平成29年度
International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications '17 (LEDIA '17), Apr. 19-21, 2017, Pacifico Yokohama, Japan
1)
High temperature growth of thick InGaN layer with the indium solid composition of 10% using tri-halide vapor phase epitaxy
Naoya Matsumoto, Misaki Meguro, Kentaro Ema, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, and Akinori Koukitu
Presentation: Apr. 20, LEDp2-8, Poster.
Naoya Matsumoto, Misaki Meguro, Kentaro Ema, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, and Akinori Koukitu
Presentation: Apr. 20, LEDp2-8, Poster.
2)
Temperature dependence of In2O3 growth on (0001) sapphire by HVPE
Takayuki Suga, Shiyu Numata, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Bo Monemar, and Yoshinao Kumagai
Presentation: Apr. 20, LEDp2-13, Poster.
Takayuki Suga, Shiyu Numata, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Bo Monemar, and Yoshinao Kumagai
Presentation: Apr. 20, LEDp2-13, Poster.
3)
Wet chemical etching of MOVPE-AlN templates for evaluation of threading dislocations
Taro Mitsui, Mari Higuchi, Toru Nagashima, Toru Kinoshita, Reo Yamamoto, Bo Monemar, and Yoshinao Kumagai
Presentation: Apr. 20, LEDp2-30, Poster.
Taro Mitsui, Mari Higuchi, Toru Nagashima, Toru Kinoshita, Reo Yamamoto, Bo Monemar, and Yoshinao Kumagai
Presentation: Apr. 20, LEDp2-30, Poster.
44th International Conference on Metallurgical Coatings and Thin Films (44th ICMCTF), Apr. 24-28, 2017, Town & Country Hotel & Convention Center, San Diego, CA, U.S.A.
4)
(Invited) Application of Gallium Oxide for High-Power Electronics
M. Higashiwaki, M. H. Wong, K. Konishi, K. Sasaki, K. Goto, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Kuramata, and S. Yamakoshi
Presentation: Apr. 24, C2-1-1, Oral.
M. Higashiwaki, M. H. Wong, K. Konishi, K. Sasaki, K. Goto, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Kuramata, and S. Yamakoshi
Presentation: Apr. 24, C2-1-1, Oral.
9th International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT 2017), Jun. 18-23, 2017, Suntec, Singapore
5)
(Invited) Application of Gallium Oxide for High-Power Electronics
Masataka Higashiwaki, Man Hoi Wong, Keita Konishi, Kohei Sasaki, Ken Goto, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akito Kuramata, and Shigenobu Yamakoshi
Presentation: Jun. 20, Oral.
Masataka Higashiwaki, Man Hoi Wong, Keita Konishi, Kohei Sasaki, Ken Goto, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akito Kuramata, and Shigenobu Yamakoshi
Presentation: Jun. 20, Oral.
75th Device Research Conference (75th DRC), Jun. 25-28, 2017, University of Notre Dame, IN, U.S.A.
6)
(Late News) First Demonstration of Vertical Ga2O3 MOSFET: Planar Structure with a Current Aperture
Man Hoi Wong, Ken Goto, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, and Masataka Higashiwaki
Presentation: Jun. 26, Oral.
Man Hoi Wong, Ken Goto, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, and Masataka Higashiwaki
Presentation: Jun. 26, Oral.
日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会, 2017年7月13日-15日, 北海道大学 フロンティア応用科学研究棟
7)
高品質InGaN厚膜成長を目指した中間層導入の検討
植井 里緒, 江間 研太郎, 松本 尚也, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
7月14日発表, Fr1-3, ポスター.
植井 里緒, 江間 研太郎, 松本 尚也, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
7月14日発表, Fr1-3, ポスター.
8)
エッチピットを用いたMOVPE AlNテンプレートの貫通転位評価
樋口 真理, 三井 太朗, 永島 徹, 木下 亨, 山本 玲緒, 小西 敬太, Bo Monemar, 熊谷 義直
7月14日発表, Fr1-6, ポスター.
樋口 真理, 三井 太朗, 永島 徹, 木下 亨, 山本 玲緒, 小西 敬太, Bo Monemar, 熊谷 義直
7月14日発表, Fr1-6, ポスター.
