造、ホモエピタキシャル結晶成長装置および半導体装置」
日本国特許第5177523号（2016.1.18登録抹消）．
16)
「窒化アルミニウム単結晶基板、積層体、およびこれらの製造方法」
日本国特許第5197283号．
17)
「n形導電性窒化アルミニウム半導体結晶及びその製造方法」
日本国特許第5234968号，韓国特許第10-1075513号，U.S. Patent 8,129,208，
中国特許第ZL 2008 8 0001245.9，カナダ特許2677414，欧州特許EP 2 725 124．
18)
「III族窒化物結晶の製造方法」
日本国特許第5263839号．
19)
「AlxGa1-xN結晶の製造方法」
日本国特許第5286616号．
20)
「積層体およびその製造方法」
日本国特許第5324110号．
21)
「ヘテロエピタキシャル成長方法、ヘテロエピタキシャル結晶構造、ヘテロエピタキシャル結晶成長装置および半導体装置」
日本国特許第5392708号（2017.10.25登録抹消），U.S. Patent 8,822,263．
22)
「積層体の製造方法」
日本国特許第5441762号．
23)
「結晶成長装置」
日本国特許第5524758号（2017.4.18登録抹消）．
24)
「単結晶窒化アルミニウムの製造方法」
日本国特許第5542570号（2017.5.16登録抹消）．
25)
「AlGaNの気相成長方法及びAlGaNの気相成長方法で製造されたAlGaN結晶の厚膜基板」
日本国特許第5629870号（2019.10.17登録抹消）．
26)
「三塩化ガリウムガスの製造方法及び窒化物半導体結晶の製造方法」
日本国特許第5787324号．
27)
「窒化アルミニウム単結晶基板、およびこれらの製造方法」
日本国特許第5904470号，U.S. Patent 9,691,942，韓国特許第10-1821301号，
欧州特許EP 2 796 596．
28)
「半導体素子及び結晶積層構造体」
日本国特許第5907465号，U.S. Patent 10,861,945，ドイツ特許11 2015 003 943，
中国特許第ZL 2015 8 0046341.5，台湾特許第I660406號．
29)
「ZnO膜の製造装置及び製造方法」
日本国特許第5943345号，U.S. Patent 9,611,545．
30)
「β-Ga2O3系単結晶膜の成長方法、及び結晶積層構造体」
日本国特許第5984069号，台湾特許第I702300號，中国特許第ZL 2014 8 0053760.7．
31)
「ZnO含有膜成長用の原料供給源、ZnO含有膜の製造装置、製造方法及びZnO含有膜を含む発光素子」
日本国特許第5988041号．
32)
「III族窒化物の製造方法」
日本国特許第6030907号．
33)
「高透明性窒化アルミニウム単結晶層、及びこれからなる素子」
日本国特許第6042545号，U.S. Patent 9,840,790．
34)
「窒化アルミニウム単結晶およびその製造方法」
日本国特許第6080148号．
35)
「半導体基板、並びにエピタキシャルウエハ及びその製造方法」
日本国特許第6253150号，中国特許第ZL 2015 8 0024046.X，U.S. Patent 10,676,841，
台湾特許第I721945號．
36)
「アルミニウム系III族窒化物単結晶の製造方法」
日本国特許第6344688号．
37)
「結晶積層構造体の製造方法」
日本国特許第6376600号，U.S. Patent 10,538,862，台湾特許第I684662號，
中国特許第ZL 2016 8 0016988.8．
38)
「窒化物半導体結晶、製造方法および製造装置」
日本国特許第6510413号，U.S. Patent 10,125,433．
39)
「結晶積層構造体、及びその製造方法」
日本国特許第6601738号，台湾特許第I727849號，U.S. Patent 11,047,067．
40)
「半導体基板、並びにエピタキシャルウエハ及びその製造方法」
日本国特許第6744523号，台湾特許第I625767號，U.S. Patent 10,985,016，
中国特許第ZL 2016 8 0073555.6．
41)
「高耐圧ショットキーバリアダイオード」
日本国特許第6758569号，U.S. Patent 10,199,512，台湾特許第I707057號，
中国特許第ZL 2016 8 0016834.9．
42)
「結晶積層構造体、及びそれを製造する方法」
日本国特許第6875708号．