◆ 平成21年度卒 ◆
早坂 紘美 (Hiromi Hayasaka) <修士>
- 卒業論文題目「多結晶半導体膜の電気特性の研究」
- 修士論文題目「シリコン薄膜の電気特性に関する研究」
下川 光次郎 (Mitsujirou Shimokawa) <修士>
- 卒業論文題目「不純物の低温活性化及び 多結晶ゲルマニウム薄膜の研究」
- 修士論文題目「半導体プロセスの評価技術の研究」
宇河 康 (Kan Ukawa) <修士>
- 卒業論文題目「シリコン薄膜のレーザ結晶化の研究」
- 修士論文題目「半導体のレーザ短時間加熱処理技術の研究」
巾 智紀 (Tomonori Haba) <修士>
- 卒業論文題目「半導体素子特性解析と特性改善の研究」
- 修士論文題目「半導体薄膜の短時間結晶化技術の研究 」
水谷 勇太 (Yuta Mizutani) <修士>
- 卒業論文題目「シリコンのレーザ活性化の研究」
- 修士論文題目「半導体の欠陥低減処理技術の開発」
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