9)
高品質窒化アルミニウムのハイドライド気相成長におけるSiドープ量制御
小西 敬太, 山本 玲緒, 富樫 理恵, 永島 徹, 木下 亨, Rafael Dalmau, Raoul Schlesser, 村上 尚, Ramón Collazo, Bo Monemar, Zlatko Sitar, 熊谷 義直
7月14日発表, Fr1-7, ポスター. ＜発表奨励賞受賞＞
賞状
小西 敬太, 山本 玲緒, 富樫 理恵, 永島 徹, 木下 亨, Rafael Dalmau, Raoul Schlesser, 村上 尚, Ramón Collazo, Bo Monemar, Zlatko Sitar, 熊谷 義直
7月14日発表, Fr1-7, ポスター. ＜発表奨励賞受賞＞
賞状
10)
トリハライド気相成長法によるInGaN系光デバイス作製に向けた膜厚制御性の検討
江間 研太郎, 松本 尚也, 植井 里緒, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
7月14日発表, Fr1-14, ポスター.
江間 研太郎, 松本 尚也, 植井 里緒, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
7月14日発表, Fr1-14, ポスター.
11)
N極性GaNの高熱耐性を利用したイオン注入プロセスの開発
吉田 健人, 小西 敬太, 高島 信也, 富樫 理恵, 江戸 雅晴, 熊谷 義直
7月14日発表, Fr1-20, ポスター.
吉田 健人, 小西 敬太, 高島 信也, 富樫 理恵, 江戸 雅晴, 熊谷 義直
7月14日発表, Fr1-20, ポスター.
The 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12)，July. 24-28, 2017, Strasbourg Convention Center, Strasbourg, France
12)
(Invited) Pursuing the Promise of Ultra-Wide-Bandgap Ga2O3 Power Device Technology
Masataka Higashiwaki, Man Hoi Wong, Keita Konishi, Kohei Sasaki, Ken Goto, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi
Presentation: July. 27, C 8.2, Oral.
Masataka Higashiwaki, Man Hoi Wong, Keita Konishi, Kohei Sasaki, Ken Goto, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi
Presentation: July. 27, C 8.2, Oral.
The 29th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-29), July. 31 - Aug. 4, 2017, Kunibiki Messe, Matsue, Japan
13)
(Invited) Gallium Oxide-Based Devices for Power Electronics and Emerging Applications
Masataka Higashiwaki, Man Hoi Wong, Keita Konishi, Kohei Sasaki, Ken Goto, Akinori Takeyama, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akito Kuramata, and Shigenobu Yamakoshi
Presentation: July. 31, MoB2-I1, Oral.
Masataka Higashiwaki, Man Hoi Wong, Keita Konishi, Kohei Sasaki, Ken Goto, Akinori Takeyama, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akito Kuramata, and Shigenobu Yamakoshi
Presentation: July. 31, MoB2-I1, Oral.
The 21st American Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ACCGE-21), July 30 - Aug. 4, 2017, Eldorado Hotel & Spa, Santa Fe, NM, U.S.A.
14)
(Invited) Latest progress in gallium oxide epitaxial growth technologies for power devices
Masataka Higashiwaki, Yoshiaki Nakata, Man Hoi Wong, Keita Konishi, Takafumi Kamimura, Ken Goto, Kohei Sasaki, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai
Presentation: Aug. 3, Oral.
Masataka Higashiwaki, Yoshiaki Nakata, Man Hoi Wong, Keita Konishi, Takafumi Kamimura, Ken Goto, Kohei Sasaki, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai
Presentation: Aug. 3, Oral.
