1)
化合物半導体気相成長の熱力学,
纐纈 明伯, 寒川 義裕, 熊谷 義直, 関 壽,応用物理, 第74巻, 第5号, 2005年, pp. 561-572．
2)
In系窒化物半導体のMOVPEおよびHVPE成長,
村上 尚, 花岡 幸史, 富樫 理恵, 稲葉 克彦, 熊谷 義直, 纐纈 明伯,Journal of the Japanese Association for Crystal Growth, Vol. 38, No. 4, 2011, pp. 255-262.
3)
昇華法AlNウェハー上HVPEホモエピタキシャル成長と深紫外LED応用,
熊谷 義直, 永島 徹, 木下 亨, 纐纈 明伯,Journal of the Japanese Association for Crystal Growth, Vol. 41, No. 3, 2014, pp. 131-137.
4)
酸化ガリウム単結晶の光・電子デバイス応用,
倉又 朗人, 飯塚 和幸, 佐々木 公平, 輿 公祥, 増井 建和, 森島 嘉克, 後藤 健, 熊谷 義直,村上 尚, 纐纈 明伯, ワン マンホイ, 上村 崇史, 東脇 正高, 山腰 茂伸,
Journal of the Japanese Association for Crystal Growth, Vol. 42, No. 2, 2015, pp. 130-140.
5)
酸化ガリウムショットキーバリアダイオード,
東脇 正高, 佐々木 公平, 村上 尚, 熊谷 義直, 倉又 朗人,電気学会論文誌C（電子・情報・システム部門誌）, Vol. 136, No. 4, 2016, pp. 479-483.
6)
酸化ガリウムパワーデバイス開発の現状,
東脇 正高, 倉又 朗人, 村上 尚, 熊谷 義直,電子情報通信学会論文誌C, Vol. J99-C, No. 9, 2016, pp. 448-455.
7)
HVPE法による高品質酸化ガリウムエピタキシャル成長技術,
熊谷 義直, 村上 尚, 倉又 朗人, 東脇 正高,応用物理, 第86巻, 第2号, 2017, pp. 107-111.
8)
熱力学解析と成長実験によるβ-Ga2O3薄膜のMOVPE成長の検討,
熊谷 義直, 後藤 健,Journal of the Japanese Association for Crystal Growth, Vol. 48, No. 3, 2021, pp. 05 1-9.