令和7年度
2025 MRS Spring Meeting & Exhibit, Apr. 7-11, 2025, Seattle Convention Center, Seattle, WA, U.S.A.
1)
(Invited) Control of n-Type Conductivity of MOVPE-Grown β-Ga2O3 by Intentional Si Doping
Yoshinao Kumagai, Junya Yoshinaga, Kazutada Ikenaga, Takeyoshi Onuma, Masataka Higashiwaki,
and Yuzaburo Ban
Presentation: Apr. 10, EL11.08.03, Oral.
IEEE MTT-S International Microwave Symposium (IMS), Jun. 15-20, 2025, Moscone Center,
San Francisco, CA, U.S.A.
2)
(Invited) Ga2O3 FETs for future power and harsh environment electronics
Masataka Higashiwaki, Zhenwei Wang, Takumi Ohtsuki, Takafumi Kamimura, Hisashi Murakami,
and Yoshinao Kumagai
Presentation: Jun. 16, WMK-6, Oral.
応用物理学会応用電子物性分科会／結晶工学分科会合同研究会「ワイドギャップ半導体電子デバイスの最前線」, 2025年6月18日-19日, 天満研修センター
3)
(Invited) 酸化ガリウムホモエピタキシャルウェハの開発
熊谷 義直
6月18日発表, 口頭.
67th Electronic Materials Conference, Jun. 25-27, 2025, Duke University, Durham, NC, U.S.A.
4)
Electrical properties of Si-doped Ga2O3 thin films grown by low-pressure hot-wall MOCVD and effects of high-temperature annealing
Jun Morihara, Mao Bando, Junya Yoshinaga, Yoshinao Kumagai, Masataka Higashiwaki,
Presentation: Jun. 26, Oral.
15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-15), Jul. 6-11, 2025,
Clarion Hotel & Congress Malmö Live, Malmö, Sweden
5)
(Invited) High-speed HVPE growth of AlN homoepitaxial layers for AlN wafer fabrication
Yoshinao Kumagai
Presentation: Jul. 10, GR-Thu-1, Oral.
The 50th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz 2025), Aug. 17-22, 2025, Aalto University, Espoo, Finland
6)
Anisotropy of Beta-Gallium Oxide Epilayer Evaluated by Temperature-Dependent Terahertz Time-Domain Spectroscopy
Shuang Liu, Verdad C. Agulto, Toshiyuki Iwamoto, Kosaku Kato, Thanh Nhat Khoa Phan,
Yoshinao Kumagai, Hisashi Murakami, and Makoto Nakajima
Presentation: Aug. 22, Oral.
第86回応用物理学会秋季学術講演会, 2025年9月7日-10日, 名城大学天白キャンパス＆オンライン
7)
減圧ホットウォールMOVPE成長したSiドープβ-Ga2O3ホモエピタキシャル層の結晶性・電気的特性のSi濃度依存性
伊庭 義騎, 吉永 純也, 窪田 翔海, 寺内 悠真, 尾沼 猛儀, 東脇 正高, 伴 雄三郎, 熊谷 義直
9月9日発表, 9p-N105-1, 現地口頭.
8)
減圧ホットウォールMOVPE成長したGa2O3薄膜のフォトキャパシタンス測定
森原 淳, 垣尾 宗, 吉永 純也, 上村 崇, 熊谷 義直, 東脇 正高
9月9日発表, 9p-N105-2, 現地口頭.
9)
β-Ga2O3基板表面のGaClエッチングとHVPEホモエピタキシャル成長への影響
角田 健太郎, 木川 孝俊, 大槻 匠, 上村 崇, 東脇 正高, 熊谷 義直
9月9日発表, 9p-N105-5, 現地口頭.
2025 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2025), Sep. 15-18, 2025, Pacifico Yokohama, Japan
10)
(Late News) Photocapacitance Investigation of Deep-Level Trap States in Ga2O3 Thin Films Grown by Low-Pressure Hot-Wall Metalorganic Vapor Phase Epitaxy,
Jun Jason Morihara, Tsukasa Kakio, Junya Yoshinaga, Takafumi Kamimura, Yoshinao Kumagai,
and Masataka Higashiwaki
Presentation: Sep. 17, M-4-05, Oral.
