令和6年度
The 10th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA 2024), Apr. 24-25, 2024, Pacifico Yokohama, Japan
1)
Using solid AlCl3 for homoepitaxial growth of thick AlN layers by HVPE
T. Nukaga, H. Sakano, T. Nishida, T. Kai, M. Tsuchiya, K. Sasakura, and Y. Kumagai
Presentation: Apr. 25, LEDIA6-06, Oral.
The 5th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO 2024), May 26-31, 2024, KulturBrauerei, Berlin, Germany
2)
(Invited) Vapor-phase epitaxial growth of gallium-oxide using Ga halides as source gases
Y. Kumagai, H. Murakami, K. Sasaki, A. Kuramata, and M. Higashiwaki
Presentation: May 27, MoM2_4, Oral.
3)
Growth of Si-doped β-Ga2O3 thick layers by low-pressure hot-wall MOVPE using tetramethylsilane as a doping gas
J. Yoshinaga, H. Tozato, T. Okuyama, S. Sasaki, G. Piao, K. Ikenaga, K. Shiina, S. Koseki, Y. Ban, and Y. Kumagai
Presentation: May 28, TuM2_5, Oral.
4)
Thermodynamic analysis of (AlxGa1-x)2O3 growth by molecular beam epitaxy
R. Togashi, M. Higashiwaki, and Y. Kumagai
Presentation: May 29, WeM1_3, Oral.
5)
Investigation of electrical properties of unintentionally doped Ga2O3 thin films grown by low-pressure hot-wall MOCVD
J. Morihara, Z. Wang, J. Yoshinaga, S. Sato, K. Eguchi, Y. Kumagai, and M. Higashiwaki
Presentation: May 29, WeP_26, Poster.
6)
Ga2O3 FinFETs with on-axis (100)-plane Gate Sidewalls Fabricated on β-Ga2O3 (010) Substrates
Z. Wang, S. Kumar, T. Kamimura, H. Murakami, Y. Kumagai, and M. Higashiwaki
Presentation: May 30, ThuA2_5, Oral.
日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 第16回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会, 2024年5月30日-6月1日, 高知県立県民文化ホール
7)
β-Ga2O3(010)オフ基板上ホモエピタキシャル成長における表面形態改善メカニズム
江田 暁彦, 新田 恭平, 村上 尚, 熊谷 義直
5月30日発表, Th-P14, ポスター.
8)
非水素系におけるトリメチルガリウムの熱分解およびβ-Ga2O3成長挙動の調査
寺内 悠真, 奥山 貴仁, 窪田 翔海, 吉永 純也, 佐々木 捷悟, 石川 真人, 熊谷 義直
5月30日発表, Th-P16, ポスター.
9)
有機金属気相成長法による高純度β-Ga2O3厚膜の高速成長
窪田 翔海, 吉永 純也, 奥山 貴仁, 寺内 悠真, 佐々木 捷悟, 朴 冠錫, 池永 和正, 伴 雄三郎, 熊谷 義直
5月31日発表, Fr-P13, ポスター.
72nd ASMS Conference on Mass Spectrometry and Allied Topics (ASMS2024), June 2-6, 2024, Anaheim Convention Center, Anaheim, CA, U.S.A.
10)
High resolution process gas monitoring by infiTOF to shed light on the growth process of β-Ga2O3 by MOVPE
Yoshihiko Takinami, Kazutada Ikenaga, Takahito Okuyama, Shogo Sasaki, Masato Ishikawa,
Yoshinao Kumagai
Presentation: June 3, MP 389, Poster.
The 7th U.S. Gallium Oxide Workshop (GOX 2024), Aug. 5-7, 2024, Columbus, OH, U.S.A.
11)
(Invited) High-Speed Growth of High-Purity β-Ga2O3 Layers by MOVPE
Yoshinao Kumagai
Presentation: Aug. 6, Oral.