独立行政法人日本学術振興会半導体界面制御技術第154委員会 第104回研究会「酸化物半導体：現状と今後の進展」，2017年8月7日, キャンパスイノベーションセンター（CIC）東京
15)
(Invited) 酸化ガリウムパワーデバイスの進展
東脇 正高, ワン マンホイ, 小西 敬太, 中田 義昭, 後藤 健, 佐々木 公平, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, 村上 尚, 熊谷 義直
8月7日発表, 口頭．
東脇 正高, ワン マンホイ, 小西 敬太, 中田 義昭, 後藤 健, 佐々木 公平, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, 村上 尚, 熊谷 義直
8月7日発表, 口頭．
第78回応用物理学会秋季学術講演会, 2017年9月5日-8日, 福岡国際会議場
16)
Planar Vertical Ga2O3 MOSFETs with a Current Aperture
Man Hoi Wong, Ken Goto, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Masataka Higashiwaki
9月5日発表, 5a-C17-6, 口頭．
Man Hoi Wong, Ken Goto, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Masataka Higashiwaki
9月5日発表, 5a-C17-6, 口頭．
17)
エッチピットを用いたHVPE-AlN基板の貫通転位評価
樋口 真里, 三井 太朗, 永島 徹, 山本 玲緒, 小西 敬太, Galia Pozina, Rafael Dalmau, Raoul Schlesser, Ramón Collazo, Bo Monemar, Zlatko Sitar, 熊谷 義直
9月6日発表, 6a-A301-8, 口頭．
樋口 真里, 三井 太朗, 永島 徹, 山本 玲緒, 小西 敬太, Galia Pozina, Rafael Dalmau, Raoul Schlesser, Ramón Collazo, Bo Monemar, Zlatko Sitar, 熊谷 義直
9月6日発表, 6a-A301-8, 口頭．
18)
高温AlN-HVPEにおける系内酸素がSiドープ量に与える影響
小西 敬太, 山本 玲緒, 富樫 理恵, 永島 徹, 木下 亨, Rafael Dalmau, Raoul Schlesser, 村上 尚, Ramón Collazo, Bo Monemar, Zlatko Sitar, 熊谷 義直
9月6日発表, 6a-A301-10, 口頭．
小西 敬太, 山本 玲緒, 富樫 理恵, 永島 徹, 木下 亨, Rafael Dalmau, Raoul Schlesser, 村上 尚, Ramón Collazo, Bo Monemar, Zlatko Sitar, 熊谷 義直
9月6日発表, 6a-A301-10, 口頭．
19)
ハライド気相成長法による(0001)サファイア基板上準安定相α-Ga2O3成長の検討
下川 道貴, 佐和田 陽平, 小西 敬太, 村上 尚, Bo Monemar, 熊谷 義直
9月7日発表, 7p-C17-3, 口頭．
下川 道貴, 佐和田 陽平, 小西 敬太, 村上 尚, Bo Monemar, 熊谷 義直
9月7日発表, 7p-C17-3, 口頭．
20)
異なる酸素源を用いた酸化ガリウムハライド気相成長の比較
小西 敬太, 後藤 健, 富樫 理恵, 村上 尚, 東脇 正高, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, Bo Monemar, 熊谷 義直
9月7日発表, 7p-C17-4, 口頭．
小西 敬太, 後藤 健, 富樫 理恵, 村上 尚, 東脇 正高, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, Bo Monemar, 熊谷 義直
9月7日発表, 7p-C17-4, 口頭．
21)
分子線エピタキシー法によるGa2O3結晶成長の熱力学解析
佐和田 陽平, 上田 菜月, 小西 敬太, 熊谷 義直
9月7日発表, 7p-C17-9, 口頭．
佐和田 陽平, 上田 菜月, 小西 敬太, 熊谷 義直
9月7日発表, 7p-C17-9, 口頭．
22)
ハライド気相成長法を用いた2インチ(001) β-Ga2O3基板上ホモエピタキシャル成長
脇本 大樹, ティユ クァン トゥ, 佐々木 公平, 後藤 健, 小西 敬太, 村上 尚, 倉又 朗人, 熊谷 義直, 山腰 茂伸
9月7日発表, 7p-C17-11, 口頭．
脇本 大樹, ティユ クァン トゥ, 佐々木 公平, 後藤 健, 小西 敬太, 村上 尚, 倉又 朗人, 熊谷 義直, 山腰 茂伸
9月7日発表, 7p-C17-11, 口頭．
23)
ハライド気相成長法によるIn2O3成長の温度依存性
中畑 秀利, 須賀 隆之, 小西 敬太, 富樫 理恵, 村上 尚, Plamen P. Paskov, Bo Monemar, 熊谷 義直
9月7日発表, 7p-C17-15, 口頭．
中畑 秀利, 須賀 隆之, 小西 敬太, 富樫 理恵, 村上 尚, Plamen P. Paskov, Bo Monemar, 熊谷 義直
9月7日発表, 7p-C17-15, 口頭．
24)
HVPE法を用いたIn2O3成長における成長速度の影響
須賀 隆之, 中畑 秀利, 小西 敬太, 富樫 理恵, 村上 尚, Plamen P. Paskov, Bo Monemar, 熊谷 義直
