平成30年度
45th International Conference on Metallurgical Coatings and Thin Films (45th ICMCTF), Apr. 23-27, 2018, Town & Country Hotel & Convention Center, San Diego, CA, U.S.A.
1)
Optical and Electronic Properties of Monoclinic Ga2O3 Unravelled
M. Schubert, A. Mock, R. Korlacki, S. Knight, V. Darakchieva, B. Monemar, Y. Kumagai, K. Goto, M. Higashiwaki
Presentation: Apr. 26, C2-1-4, Oral.
2)
(Invited) Halide Vapor Phase Epitaxy of Ga2O3
K. Goto, Q. Thieu, D. Wakimoto, K. Sasaki, K. Konishi, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Kuramata, S. Yamakoshi
Presentation: Apr. 27, C2-3-3, Oral.
International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications '18 (LEDIA '18), Apr. 25-27, 2018, Pacifico Yokohama, Japan
3)
Thermodynamic and experimental analyses of β-Ga2O3 growth by ozone molecular beam epitaxy
N. Ueda, Y. Sawada, K. Konishi, Y. Nakata, M. Higashiwaki, and Y. Kumagai
Presentation: Apr. 27, LEDIA6-2, Oral.
4)
Heteroepitaxial growth of ε-Ga2O3 thin films on c-plane sapphire and GaN templates by HVPE
Mayuko Sato, Nao Takekawa, Keita Konishi, Hisashi Murakami and Yoshinao Kumagai
Presentation: Apr. 27, LEDIA6-3, Oral.
5)
Structural recovery of Mg-ion-implanted N-polar bulk GaN substrates by high-temperature heat treatment
S. Yamanobe, K. Yoshida, K. Konishi, S. Takashima, M. Edo, and Y. Kumagai
Presentation: Apr. 27, LEDIA7-4, Oral.
2018 International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology (CS MANTECH), May. 7-10, 2018, Hyatt Regency, Austin, TX, U.S.A.
6)
(Invited) Developments of Ga2O3 Electronic Devices for Next-Generation Power Switching
Masataka Higashiwaki, Man Hoi Wong, Keita Konishi, Chia-Hung Lin, Naoki Hatta, Kuniaki Yagi, Ken Goto, Kohei Sasaki, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai
Presentation: May. 10, 13-3, Oral.
独立行政法人日本学術振興会結晶成長の科学と技術第161委員会 第105回研究会「2025年結晶産業の未来　～光デバイス編～」, 2018年5月11日, 東京主婦会館プラザエフ
7)
(Invited) 深紫外線LED作製用単結晶AlN基板開発の進展
永島 徹, 熊谷 義直
5月11日発表, 口頭.
独立行政法人日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会 第108回研究会「ワイドギャップ半導体パワーデバイスの最前線とこれを支える結晶技術」, 2018年5月25日, 京都大学百周年時計台記念館
8)
(Invited) HVPEによるGa2O3ドリフト層エピ成長
熊谷 義直
5月25日発表, 口頭.
Compound Semiconductor Week 2018 (CSW 2018), May. 29 - Jun. 1, 2018, Massachusetts Institute of Technology, MA, U.S.A.
9)
Origin of Deep Pits Formed on (001) β-Ga2O3 Homoepitaxial Layers Grown by Halide Vapor Phase Epitaxy
Keita Konishi, Ken Goto, Hisashi Murakami, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi, Yoshinao Kumagai
Presentation: Jun. 1, Fr1PP-Ga.10, Poster.
10)
Ga2O3 Current Aperture Vertical Electron Transistors with N-Ion-Implanted Current Blocking Layer
Man Hoi Wong, Ken Goto, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Masataka Higashiwaki
Presentation: Jun. 1, Fr1PP-Ga.11, Poster.
11)
(Invited) Development of Halide Vapor Phase Epitaxy of Ga2O3 for Power Device Applications
Yoshinao Kumagai
Presentation: Jun. 1, Fr2F1.3, Oral.
19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-19), Jun. 3-8, 2018, Nara Kasugano International Forum, Nara, Japan
12)
Thermodynamic analysis on Ga2O3 growth by metalorganic vapor phase epitaxy
Sakiko Yamanobe, Kento Yoshida, Keita Konishi, and Yoshinao Kumagai
Presentation: Jun. 5, 5C-2.3, Oral.