12)
Growth and Carrier Density Control of Si-Doped β-Ga2O3 Homoepitaxial Layers by MOVPE Using Tetramethylsilane as Doping Gas
Junya Yoshinaga, Takahito Okuyama, Yuma Terauchi, Kakeru Kubota, Shogo Sasaki, Guanxi Piao,
Kazutada Ikenaga, Kazushige Shiina, Shuuichi Koseki, Yuzaburo Ban, and Yoshinao Kumagai
Presentation: Aug. 6, Oral.
13)
Off-Angle Dependence of Homoepitaxial Growth on (010) β-Ga2O3 Substrate,
Hisashi Murakami, Kyohei Nitta, and Yoshinao Kumagai
Presentation: Aug. 7, Oral.
15th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2024), Aug. 26-29, Sendai Sunplaza Hotel, Miyagi, Japan
14)
(Invited) Vertical Ga2O3 (010) FinFETs with (100) Sidewalls Treated by Nitrogen Radical Irradiation
M. Higashiwaki, Z. Wang, S. Sato, K. Eguchi, K. Nakaoka, S. Taniguchi, T. Kamimura, H. Murakami,
and Y. Kumagai
Presentation: Aug. 27, Oral.
The 49th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz 2024), Sep. 1-6, 2024, The University Club of Western Australia, Perth, Australia
15)
Temperature Dependence of Conductivity Properties of Epitaxial Beta-Gallium Oxide Evaluated in Terahertz Region
Verdad C. Agulto, Shuang Liu, Kosaku Kato, Toshiyuki Iwamoto, Yoshinao Kumagai, Hisashi Murakami,
Masashi Yoshimura, Makoto Nakajima
Presentation: Sep. 3, Oral.
The 23rd International Conference on Molecular-Beam Epitaxy (ICMBE2024), Sep. 8-13, 2024, Kunibiki Messe, Matsue, Japan
16)
Effects of Nitrogen Radical Irradiation to Ga2O3 (100) Surface and Its Application to Vertical Ga2O3 FinFETs
Zhenwei Wang, Sandeep Kumar, Takafumi Kamimura, Shota Sato, Kohki Eguchi, Kura Nakaoka,
Syoki Taniguchi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Masataka Higashiwaki
Presentation: Sep. 10, Oral.
E-MRS 2024 Fall Meeting, Sep. 16-19, 2024, Warsaw University of Technology, Warsaw, Poland
17)
(Invited) High-speed growth of thick high-purity β-Ga2O3 layers by low-pressure hot-wall metalorganic vapor phase epitaxy
J. Yoshinaga, T. Okuyama, K. Ikenaga, K. Shiina, Y. Ban, Y. Kumagai
Presentation: Sep. 16, Oral.
第85回応用物理学会秋季学術講演会, 2024年9月16日-20日, 朱鷺メッセほか2会場＆オンライン
18)
MOVPE法によるSiドープβ-Ga2O3(010)ホモエピタキシャル成長
窪田 翔海, 吉永 純也, 奥山 貴仁, 寺内 悠真, 佐々木 捷悟, 池永 和正, 椎名 一成, 小関 修一,
伴 雄三郎, 熊谷 義直
9月18日発表, 18p-A22-4, 現地口頭.
19)
トリメチルガリウム系MOVPEによるβ-Ga2O3成長メカニズムの調査
寺内 悠真, 奥山 貴仁, 窪田 翔海, 吉永 純也, 佐々木 捷悟, 石川 真人, 熊谷 義直
9月18日発表, 18p-A22-5, 現地口頭.
20)
Temperature Dependence Analysis for β-Ga2O3 Studied by Terahertz Time-Domain Spectroscopy
Shuang Liu, Verdad C. Agulto, Toshiyuki Iwamoto, Kosaku Kato, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai,
Masashi Yoshimura, and Makoto Nakajima
9月18日発表, 18p-B2-5, 現地口頭.