9月7日発表, 7p-C17-16, 口頭．
須賀 隆之, 中畑 秀利, 小西 敬太, 富樫 理恵, 村上 尚, Plamen P. Paskov, Bo Monemar, 熊谷 義直
9月7日発表, 7p-C17-16, 口頭．
25)
(Invited) Ga2O3電子デバイス開発の現状と展望 〜パワーデバイス、そして〜
東脇 正高, ワン マンホイ, 小西 敬太, 中田 義昭, 上村 崇史, 林 家弘, 後藤 健, 佐々木 公平, 武山 昭憲, 牧野 高紘, 大島 武, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, 村上 尚, 熊谷 義直
9月8日発表, 8p-A204-9, 口頭．
東脇 正高, ワン マンホイ, 小西 敬太, 中田 義昭, 上村 崇史, 林 家弘, 後藤 健, 佐々木 公平, 武山 昭憲, 牧野 高紘, 大島 武, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, 村上 尚, 熊谷 義直
9月8日発表, 8p-A204-9, 口頭．
2nd International Workshop on Ga2O3 and Related Materials (IWGO 2017)，Sep. 12-15, 2017, University of Parma, Parma, Italy
26)
Optical and electronic properties of monoclinic Ga2O3 unravelled
M. Schubert, A. Mock, R. Korlacki, S. Knight, V. Darakchieva, B. Monemar, H. Murakami, Y. Kumagai, K. Goto, and M. Higashiwaki
Presentation: Sep. 13, O13, Oral.
M. Schubert, A. Mock, R. Korlacki, S. Knight, V. Darakchieva, B. Monemar, H. Murakami, Y. Kumagai, K. Goto, and M. Higashiwaki
Presentation: Sep. 13, O13, Oral.
27)
Electronic properties of residual donor in unintentionally doped β-Ga2O3
N. T. Son, K. Goto, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Kuramata, M. Higashiwaki, S. Yamakoshi, and B. Monemar
Presentation: Sep. 14, O18, Oral.
N. T. Son, K. Goto, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Kuramata, M. Higashiwaki, S. Yamakoshi, and B. Monemar
Presentation: Sep. 14, O18, Oral.
28)
(Invited) Advances in Ga2O3 MOSFETs for Power and Radiation-Hard Electronics
M. H. Wong, Y. Nakata, C.-H. Lin, Y. Morikawa, K. Sasaki, K. Goto, A. Takeyama, T. Makino, T. Ohshima, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki
Presentation: Sep. 14, I8, Oral.
M. H. Wong, Y. Nakata, C.-H. Lin, Y. Morikawa, K. Sasaki, K. Goto, A. Takeyama, T. Makino, T. Ohshima, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki
Presentation: Sep. 14, I8, Oral.
29)
Homoepitaxial Growth on 2-Inch-Diameter (001) β-Ga2O3 Substrates by Halide Vapor Phase Epitaxy
Q. T. Thieu, D. Wakimoto, K. Sasaki, K. Goto, K. Konishi, H. Murakami, A. Kuramata, Y. Kumagai, and S. Yamakoshi
Presentation: Sep. 15, P74, Poster.
Q. T. Thieu, D. Wakimoto, K. Sasaki, K. Goto, K. Konishi, H. Murakami, A. Kuramata, Y. Kumagai, and S. Yamakoshi
Presentation: Sep. 15, P74, Poster.
30)
Temperature-Dependent Growth of Ga2O3 on (0001) Sapphire Substrates by Halide Vapor Phase Epitaxy
M. Shimokawa, Y. Sawada, K. Konishi, H. Murakami, B. Monemar, and Y. Kumagai
Presentation: Sep. 15, P80, Poster.
