令和4年度
The 9th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA 2022), Apr. 21-22, 2022, Pacifico Yokohama, Japan
1)
Modification of thermodynamic analysis model for HVPE growth of GaN at high temperatures
M. Bando, S. Matsuoka, K. Ohnishi, K. Goto, S. Nitta, H. Murakami, and Y. Kumagai
Presentation: Apr. 21, LEDIAp-02, Poster.
2)
(Invited) Investigation of dislocations in AlN layers grown on sapphire and PVT-AlN substrates
K. Goto, T. Nagashima, R. Yamamoto, G. Pozina, R. Dalmau, R. Schlesser, R. Collazo, B. Monemar,
Z. Sitar, M. Boćkowski, and Y. Kumagai
Presentation: Apr. 22, LEDIA4-02, Oral.
2022 MRS Spring Meeting & Exhibit, May 8-13, 2022, Honolulu, HI, U.S.A.
3)
3D Imaging of β-Ga2O3 Crystal Using Multiphoton-Excitation Photoluminescence
Tomoka Nishikawa, Mayuko Tsukakoshi, Ken Goto, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai,
Tomoyuki Tanikawa, Masahiro Uemukai, Ryuji Katayama
Presentation: May 13, EQ01.11.03, Oral.
2022 Virtual MRS Spring Meeting & Exhibit, May 23-25, 2022
4)
Effect of Off-Axis Angle of C-Plane Sapphire Substrate for Cubic In2O3(111) Single-Crystal Layer Growth by Halide Vapor Phase Epitaxy
Ken Goto, Akane Mori, Rie Togashi, and Yoshinao Kumagai
Presentation: May 23, EQ01.16.03, Oral.
化学工学会 反応工学部会 CVD反応分科会主催 第36回シンポジウム「ワイドバンドギャップ新材料の開拓」, 2022年7月1日, オンライン開催
5)
(Invited) β-Ga2O3結晶の気相エピタキシャル成長の現状と展望
熊谷 義直, 池永 和正, 石川 真人, 後藤 健, 村上 尚, 町田 英明, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, 東脇 正高
7月1日発表, 口頭.
The 5th U.S. Gallium Oxide Workshop (GOX 2022), Aug. 7-10, 2022, Washington D.C., U.S.A.
6)
(Keynote Lecture) Ga2O3 Device Technologies: Power Switching and High-Frequency Applications, and Beyond
M. Higashiwaki, T. Kamimura, S. Kumar, Z. Wang, T. Kitada, J. Liang, N. Shigekawa, H. Murakami,
Y. Kumagai
Presentation: Aug. 8, KEY1-2, Oral.
15th Asia Pacific Physics Conference (APPC15), Aug. 21-26, 2022, Online
7)
(Invited) Ga2O3 device physics and engineering for power electronics and new directions
Masataka Higashiwaki, Takafumi Kamimura, Sandeep Kumar, Zhenwei Wang, Takahiro Kitada,
Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa, Hisashi Murakami, and Yoshinao Kumagai
Presentation: Aug. 25, K18.02, Oral.
第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年9月20日-23日, ハイブリッド開催（東北大学川内北キャンパス＋オンライン）
8)
MBE法によるⅢ族セスキ酸化物結晶成長の熱力学的検討
富樫 理恵, 石田 遥夏, 後藤 健, 東脇 正高, 熊谷 義直
9月20日発表, 20p-B203-14, オンライン口頭.
9)
トリエチルガリウムおよびジエチルガリウムエトキシドをⅢ族原料に用いたβ-Ga2O3のMOVPE成長
の比較
後藤 健, 西村 太郎, 外里 遥, 池永 和正, 佐々木 捷悟, 石川 真人, 町田 英明, 熊谷 義直
9月20日発表, 20p-B203-15, オンライン口頭.
10)
MOVPE法によるβ-Ga2O3基板上ホモエピタキシャル成長の成長温度依存性
池永 和正, 西村 太郎, 後藤 健, 石川 真人, 町田 英明, 上野 智雄, 熊谷 義直
9月20日発表, 20p-B203-16, オンライン口頭.
11)
飛行時間型質量分析によるβ-Ga2O3の有機金属気相成長の解析
外里 遥, 西村 太郎, 池永 和正, 佐々木 捷悟, 後藤 健, 石川 真人, 町田 英明, 熊谷 義直
9月21日発表, 21p-B203-2, オンライン口頭.
12)
Mist CVD法により成長したα-In2O3薄膜のキャリア濃度とホール移動度の温度依存性
田口 義士, 尾沼 猛儀, 後藤 健, 金子 健太郎, 熊谷 義直, 本田 徹, 藤田 静雄, 山口 智広
9月21日発表, 21p-B203-14, オンライン口頭.
