熊谷研究室では半導体の結晶成長に関する研究を行っており、現在、AlN(窒化アルミニウム)やIII族酸化物半導体等の結晶成長に取り組んでいます。


III族窒化物半導体は、直接遷移型のエネルギーバンド構造を持ち、バンドギャップも0.8 eV〜6.2 eVであることから、発光波長200 nm〜1550 nmまでの非常に広い範囲をカバーでき、電子・光デバイス材料として注目されています。

また、II族酸化物半導体であるZnOも、直接遷移型のバンド構造を持ち、MgOおよびCdOとの混晶を作製することにより2.3 eV〜7.8 eVまでのバンドギャップエンジニアリングをすることが可能であり、光デバイス材料として期待されています。

半導体結晶の成長法には様々なものがあります。
本研究室では気相成長法により高品質な結晶の成長について検討をしております。熱力学解析や量子化学計算を行ない実際の実験へ理論解析結果を導入することにより効率的に結晶成長条件の検討をしています。





以下では、本研究室の研究テーマについて簡単に説明します。