M. Shimokawa, Y. Sawada, K. Konishi, H. Murakami, B. Monemar, and Y. Kumagai
Presentation: Sep. 15, P80, Poster.
31)
Influence of Growth Rate on Halide Vapor Phase Epitaxy of c-In2O3 on c-Plane Sapphire Substrates
T. Suga, H. Nakahata, K. Konishi, R. Togashi, H. Murakami, P. P. Paskov, B. Monemar, and Y. Kumagai
Presentation: Sep. 15, P98, Poster.
T. Suga, H. Nakahata, K. Konishi, R. Togashi, H. Murakami, P. P. Paskov, B. Monemar, and Y. Kumagai
Presentation: Sep. 15, P98, Poster.
32)
(Invited) Halide Vapor Phase Epitaxy of β-Ga2O3 Homoepitaxial Layers Using O2 and H2O as Oxygen Sources
K. Konishi, K. Goto, R. Togashi, H. Murakami, M. Higashiwaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, B. Monemar, and Y. Kumagai
Presentation: Sep. 15, I11, Oral.
K. Konishi, K. Goto, R. Togashi, H. Murakami, M. Higashiwaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, B. Monemar, and Y. Kumagai
Presentation: Sep. 15, I11, Oral.
33)
Charge Trapping Processes in Ga2O3 Schottky Diodes
C. De Santi, M. Meneghini, M. H. Wong, K. Goto, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Kuramata, S. Yamakoshi, M. Higashiwaki, G. Meneghesso, and E. Zanoni
Presentation: Sep. 15, O43, Oral.
C. De Santi, M. Meneghini, M. H. Wong, K. Goto, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Kuramata, S. Yamakoshi, M. Higashiwaki, G. Meneghesso, and E. Zanoni
Presentation: Sep. 15, O43, Oral.
10th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-X)，Sep. 18-22, 2017, Hotel Nuuksio, Espoo, Finland
34)
(Invited) THVPE of GaN -current topics-
Akinori Koukitu, Nao Takekawa, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akira Yamaguchi, Koh Matsumoto
Presentation: Sep. 19, Oral.
Akinori Koukitu, Nao Takekawa, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akira Yamaguchi, Koh Matsumoto
Presentation: Sep. 19, Oral.
35)
(Invited) Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy of Thick InGaN and AlGaN Ternary Alloys
Hisashi Murakami, Kentaro Ema, Naoya Matsumoto, Machi Takahashi, Rio Uei, Yoshinao Kumagai, and Akinori Koukitu
Presentation: Sep. 22, Oral.
Hisashi Murakami, Kentaro Ema, Naoya Matsumoto, Machi Takahashi, Rio Uei, Yoshinao Kumagai, and Akinori Koukitu
Presentation: Sep. 22, Oral.
11th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2017), Oct. 8-12, 2017, Banff Centre, Banff, Alberta, Canada
36)
(Invited) Development of bulk AlN substrates for deep-UV optoelectronic devices by HVPE method
Yoshinao Kumagai, Rie Togashi, Toru Nagashima, Toru Kinoshita, Reo Yamamoto, Rafael Dalmau, Raoul Schlesser, Hisashi Murakami, Ramón Collazo, Akinori Koukitu, Bo Monemar, and Zlatko Sitar
Presentation: Oct. 10, Tu4.3, Oral.
Yoshinao Kumagai, Rie Togashi, Toru Nagashima, Toru Kinoshita, Reo Yamamoto, Rafael Dalmau, Raoul Schlesser, Hisashi Murakami, Ramón Collazo, Akinori Koukitu, Bo Monemar, and Zlatko Sitar
Presentation: Oct. 10, Tu4.3, Oral.
37)
(Late News) Influence of ambient oxygen on Si incorporation during hydride vapor phase epitaxy of AlN at high temperature
Keita Konishi, Reo Yamamoto, Rie Togashi, Toru Nagashima, Rafael Dalmau, Raoul Schlesser, Hisashi Murakami, Ramón Collazo, Bo Monemar, Zlatko Sitar, and Yoshinao Kumagai
Presentation: Oct. 10, Tu8.2, Oral.