第54回結晶成長国内会議 (JCCG-54), 2025年11月11日-13日, 金沢商工会議所会館
11)
HVPE法によるN面AlN基板上への高品質ホモエピタキシャル成長
伊藤 新之助, 牛越 祐希, 廣木 正伸, 谷保 芳孝, 熊谷 義直
11月11日発表, 11a-B04, 口頭.＜講演奨励賞受賞＞賞状
12)
NH3をドーパント源としたNドープβ-Ga2O3(010)ホモエピタキシャル層のHVPE成長
角田 健太郎, 木川 孝俊, 熊谷 義直
11月11日発表, 11p-B15, 口頭.＜講演奨励賞受賞＞賞状
13)
β-Ga2O3(010)基板上に減圧ホットウォールMOVPE成長させたホモエピタキシャル層の結晶性およびキャリア輸送特性に対するSiドーピング濃度の影響
伊庭 義騎, 吉永 純也, 窪田 翔海, 寺内 悠真, 尾沼 猛儀, 東脇 正高, 伴 雄三郎, 熊谷 義直
11月11日発表, 11p-B16, 口頭.＜講演奨励賞受賞＞賞状
応用物理学会結晶工学分科会主催 第4回結晶工学講演会, 2025年12月3日, 大阪大学吹田キャンパス
14)
異なるSiドーピング濃度で減圧ホットウォールMOVPE成長したβ-Ga2O3(010)ホモエピタキシャル層の結晶性およびキャリア輸送特性評価
伊庭 義騎, 吉永 純也, 窪田 翔海, 寺内 悠真, 尾沼 猛儀, 東脇 正高, 伴 雄三郎, 熊谷義直
12月3日発表, P06, ポスター.＜分科会発表奨励賞受賞＞賞状
先端ICTデバイスラボ・コラボレーションミーティング2026, 2026年1月13日, 情報通信研究機構小金井本所
15)
Investigation on electrical properties of vertical Ga2O3 (010) FinFETs with nitrogen radical irradiated gate sidewall interfaces
Zhenwei Wang, Jin Inajima, Yoshiki Iba, Kohki Tsujimoto, Yuma Terauchi, Yusuke Teramura,
Junya Yoshinaga, Takafumi Kamimura, Yoshinao Kumagai, and Masataka Higashiwaki
1月13日発表, No. 28, ポスター.
16)
HVPE法によるNドープβ-Ga2O3(010)ホモエピタキシャル層の成長
角田 健太郎, 木川 孝俊, 熊谷 義直
1月13日発表, No. 29, ポスター.
17)
MOVPE法を用いたβ-Ga2O3縦型デバイス向けSiドープn型ドリフト層の成長
伊庭 義騎, 吉永 純也, 窪田 翔海, 寺内 悠真, 佐々木 捷悟, 池永 和正, 尾沼 猛儀, 東脇 正高,
椎名 一成, 伴 雄三郎, 熊谷義直
1月13日発表, No. 30, ポスター.
レーザー学会学術講演会第46回年次大会, 2026年1月13日-15日, 大阪南港ATC O's棟南館
18)
Terahertz Spectroscopy of Anisotropy in β-Ga2O3 Epitaxial Structures,
劉 爽, Agulto Verdad C., 岩本 敏志, 加藤 康作, Phan Thanh Nhat Khoa, 熊谷 義直,
村上 尚, 中嶋 誠
1月15日発表, E12-15p-III-06, 口頭.
独立行政法人日本学術振興会R063高効率エネルギー変換材料とデバイス技術の融合委員会 第4回研究会「次々世代パワー半導体材料Ga2O3」, 2026年1月29日, TKPガーデンシティ御茶ノ水
19)
(Invited) HVPE法およびMOVPE法によるパワーデバイス向け酸化ガリウムホモエピタキシャルウェハの開発
熊谷 義直
1月29日発表, 口頭.
