出版物
1)
THICK AND HIGH QUALITY GaN GROWTH ON GaAs (111)A SURFACES FOR PREPARATION OF FREESTANDING GaN SUBSTRATES,
Yoshinao Kumagai, Kikurou Takemoto, Hisashi Seki and Akinori Koukitu,Crystal and Epitaxial Growth Vol. 1,
Eds. V. Stefan and E. V. Zharikov (The Stefan University Press, La Jolla, 2002), pp. 39-47.
2)
AlN基板・応用デバイス,
熊谷 義直,2009化合物半導体技術大全（電子ジャーナル別冊）, 第2編, 第7章, 第1節, pp. 80-82.
3)
窒化ガリウムのハイドライド気相成長,
纐纈 明伯, 熊谷 義直,窒化物基板および格子整合基板の成長とデバイス特性, シーエムシー出版, 第1章, 第1節, 2009年, pp. 1-27.
4)
熱力学解析による化合物半導体の気相成長,
纐纈 明伯, 熊谷 義直, 金属（アグネ技術センター）, 第79巻, 第11号, 2009年, pp. 972-978.
5)
Hydride Vapor Phase Epitaxy of GaN,
Akinori Koukitu and Yoshinao Kumagai,Springer Series in Materials Science 133, Technology of Gallium Nitride Crystal Growth,
Eds. Dirk Ehrentraut, Elke Meissner, Michal Bockowski (Springer, 2010), pp. 31-60
6)
Growth of III-Nitrides with Halide Vapor Phase Epitaxy (HVPE),
Carl Hemmingsson, Bo Monemar, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu,Springer Handbook of Crystal Growth,
Eds. Govindhan Dhanaraj, Kullaiah Byrappa, Vishwanath Prasad, Michael Dudley (Springer, 2010), pp. 869-896
7)
窒化物半導体発光素子の開発動向,
熊谷 義直, 村上 尚, 纐纈 明伯,Journal of the Society of Non-Traditional Technology, No. 454, 2012, pp. 9-12.
8)
GaNパワーデバイスの技術展開,
纐纈 明伯, 熊谷 義直, 村上 尚,サイエンス＆テクノロジー, ISBN 978-4-86428-044-0, 第2章, 第1節, 2012年, pp. 19-37.
9)
AlN基板・応用デバイス,
熊谷 義直,2013化合物半導体技術大全（Electronic Journal別冊）, 第2編, 第7章, 第1節, pp. 85-88.
10)
ハイドライド気相成長法 〜InNを事例として〜,
熊谷 義直, 纐纈 明伯,ポストシリコン半導体 −ナノ成膜ダイナミクスと基板・界面効果−,
株式会社エヌ・ティー・エス, ISBN 978-4-86469-059-1, 第3編, 第1章, 2013年, pp. 359-366.
11)
HVPE法を用いた単結晶AlN成長技術とAlN基板上深紫外LED,
木下 亨, 熊谷 義直, 井上 振一郎,OPTRONICS, Vol. 33, No. 2, 2014, pp. 67-70.
12)
HVPE法AlN基板上深紫外LEDの開発,
木下 亨, 熊谷 義直, 井上 振一郎,OPTRONICS, Vol. 34, No. 11, 2015, pp. 96-100.
13)
酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術と実用化への課題,
東脇 正高, 熊谷 義直, 村上 尚, 倉又 朗人,Energy Device, Vol. 3, No. 6, 2016, pp. 43-47.
14)
Defects and impurities in β-Ga2O3,
Nguyen Tien Son, Ken Goto, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Bo Monemar,Ultra-Wide Bandgap Semiconductor Materials,
Edited by Meiyong Liao, Bo Shen, Zhanguo Wang (Elsevier, 2019), pp. 331-345.
15)
Halide Vapor Phase Epitaxy 1 - Homoepitaxial Growth of β-Ga2O3 on β-Ga2O3 Substrates,
Yoshinao Kumagai, Keita Konishi, Ken Goto, Hisashi Murakami and Bo Monemar,Gallium Oxide - Materials Properties, Crystal Growth, and Devices,
Edited by Masataka Higashiwaki and Shizuo Fujita (Springer, 2020), pp. 185-202.
16)
Phonon Properties - Phonon and Free Charge Carrier Properties in Monoclinic-Symmetry
β-Ga2O3,
Mathias Schubert, Alyssa Mock, Rafał Korlacki, Sean Knight, Bo Monemar, Ken Goto,β-Ga2O3,
Yoshinao Kumagai, Akito Kuramata, Zbigniew Galazka, Günther Wagner, Marko J. Tadjer,
Virginia D. Wheeler, Masataka Higashiwaki and Vanya Darakchieva,
Gallium Oxide - Materials Properties, Crystal Growth, and Devices,
Edited by Masataka Higashiwaki and Shizuo Fujita (Springer, 2020), pp. 501-534.
17)
β型酸化ガリウム結晶の高純度成長法,
村上 尚, 熊谷 義直,次世代パワー半導体の開発・評価と実用化, 株式会社エヌ・ティー・エス,
ISBN 978-4-86043-767-1, 第1編, 第4章, 第2節, 2022年, pp. 193-202.