13)
Thermodynamic analysis of metalorganic vapor phase epitaxy of BN
Ryo Miura, Kazuya Takada, Keita Konishi, Hisashi Murakami, Akinori Koukitu, and Yoshinao Kumagai
Presentation: Jun. 7, 7C-2.2, Oral.
14)
Thermodynamics on (AlxGa1-x)2O3 growth by ozone molecular beam epitaxy
Natsuki Ueda, Yohei Sawada, Keita Konishi, and Yoshinao Kumagai
Presentation: Jun. 7, P2-43, Poster.
20th Workshop on Dielectrics in Microelectronics (WODIM 2018), Jun. 10-14, 2018, Park Inn Hotel, Berlin, Germany
15)
(Invited) Reflections on the state of ultra-wide-bandgap Ga2O3 MOSFETs
M. H. Wong, Y. Nakata, C.-H. Lin, K. Sasaki, Y. Morikawa, K. Goto, A. Takeyama, T. Makino, T. Ohshima, A. Kuramata, S. Yamakoshi, H. Murakami, Y. Kumagai, and M. Higashiwaki
Presentation: Jun. 12, Oral.
14th International Conference on Modern Materials and Technologies (CIMTEC 2018), June. 4-14, 2018, Best Western Hotel Quattrotorri, Perugia, Italy
16)
(Invited) Toward Realization of Ga2O3 Transistors for Power Electronics Applications
Man Hoi Wong, Y. Nakata, C.-H. Lin, K. Sasaki, Y. Morikawa, K. Goto, A. Takeyama, T. Makino, T. Ohshima, A. Kuramata, S. Yamakoshi, H. Murakami, Y. Kumagai, M. Higashiwaki
Presentation: Jun. 14, FJ-3:IL07, Oral.
76th Device Research Conference (76th DRC), Jun. 24-27, 2018, Univ. of California, Santa Barbara, CA, U.S.A.
17)
(Invited) Recent Advances in Ga2O3 MOSFET Technologies
Masataka Higashiwaki, Man Hoi Wong, Takafumi Kamimura, Yoshiaki Nakata, Chia-Hung Lin, Ravikiran Lingaparthi, Akinori Takeyama, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima, Naoki Hatta, Kuniaki Yagi, Ken Goto, Kohei Sasaki, Shinya Watanabe, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi, Keita Konishi, Hisashi Murakami, and Yoshinao Kumagai
Presentation: Jun. 26, Oral.
2018 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2018), July. 2-4, 2018, Hotel New Tagawa, Kitakyushu, Japan
18)
Vertical Ga2O3 Schottky Barrier Diodes with a Guard Ring Formed by Nitrogen-Ion Implantation
C.-H. Lin, M. H. Wong, M. Sato, N. Takekawa, H. Murakami, Y. Kumagai, M. Higashiwaki
Presentation: July. 2, A1-4, Oral.
日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 第10回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会, 2018年7月12日-13日, 名古屋大学ES館ESホール
19)
（チュートリアル講演） ハライド気相成長法によるⅢ族セスキ酸化物半導体結晶の成長
熊谷 義直, 小西 敬太, 後藤 健, 村上 尚, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, 東脇 正高
7月12日発表, Th-T1, 口頭.
20)
有機金属気相成長法を用いたBN成長の熱力学解析
三浦 遼, 高田 和哉, 小西 敬太, 村上 尚, 纐纈 明伯, 熊谷 義直
7月12日発表, Th-P8, ポスター.
21)
MOVPE法によるGa2O3成長の熱力学解析
山野邉 咲子, 吉田 健人, 小西 敬太, 熊谷 義直
7月12日発表, Th-P22, ポスター. ＜発表奨励賞受賞＞賞状
22)
ハライド気相成長法におけるサファイアoff基板上への単結晶c-In2O3成長
長井 研太, 中畑 秀利, 小西 敬太, Plamen P. Paskov, Bo Monemar, 熊谷 義直
7月12日発表, Th-P23, ポスター.
23)
ハライド気相成長法による酸化ガリウムホモエピタキシャル層のピットの起源
小西 敬太, 後藤 健, 村上 尚, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, 熊谷 義直
7月12日発表, Th-P24, ポスター.