43rd Electronic Materials Symposium (EMS-43), Oct. 2-4, 2024, Grand Mercure Nara Kashihara, Nara, Japan
21)
Mass spectrometric analysis of vapor phase reactions for epitaxial growth of group-III sesquioxides
T. Okuyama, Y. Terauchi, K. Kubota, J. Yoshinaga, S. Sasaki, M. Ishikawa, Y. Takinami, and Y. Kumagai
Presentation: Oct. 3, Th1-9, Poster.
22)
(Invited) Growth of β-Ga2O3 Layers Using Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
Y. Kumagai
Presentation: Oct. 3, Th3-1, Oral.
第53回結晶成長国内会議 (JCCG-53), 2024年11月18日-20日, 工学院大学新宿キャンパス
23)
(Invited) MOVPE法によるパワーデバイス向けβ-Ga2O3ホモエピウェハの開発
吉永 純也, 奥山 貴仁, 窪田 翔海, 寺内 悠真, 佐々木 捷悟, 池永 和正, 椎名 一成, 小関 修一,
伴 雄三郎, 熊谷 義直
11月18日発表, 18p-A10, 口頭.
24)
β-(AlxGa1-x)2O3のMOVPE成長のためのTMGaおよびTMAlの熱分解・燃焼挙動の調査
寺内 悠真, 奥山 貴仁, 窪田 翔海, 吉永 純也, 佐々木 捷悟, 石川 真人, 瀧浪 欣彦, 熊谷 義直
11月19日発表, 19a-B02, 口頭.＜講演奨励賞受賞＞賞状
25)
テトラメチルシランを用いたSiドープβ-Ga2O3(010)ホモエピタキシャル層のMOVPE成長
窪田 翔海, 吉永 純也, 奥山 貴仁, 寺内 悠真, 佐々木 捷悟, 池永 和正, 椎名 一成, 小関 修一,
伴 雄三郎, 熊谷 義直
11月19日発表, 19a-B03, 口頭.＜講演奨励賞受賞＞賞状
26)
熱力学解析を用いたMBE法による(AlxGa1-x)2O3混晶成長の検討
富樫 理恵, 東脇 正高, 熊谷 義直
11月19日発表, 19a-B04，口頭.
27)
固体AlCl3を用いたHVPE法によるAlNの高速ホモエピタキシャル成長
鈴木 智尋, 額賀 俊成, 西田 幸生, 甲斐 隆行, 土谷 正彦, 笹倉 賢, 熊谷 義直
11月20日発表, 20a-B01, 口頭.＜講演奨励賞受賞＞賞状
28)
HVPE法によるβ-Ga2O3成長におけるGaCl先行供給の効果
角田 健太郎, 河野 有佑, 熊谷 義直
11月20日発表, 20p-B12, 口頭.
応用物理学会結晶工学分科会主催 第3回結晶工学講演会, 2024年11月22日, 早稲田大学西早稲田キャンパス
29)
HVPE法によるNドープβ-Ga2O3ホモエピタキシャル層成長の検討
河野 有佑, 角田 健太郎, 熊谷 義直
11月22日発表, P-11, ポスター.
先端ICTデバイスラボ・コラボレーションミーティング2025, 2025年1月10日, 情報通信研究機構小金井本所
30)
β-Ga2O3ホモエピタキシャル成長用基板表面のin situ ガスエッチング
角田 健太郎, 木川 孝俊, 河野 有佑, 大槻 匠, 上村 崇史, 東脇 正高, 熊谷 義直
1月10日発表, No. 27, ポスター.
31)
Fabrication and Electrical Characteristics of Ga2O3 FinFETs on β-Ga2O3 (010) Substrates with on-axis (100)-plane Gate Sidewalls
Zhenwei Wang, Sandeep Kumar, Takafumi Kamimura, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai,
and Masataka Higashiwaki
1月10日発表, No. 28, ポスター.