Keita Konishi, Reo Yamamoto, Rie Togashi, Toru Nagashima, Rafael Dalmau, Raoul Schlesser, Hisashi Murakami, Ramón Collazo, Bo Monemar, Zlatko Sitar, and Yoshinao Kumagai
Presentation: Oct. 10, Tu8.2, Oral.
38)
Characterization of threading dislocations in HVPE-grown AlN substrates by wet chemical etching
Taro Mitsui, Mari Higuchi, Toru Nagashima, Toru Kinoshita, Reo Yamamoto, Galia Pozina, Rafael Dalmau, Raoul Schlesser, Ramón Collazo, Bo Monemar, Zlatko Sitar, and Yoshinao Kumagai
Presentation: Oct. 10, TP22, Poster.
Taro Mitsui, Mari Higuchi, Toru Nagashima, Toru Kinoshita, Reo Yamamoto, Galia Pozina, Rafael Dalmau, Raoul Schlesser, Ramón Collazo, Bo Monemar, Zlatko Sitar, and Yoshinao Kumagai
Presentation: Oct. 10, TP22, Poster.
39)
Thick InGaN layer with the indium solid composition over 10% using tri-halide vapor phase epitaxy
H. Murakami, K. Ema, N. Matsumoto, M. Meguro, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Koukitu
Presentation: Oct. 12, Th4.1, Oral.
H. Murakami, K. Ema, N. Matsumoto, M. Meguro, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Koukitu
Presentation: Oct. 12, Th4.1, Oral.
独立行政法人日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会 100回記念特別公開シンポジウム「ワイドギャップ半導体の基盤技術と将来展望 〜パワー半導体を中心として〜」, 2017年10月26日-27日, ロワジールホテル豊橋
40)
(Invited) 酸化ガリウムパワーデバイスの最先端
東脇 正高, 倉又 朗人, 村上 尚, 熊谷 義直
10月27日発表, 口頭．
東脇 正高, 倉又 朗人, 村上 尚, 熊谷 義直
10月27日発表, 口頭．
AVS 64th International Symposium & Exhibition, Oct. 29 - Nov. 3, 2017, Tampa Convention Center, Tampa, FL, U.S.A.
41)
(Invited) Ultra-wide-bandgap Ga2O3 Material and Electronic Device Technologies
M. Higashiwaki, M.H. Wong, K. Konishi, Y. Nakata, T. Kamimura, K. Sasaki, K. Goto, A. Takeyama, T. Makino, T. Ohshima, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Kuramata, S. Yamakoshi
Presentation: Nov. 2, EM+NS-ThA3, Oral.
M. Higashiwaki, M.H. Wong, K. Konishi, Y. Nakata, T. Kamimura, K. Sasaki, K. Goto, A. Takeyama, T. Makino, T. Ohshima, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Kuramata, S. Yamakoshi
Presentation: Nov. 2, EM+NS-ThA3, Oral.
応用物理学会結晶工学分科会 第6回結晶工学未来塾, 2017年11月2日, 東京大学駒場キャンパス
42)
分子線エピタキシー法を用いたGa2O3結晶成長の特異性
佐和田 陽平, 上田 菜月, 小西 敬太, 熊谷 義直
11月2日発表, 2P14, ポスター．
佐和田 陽平, 上田 菜月, 小西 敬太, 熊谷 義直
11月2日発表, 2P14, ポスター．
43)
HVPE法を用いたc面サファイア基板上Ga2O3成長の温度依存性の調査
下川 道貴, 佐和田 陽平, 小西 敬太, 村上 尚, Bo Monemar, 熊谷 義直
11月2日発表, 2P15, ポスター．
下川 道貴, 佐和田 陽平, 小西 敬太, 村上 尚, Bo Monemar, 熊谷 義直
11月2日発表, 2P15, ポスター．
44)
c面sapphire基板上c-In2O3のHVPE成長における成長速度の影響
長井 研太, 須賀 隆之, 中畑 秀利, 小西 敬太, 富樫 理恵, 村上 尚, Plamen P. Paskov, Bo Monemar, 熊谷 義直
11月2日発表, 2P16, ポスター．
長井 研太, 須賀 隆之, 中畑 秀利, 小西 敬太, 富樫 理恵, 村上 尚, