令和8年度
The 11th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA 2026), Apr. 21-22, 2026, Pacifico Yokohama, Japan
1)
(Invited) High-Speed HVPE Homoepitaxial Growth of Thick AlN Layers for Wafer Fabrication
Yoshinao Kumagai
Presentation: Apr. 21, LEDIA1-03, Oral.
Yoshinao Kumagai
Presentation: Apr. 21, LEDIA1-03, Oral.
日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第18回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会,
2026年5月21日-23日, 大分県別府市・立命館アジア太平洋大学（APU）
2026年5月21日-23日, 大分県別府市・立命館アジア太平洋大学（APU）
2)
トリメチルガリウムおよびトリメチルアルミニウム分解挙動のキャリアガス依存性
寺内 悠真, 佐々木 捷悟, 吉永 純也, 富樫 理恵, 古石 真紀子, 瀧浪 欣彦, 石川 真人, 草場 彰, 熊谷 義直
5月21日発表, Th-P02, ポスター.
寺内 悠真, 佐々木 捷悟, 吉永 純也, 富樫 理恵, 古石 真紀子, 瀧浪 欣彦, 石川 真人, 草場 彰, 熊谷 義直
5月21日発表, Th-P02, ポスター.
3)
β-Ga2O3(010)基板上HVPEホモエピタキシャル成長における基板のガスエッチングの効果
角田 チュクダール健太郎, 木川 孝俊, 大槻 匠, 上村 崇史, 東脇 正高, 熊谷 義直
5月21日発表, Th-P03, ポスター.＜発表奨励賞受賞＞
賞状
角田 チュクダール健太郎, 木川 孝俊, 大槻 匠, 上村 崇史, 東脇 正高, 熊谷 義直
5月21日発表, Th-P03, ポスター.＜発表奨励賞受賞＞
賞状49th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe &
20th Expert Evaluation and Control of Compound Semiconductor Materials and Technologies (WOCSDICE - EXMATEC), May 24-28, 2026, The Polish Baltic Philharmonic in Gdańsk, Gdansk, Poland
20th Expert Evaluation and Control of Compound Semiconductor Materials and Technologies (WOCSDICE - EXMATEC), May 24-28, 2026, The Polish Baltic Philharmonic in Gdańsk, Gdansk, Poland
4)
(Invited) Nitrogen Doping Engineering for Ga2O3 Devices
Masataka Higashiwaki, Zhenwei Wang, Kohki Tsujimoto, Yusuke Teramura, Satoko Honda, Yoshiki Iba,
Yuma Terauchi, Junya Yoshinaga, Takafumi Kamimura, and Yoshinao Kumagai
Presentation: May 26, Oral.
Masataka Higashiwaki, Zhenwei Wang, Kohki Tsujimoto, Yusuke Teramura, Satoko Honda, Yoshiki Iba,
Yuma Terauchi, Junya Yoshinaga, Takafumi Kamimura, and Yoshinao Kumagai
Presentation: May 26, Oral.
16th International Conference on Modern Materials and Technologies (CIMTEC 2026),
Jun. 15-24, 2026, Centro Congressi Hotel Quattrotorri, Perugia, Italy
Jun. 15-24, 2026, Centro Congressi Hotel Quattrotorri, Perugia, Italy
5)
(Invited Lecture) β-Ga2O3 Epitaxial Growth and Device Technologies for Power and RF Electronics
M. Higashiwaki and Y. Kumagai
Presentation: Jun. 18, CL-3:IL23, Oral.
M. Higashiwaki and Y. Kumagai
Presentation: Jun. 18, CL-3:IL23, Oral.
The 6th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO 2026), Aug. 2-7, 2026, University of Maryland, College Park, MD, U.S.A.
6)
First-Principles and Thermodynamic Study of (AlxGa1-x)2O3 Growth by PA-MBE
Rie Togashi, Akira Kusaba, Masataka Higashiwaki, Yoshinao Kumagai
Presentation: Aug. 3, IWGO-MoP-39, Poster.
Rie Togashi, Akira Kusaba, Masataka Higashiwaki, Yoshinao Kumagai
Presentation: Aug. 3, IWGO-MoP-39, Poster.
7)
(Invited) Homoepitaxial Growth of β-Ga2O3 Using HVPE and MOVPE
Yoshinao Kumagai
Presentation: Aug. 5, IWGO-WeM1-19, Oral.
Yoshinao Kumagai
Presentation: Aug. 5, IWGO-WeM1-19, Oral.
8)
Uniform Growth of Thick Homoepitaxial β-Ga2O3 Layers on 2-inch (010) Substrates by Low-Pressure Hot-Wall MOVPE
Yoshiki Iba, Yuma Terauchi, Junya Yoshinaga, Yasuhiro Hashimoto, and Yoshinao Kumagai
Presentation: Aug. 5, IWGO-WeM2-50, Oral.
Yoshiki Iba, Yuma Terauchi, Junya Yoshinaga, Yasuhiro Hashimoto, and Yoshinao Kumagai
Presentation: Aug. 5, IWGO-WeM2-50, Oral.
9)
Vertical Ga2O3(010) FinFETs Processed with Nitrogen Radical Irradiation
Zhenwei Wang, Jin Inajima, Kohki Tsujimoto, Yusuke Teramura, Yoshiki Iba, Yuma Terauchi,
Junya Yoshinaga, Takafumi Kamimura, Yoshinao Kumagai, and Masataka Higashiwaki
Presentation: Aug. 5, IWGO-WeA-15, Oral.
Zhenwei Wang, Jin Inajima, Kohki Tsujimoto, Yusuke Teramura, Yoshiki Iba, Yuma Terauchi,
Junya Yoshinaga, Takafumi Kamimura, Yoshinao Kumagai, and Masataka Higashiwaki
Presentation: Aug. 5, IWGO-WeA-15, Oral.
10)
Bandgap Renormalization in Si-doped β-Ga2O3 Films
Takeyoshi Onuma, Kai Yamamoto, Kyohei Tanaka, Yoshiki Iba, Junya Yoshinaga, Yuma Terauchi,
Tomohiro Yamaguchi, Masataka Higashiwaki, Yuzaburo Ban, Yoshinao Kumagai, and Tohru Honda
Presentation: Aug. 6, IWGO-ThM2-40, Oral.
Takeyoshi Onuma, Kai Yamamoto, Kyohei Tanaka, Yoshiki Iba, Junya Yoshinaga, Yuma Terauchi,
Tomohiro Yamaguchi, Masataka Higashiwaki, Yuzaburo Ban, Yoshinao Kumagai, and Tohru Honda
Presentation: Aug. 6, IWGO-ThM2-40, Oral.
The 37th International Conference on the Physics of Semiconductors 2026 (ICPS 2026),
Aug. 16-21, 2026, Keio Plaza Hotel, Shinjuku, Tokyo, Japan
Aug. 16-21, 2026, Keio Plaza Hotel, Shinjuku, Tokyo, Japan
11)
Effects of High-Temperature Post-Deposition Annealing on Trap States in Ga2O3 Thin Films Analyzed by DLOS and SSPC
Jun Jason Morihara, Romualdo Alejandro Ferreyra, Tsukasa Kakio, Junya Yoshinaga,
Takafumi Kamimura, Yoshinao Kumagai, Masataka Higashiwaki
Presentation: Aug. 18, Tu-A2-H-04, Oral.
Jun Jason Morihara, Romualdo Alejandro Ferreyra, Tsukasa Kakio, Junya Yoshinaga,
Takafumi Kamimura, Yoshinao Kumagai, Masataka Higashiwaki
Presentation: Aug. 18, Tu-A2-H-04, Oral.
12)
(Invited) The Rise of Ga2O3: Current Status and Future Challenges in Material Science and Devices
Masataka Higashiwaki, Yoshinao Kumagai
Presentation: Aug. 18, Tu-P1-H-01, Oral.
Masataka Higashiwaki, Yoshinao Kumagai
Presentation: Aug. 18, Tu-P1-H-01, Oral.
16th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2026), Aug. 24-27, 2026,
Hotel Ichibata, Matsue, Shimane
Hotel Ichibata, Matsue, Shimane
13)
Development of High-Frequency Ga2O3 Schottky Barrier Diodes for Application to Rectenna Circuits for Microwave Wireless Power Transmission
Y. Tabata, Y. Suehiro, R. A. Ferreyra, T. Tsutsumi, S. Konno, K. Usui, D. Matsuo, Y. Iba, Y. Terauchi,
J. Yoshinaga, Y. Kumagai, Y. Ohno, and M. Higashiwaki
Presentation: Aug. 26, 6-5, Oral.