24)
(Invited) トリハライド気相成長法によるGaN高温高速厚膜成長
村上 尚, 竹川 直, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
7月13日発表, Fr-I1, 口頭.
25)
THVPE法を用いたGaNの高温・高速成長
大関 大輔, 竹川 直, 山口 晃, 村上 尚, 熊谷 義直, 松本 功, 纐纈 明伯
7月13日発表, Fr-P4, ポスター.
26)
THVPE法による窒化ガリウムの高速ホモエピタキシャル成長
河本 直哉, 竹川 直, 大関 大輔, 大瀧 将磨, 山口 晃, 村上 尚, 熊谷 義直, 松本 功, 纐纈 明伯
7月13日発表, Fr-P6, ポスター.
The Pacific Rim Conference on Lasers and Elctro-Optics 2018 (CLEO-PR 2018), July. 29 - Aug. 3, 2018, The Hong Kong Polytechnic University, Hong Kong
27)
Coherent Raman Microspectroscopy for Non-Contact and Non-Destructive Measurements of Carrier Concentrations in Wide-Bandgap Semiconductors
Yu Okano, Ken Goto, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi, Hisashi Murakami, Bo Monemar, Yuki Obara, Yoshinao Kumagai, Kazuhiko Misawa
Presentation: Aug. 2, Th1B.2, Oral.
The 7th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-7), Aug. 5-10, 2018, University of Warsaw, Warsaw, Poland
28)
(Invited) Thermodynamics on HVPE of Group-III Nitrides
Yoshinao Kumagai
Presentation: Aug. 6, Mo3.1, Oral.
29)
Excess Chlorine and Growth Temperature Effects of N-Polar GaN Growth via Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy and its Theoretical Study
Nao Takekawa, Daisuke Oozeki, Akira Yamaguchi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Koh Matsumoto, Akinori Koukitu
Presentation: Aug. 6, Mo3.3, Oral.
2018 E-MRS Fall Meeting and Exhibit, Sep. 17-20, 2018, Warsaw University of Technology, Warsaw, Poland
30)
(Invited) Progress in halide vapor phase epitaxy of Ga2O3
H. Murakami, K. Konishi, K. Goto, Q.-T. Thieu, K. Sasaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, M. Higashiwaki, Y. Kumagai
Presentation: Sep. 17, P.1.3, Oral.
31)
(Invited) Ga2O3 power transistors: The promise, the reality, and future directions
Man Hoi Wong, Yoshiaki Nakata, Chia-Hung Lin, Kohei Sasaki, Yoji Morikawa, Ken Goto, Akinori Takeyama, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Masataka Higashiwaki
Presentation: Sep. 20, P.14.2, Oral.
第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018年9月18日-21日, 名古屋国際会議場
32)
窒化ガリウムm面基板の高温安定性に基板オフ角が与える影響
吉田 健人, 山野邉 咲子, 小西 敬太, 高島 信也, 江戸 雅晴, 熊谷 義直
9月19日発表, 19a-146-1, 口頭.
33)
ハライド気相成長法による酸化ガリウム成長層の深いピットの発生原因
小西 敬太, 後藤 健, 村上 尚, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, 熊谷 義直
9月19日発表, 19a-224A-2, 口頭.
34)
有機金属気相成長法を用いた酸化ガリウム結晶成長の熱力学解析
山野邉 咲子, 吉田 健人, 小西 敬太, 熊谷 義直
9月19日発表, 19a-224A-6, 口頭.
35)
c面サファイアoff基板を用いたc-In2O3(111)単結晶のHVPE成長
長井 研太, 中畑 秀利, 小西 敬太, Plamen P. Paskov, Bo Monemar, 熊谷 義直
9月19日発表, 19a-224A-8, 口頭.
36)
HVPE法によるc面サファイア基板上ε-酸化ガリウム成長における酸素分圧及び成長温度の影響
竹川 直, 佐藤 万由子, 村上 尚, 熊谷 義直
9月20日発表, 20p-234A-3, 口頭.
37)
HVPE法によるサファイアおよびGaNテンプレート上ε-Ga2O3膜の成長
佐藤 万由子, 竹川 直, 小西 敬太, 村上 尚, 熊谷 義直
9月20日発表, 20p-234A-4, 口頭.