41st Electronic Materials Symposium (EMS-41), Oct. 19-21, 2022, THE KASHIHARA, Nara, Japan
13)
Temperature dependence of carrier concentration and Hall mobility in alpha-In2O3 films grown
by mist CVD method
A. Taguchi, T. Onuma, K. Goto, K. Kaneko, Y. Kumagai, T. Honda, S. Fujita, and T. Yamaguchi
Presentation: Oct. 19, We1-10, Poster.
The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO 2022), Oct. 23-27, 2022,THE SAIHOKUKAN HOTEL, Nagano, Japan
14)
Growth of β-Ga2O3 layers on a 6-inch wafer using halide vapor-phase epitaxy
K. Naito, Y. Shimizu, K. Sasaki, K. Goto, and Y. Kumagai
Presentation: Oct. 24, Pos 1-06, Poster.
15)
Time-of-flight mass spectrometric study of Ga2O3 growth system in a metalorganic vapor phase
epitaxy reactor
H. Tozato, K. Goto, T. Nishimura, K. Ikenaga, S. Sasaki, M. Ishikawa, H. Machida, and Y. Kumagai
Presentation: Oct. 24, Pos 1-10, Poster.
16)
Comparison of metalorganic vapor phase epitaxy of β-Ga2O3 using triethylgallium and diethylgallium ethoxide
K. Goto, T. Nishimura, H. Tozato, S. Sasaki, K. Ikenaga, M. Ishikawa, H. Machida, and Y. Kumagai
Presentation: Oct. 24, Pos 1-11, Poster.
17)
Temperature dependence of homoepitaxial layer growth by MOVPE on (010) β-Ga2O3 substrate
K. Ikenaga, T. Nishimura, K. Goto, M. Ishikawa, H. Machida, T. Ueno, and Y. Kumagai
Presentation: Oct. 24, Pos 1-19, Poster.
18)
(Late News) Growth of α-In2O3 films with different concentrations of In2O3 powder used as source precursor by mist CVD
A. Taguchi, K. Kaneko, K. Goto, T. Onuma, T. Honda, Y. Kumagai, S. Fujita, and T. Yamaguchi
Presentation: Oct. 24, Pos 1-L1, Poster.
19)
Gallium vacancy in β-Ga2O3: An electron paramagnetic resonance and theoretical study
N. T. Son, Q. D. Ho, K. Goto, H. Abe, T. Ohshima, B. Monemar, Y. Kumagai, T. Frauenheim,
and P. Deák
Presentation: Oct. 25, Char 1-3, Oral.
20)
Three-dimensional feature of nanopipes in EFG-grown (010) β-Ga2O3 crystal characterized
by multiphoton-excitation photoluminescence
T. Nishikawa, M. Tsukakoshi, K. Goto, H. Murakami, Y. Kumagai, M. Uemukai, T. Tanikawa,
and R. Katayama
Presentation: Oct. 25, Pos 2-09, Poster.
21)
Characterization of electrical properties of β-Ga2O3 epilayer using terahertz time-domain ellipsometry
T. Iwamoto, V. C. Agulto, S. Liu, Y. Wang, V. K. Mag-usara, T. Fujii, K. Goto, Y. Kumagai,
and M. Nakajima
Presentation: Oct. 25, Pos 2-13, Poster.
22)
Thermodynamic analysis of group-III sesquioxide growth by molecular beam epitaxy
R. Togashi, H. Ishida, K. Goto, M. Higashiwaki, and Y. Kumagai
Presentation: Oct. 26, Theo 1-4, Oral.
日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第14回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会, 2022年11月24日-26日, 宇部市文化会館
23)
トリエチルガリウムまたはジエチルガリウムエトキシドを用いた有機金属気相成長法によるβ-Ga2O3成長の比較
西村 太郎, 外里 遥, 池永 和正, 佐々木 捷悟, 石川 真人, 町田 英明, 後藤 健, 熊谷 義直
11月24日発表, Th-P11, ポスター.
24)
HVPE法によるβ-Ga2O3(010)基板上へのNドープ層のホモエピタキシャル成長
田中 舞, 三浦 大, 後藤 健, 熊谷 義直
11月24日発表, Th-P12, ポスター.
25)
飛行時間型質量分析器を用いたβ-Ga2O3有機金属気相成長のその場解析
外里 遥, 西村 太郎, 池永 和正, 佐々木 捷悟, 後藤 健, 石川 真人, 町田 英明, 熊谷 義直
11月24日発表, Th-P13, ポスター.＜発表奨励賞受賞＞賞状
第70回応用物理学会春季学術講演会, 2023年3月15日-18日, ハイブリッド開催（上智大学四谷キャンパス＋オンライン）
26)
多光子励起過程を利用したβ-Ga2O33の時間分解フォトルミネッセンス分光
西河 巴賀, 谷川 智之, 本田 啓人, 後藤 健, 村上 尚, 熊谷 義直, 田中 敦之, 本田 善央, 天野 浩, 上向井 正裕, 片山 竜二
3月16日発表, 16p-E102-9, 現地口頭.