Y. Tabata, Y. Suehiro, R. A. Ferreyra, T. Tsutsumi, S. Konno, K. Usui, D. Matsuo, Y. Iba, Y. Terauchi,
J. Yoshinaga, Y. Kumagai, Y. Ohno, and M. Higashiwaki
Presentation: Aug. 26, 6-5, Oral.
14)
Enhancement-mode CAVETs on Ga2O3(010) Epitaxial Substrates Grown by MOVPE
J. J. Morihara, D. Matsuo, S. Konno, K. Usui, S. Takemura, Z. Wang, R. A. Ferreyra, J. Yoshinaga,
Y. Iba, K. Tanaka, Y. Kumagai, and M. Higashiwaki
Presentation: Aug. 26, 6-7, Oral.
J. J. Morihara, D. Matsuo, S. Konno, K. Usui, S. Takemura, Z. Wang, R. A. Ferreyra, J. Yoshinaga,
Y. Iba, K. Tanaka, Y. Kumagai, and M. Higashiwaki
Presentation: Aug. 26, 6-7, Oral.
第87回応用物理学会秋季学術講演会, 2026年9月8日-11日, 北海道大学札幌キャンパス＆オンライン
15)
縦型β-Ga2O3 SBDにおけるサージ電流耐量評価と面方位依存性
田屋 晶樹, 湯田 洋平, 海老原 洪平, 酒井 隆司, 伊庭 義騎, 寺内 悠真, 熊谷義直
9月8日発表, 8p-E301-17, 現地口頭.
田屋 晶樹, 湯田 洋平, 海老原 洪平, 酒井 隆司, 伊庭 義騎, 寺内 悠真, 熊谷義直
9月8日発表, 8p-E301-17, 現地口頭.
16)
MBE法による(AlxGa1-x)2O3成長の第一原理・熱力学的検討
富樫 理恵, 寺内 悠真, 草場 彰, 東脇 正高, 熊谷 義直
9月8日発表, 8p-E301-21, 現地口頭.
富樫 理恵, 寺内 悠真, 草場 彰, 東脇 正高, 熊谷 義直
9月8日発表, 8p-E301-21, 現地口頭.
17)
窒素ドープβ-Ga2O3ホモエピタキシャル層のHVPE成長における基板面方位の比較
角田 チュクダール健太郎, 古賀 豊, 河田 誉望, 木川 孝俊, 熊谷 義直
9月10日発表, 10p-E301-5, 現地口頭.
角田 チュクダール健太郎, 古賀 豊, 河田 誉望, 木川 孝俊, 熊谷 義直
9月10日発表, 10p-E301-5, 現地口頭.
18)
MOVPE法による(AlxGa1-x)2O3成長におけるTMAlとTEAlの分解・燃焼機構の比較
寺内 悠真, 佐々木 捷悟, 吉永 純也, 富樫 理恵, 古石 真紀子, 瀧浪 欣彦, 石川 真人, 草場 彰, 熊谷 義直
9月10日発表, 10p-E301-7, 現地口頭.
寺内 悠真, 佐々木 捷悟, 吉永 純也, 富樫 理恵, 古石 真紀子, 瀧浪 欣彦, 石川 真人, 草場 彰, 熊谷 義直
9月10日発表, 10p-E301-7, 現地口頭.
19)
高耐熱電極を適用した自己整合ゲートβ-Ga2O3 MOSFET試作と電気的特性評価
吉浦 一慧, 寺村 祐輔, 森原 淳, 伊庭 義騎, 吉永 純也, 熊谷 義直, 堤 卓也, 東脇 正高
9月11日発表, 11p-A21-5, 現地口頭.
吉浦 一慧, 寺村 祐輔, 森原 淳, 伊庭 義騎, 吉永 純也, 熊谷 義直, 堤 卓也, 東脇 正高
9月11日発表, 11p-A21-5, 現地口頭.
20)
Suppression of Leakage Current Through the Interface of MOVPE Grown Epitaxial Layer and
Semi-Insulating β-Ga2O3 (010) Substrate by Fe-Ion Implantation
Sandeep Kumar, Yoshiki Iba, Junya Yoshinaga, Yoshinao Kumagai, Masataka Higashiwaki,
and Takafumi Kamimura
9月11日発表, 11p-A21-6, 現地口頭.
Semi-Insulating β-Ga2O3 (010) Substrate by Fe-Ion Implantation
Sandeep Kumar, Yoshiki Iba, Junya Yoshinaga, Yoshinao Kumagai, Masataka Higashiwaki,
and Takafumi Kamimura
9月11日発表, 11p-A21-6, 現地口頭.