38)
窒素イオン注入を用いて作製したガードリング付き縦型Ga2O3ショットキーバリアダイオード
林 家弘, ワン マンホイ, 佐藤 万由子, 竹川 直, 小西 敬太, 村上 尚, 熊谷 義直, 東脇 正高
9月21日発表, 21p-331-2, 口頭.
39)
THVPE法を用いたN極性GaNの高温成長
大関 大輔, 竹川 直, 河本 直哉, 山口 晃, 村上 尚, 熊谷 義直, 松本 功, 纐纈 明伯
9月21日発表, 21p-146-3, 口頭.
37th Electronic Materials Symposium (EMS-37), Oct. 10-12, 2018, Hotel & Resorts Nagahama, Shiga
40)
(Invited) Fabrication of β-Ga2O3 epitaxial wafers by halide vapor phase epitaxy
Yoshinao Kumagai and Hisashi Murakami
Presentation: Oct. 11, Th2-1, Oral.
7th International Symposium on Transparent Conductive Materials (IS-TCMs 2018), Oct. 14-19, 2018, Minoa Palace Resort & Spa, Crete, Greece
41)
(Invited) Ga2O3 field-effect transistor technologies: Recent advances and future perspectives
M. Higashiwaki, M. H. Wong, A. Takeyama, T. Makino, T. Ohshima, K. Goto, K. Sasaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, H. Murakami, Y. Kumagai
Presentation: Oct. 17, BS3-I8, Oral.
独立行政法人日本学術振興会結晶加工と評価技術第145委員会 第160回研究会「ワイドギャップ半導体β-Ga2O3結晶育成と評価、デバイス応用の最前線」, 2018年10月19日, 明治大学駿河台キャンパス大学会館
42)
(Invited) HVPE法によるβ-Ga2O3結晶のエピタキシャル成長
熊谷 義直, 村上 尚, 後藤 健, 東脇 正高, 倉又 朗人, 山腰 茂伸
10月19日発表, 口頭.
The 6th Japan-China Symposium on Crystal Growth and Crystal Technology, Oct. 21-25, 2018, Senri Life Science Center, Osaka
43)
(Invited) Preparation of β-Ga2O3 epitaxial wafers by HVPE method
Yoshinao Kumagai, Ken Goto, Hisashi Murakami, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi, and Masataka Higashiwaki
Presentation: Oct. 23, I-6, Oral.
第47回結晶成長国内会議（JCCG-47）, 2018年10月31日-11月2日, 仙台市戦災復興記念館
44)
有機金属気相成長法による窒化ホウ素成長の熱力学解析
三浦 遼, 高田 和哉, 小西 敬太, 村上 尚, 纐纈 明伯, 熊谷 義直
11月1日発表, 01p-P35, ポスター.
International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018), Nov. 11-16, 2018, ANA Crowne Plaza Kanazawa, Kanazawa, Japan
45)
The effect of off-cut on thermal stability of m-plane GaN substrates
Kento Yoshida, Sakiko Yamanobe, Keita Konishi, Shinya Takashima, Masaharu Edo, Bo Monemar, and Yoshinao Kumagai
Presentation: Nov. 12, ED2-5, Oral.
46)
(Invited) Recent progress in tri-halide vapor phase epitaxy of GaN-related materials
Hisashi Murakami, Nao Takekawa, Kentaro Ema, Yoshinao Kumagai, and Akinori Koukitu
Presentation: Nov. 16, GR15-1, Oral.
47)
High temperature growth of N-polar GaN by THVPE
Daisuke Oozeki, Nao Takekawa, Naoya Kawamoto, Akira Yamaguchi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Kou Matsumoto, and Akinori Koukitu
Presentation: Nov. 16, GR15-2, Oral.
2018 MRS Fall Meeting and Exhibit, Nov. 25-30, 2018, Hynes Convention Center, Boston, MA, U.S.A.
48)
(Invited) Advances in Ga2O3 MOSFETs for Power Switching and Beyond
Masataka Higashiwaki, Man Hoi Wong, Takafumi Kamimura, Yoshiaki Nakata, Chia-Hung Lin, Akinori Takeyama, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima, Manikant Singh, James W. Pomeroy, Michael J. Uren, Michael A. Casbon, Paul J. Tasker, Ken Goto, Kohei Sasaki, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi, Martin Kuball, Hisashi Murakami and Yoshinao Kumagai
Presentation: Nov. 26, EP08.01.02, Oral.