㈱三ツワフロンテック主催Webセミナー「機能性材料・分析技術セミナー ～半導体プロセス～」,
2026年2月24日, オンライン開催
20)
(Invited) 成長炉内ガス種の解析による次世代パワーデバイス材料β-Ga2O3のMOVPE成長技術の確立
熊谷 義直
2月24日発表, 口頭.
応用物理学会結晶工学分科会第30回結晶工学セミナー「PythonとAIで進める結晶工学 ～結晶成長から評価技術まで～」, 2026年3月9日, 産業技術総合研究所臨海副都心センター
21)
(Invited) 化合物半導体成長の熱力学解析技術
熊谷 義直
3月9日発表, 口頭.
独立行政法人日本学術振興会R032産業イノベーションのための結晶成長委員会 第25回研究会「ワイドギャップ半導体の現在と未来」, 2026年3月13日, 東京大学駒場キャンパス生産技術研究所
22)
(Invited) MOVPE法による縦型パワーデバイス向けβ-Ga2O3ホモエピタキシャル成長と特性解析
吉永 純也, 熊谷 義直
3月13日発表, 口頭.
第73回応用物理学会春季学術講演会, 2026年3月15日-18日, ハイブリッド開催（東京科学大学大岡山キャンパス＋オンライン）
23)
Siドープβ-Ga2O3薄膜におけるバンドギャップ再構成
尾沼 猛儀, 山本 夏維, 田中 恭輔, 伊庭 義騎, 吉永 純也, 窪田 翔海, 寺内 悠真, 山口 智広,
東脇 正高, 伴 雄三郎, 熊谷 義直, 本田 徹
3月16日発表, 16a-W9_324-2, 現地口頭.
24)
減圧ホットウォールMOVPE法による2インチ径β-Ga2O3(010)基板上ホモエピタキシャル厚膜の成長
伊庭 義騎, 寺内 悠真, 吉永 純也, 橋本 健宏, 熊谷 義直
3月16日発表, 16p-W9_324-10, 現地口頭.
25)
THVPE法によるSiドープβ-Ga2O3(010)ホモエピタキシャル成長
北川 晴輝, 吉田 直輝, 村上 尚, 熊谷 義直
3月16日発表, 16p-W9_324-11, 現地口頭.
26)
トリメチルガリウム分解・炭化水素燃焼機構の解明に基づく量産型MOVPE炉での高純度β-Ga2O3成長
寺内 悠真, 佐々木 捷悟, 吉永 純也, 瀧浪 欣彦, 石川 真人, 熊谷義直
3月17日発表, 17p-W9_324-3, 現地口頭.
27)
高温アニール処理がGa2O3薄膜のトラップ準位に及ぼす影響のDLOS評価
森原 淳, 垣尾 宗, Romualdo A. Ferreyra, 吉永 純也, 上村 崇史, 熊谷 義直, 東脇 正高
3月17日発表, 17p-W9_324-10, 現地口頭.
28)
マイクロ波無線電力伝送用レクテナ回路応用に向けた高周波Ga2O3ショットキーバリアダイオード開発
田端 悠大, 末廣 雄大, Romualdo A. Ferreyra, 堤 卓也, 金野 舜, 臼井 洸佑, 松尾 大輔,
伊庭 義騎, 寺内 悠真, 吉永 純也, 熊谷 義直, 大野 泰夫, 東脇 正高
3月18日発表, 18p-W8E_101-4, 現地口頭.
29)
Effects of Nitrogen Radical Irradiation on Electrical Properties of Ga2O3 (010) FinFETs
Zhenwei Wang, Jin Inajima, Yoshiki Iba, Kohki Tsujimoto, Yuma Terauchi, Yusuke Teramura,
Junya Yoshinaga, Takafumi Kamimura, Yoshinao Kumagai, and Masataka Higashiwaki
3月18日発表, 18p-W8E_101-10, 現地口頭.