◆ 平成13年度卒 ◆
渡邊 整 (Tadashi Watanabe) <修士>
- 卒業論文題目「広いバンドギャップを持つ化合物半導体薄膜の作製と基礎物性」（東京高専）
- 卒業論文題目「多結晶シリコン薄膜の電気的特性解析」 平成11年度論文賞
- 修士論文題目「」
鎌田 耕太郎 (Kohtaro Kamada) <学士>
- 卒業論文題目「多結晶シリコン薄膜トランジスタの二次元解析シミュレーターの開発」
後藤 康之 (Yasuyuki Goto) <学士>
- 卒業論文題目「多周波Ｃ－Ｖ測定技術の確立、及び高圧水蒸気熱処理によるSi/SiO2界面欠陥低減の研究」 平成13年度論文賞
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