応用物理学会結晶工学分科会×電子材料若手交流会（ISYSE） 第1回結晶工学×ISYSE合同研究会, 2018年11月29日, 工学院大学新宿キャンパス
49)
単結晶c-In2O3(111)のサファイア基板上HVPE成長における基板オフの効果
長井 研太, 中畑 秀利, 小西 敬太, Plamen P. Paskov, Bo Monemar, 熊谷 義直
11月29日発表, 2P07, ポスター.
50)
MOVPE法を用いたBN成長の熱力学解析
三浦 遼, 高田 和哉, 小西 敬太, 村上 尚, 纐纈 明伯, 熊谷 義直
11月29日発表, 2P10, ポスター.
51)
MOVPE法を用いたGa2O3結晶成長の熱力学解析
山野邉 咲子, 吉田 健人, 小西 敬太, 熊谷 義直
11月29日発表, 2P11, ポスター.
52)
分子線エピタキシー法による(AlxGa1-x)2O3混晶成長の熱力学解析
上田 菜月, 佐和田 陽平, 小西 敬太, 熊谷 義直
11月29日発表, 2P12, ポスター.
第28回日本MRS年次大会, 2018年12月18日-20日, 北九州国際会議場
53)
(Invited) Development of Vertical Gallium Oxide Power Transistors
M. Higashiwaki, M. H. Wong, C.-H. Lin, K. Goto, A. Kuramata, S. Yamakoshi, H. Murakami, and Y. Kumagai
12月19日発表, A1-I19-016, 口頭.
2019 Photonics West, Feb. 2-7, 2019, The Moscone Center, San Francisco, CA, U.S.A.
54)
(Invited) Phonon-plasmon coupling in monoclinic symmetry Ga2O3
Mathias Schubert, Alyssa Mock, Rafal Korlacki, Sean Knight, Vanya Darakchieva, B. Galazka, Guenther Wagner, Ken Goto, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Masataka Higashiwaki, James S. Speck
Presentation: Feb. 4, 10919-17, Oral.
55)
(Invited) Recent progress in vertical Ga2O3 transistors
Masataka Higashiwaki, Man Hoi Wong, Takafumi Kamimura, Yoshiaki Nakata, Chia-Hung Lin, Ken Goto, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai
Presentation: Feb. 5, 10919-22, Oral.
第66回応用物理学会春季学術講演会, 2019年3月9日-12日, 東京工業大学大岡山キャンパス
56)
(Invited) Ga2O3イオン注入技術の進展とデバイスプロセスへの適用
東脇 正高, ワン マンホイ, 林 家弘, 佐々木 公平, 後藤 健, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, 村上 尚, 熊谷 義直
3月10日発表, 10p-W922-7, 口頭.
57)
GaCl-O2-N2系およびGaCl3-O2-N2系によるε-Ga2O3気相成長の比較
佐藤 万由子, 竹川 直, 村上 尚, 熊谷 義直
3月11日発表, 11p-S011-1, 口頭.
58)
THVPE法を用いたc面サファイア基板上酸化ガリウム成長における準安定相の相制御
竹川 直, 佐藤 万由子, 村上 尚, 熊谷 義直
3月11日発表, 11p-S011-2, 口頭.
59)
窒素イオン注入を用いて作製したガードリング付き縦型Ga2O3ショットキーバリアダイオード(II)
林 家弘, 湯田 洋平, ワン マンホイ, 佐藤 万由子, 竹川 直, 小西 敬太, 綿引 達郎, 山向 幹雄, 村上 尚, 熊谷 義直, 東脇正高
3月12日発表, 12a-M121-1, 口頭.
60)
トリハライド気相成長法による格子緩和したInGaN厚膜成長
植井 里緒, 川邊 充希, 江間 研太郎, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
3月12日発表, 12a-W541-2, 口頭.
61)
Vertical Triple-Ion-Implanted β-Ga2O3 MOSFETs with Nitrogen-Doped Current Blocker
Man Hoi Wong, Ken Goto, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Masataka Higashiwaki
3月12日発表, 12a-M121-2, 口頭.
62)
β-Ga2O3 MOSFETs with Nitrogen-Ion-Implanted Back-Barrier
Man Hoi Wong, Ken Goto, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Masataka Higashiwaki
3月12日発表, 12a-M121-3, 口頭.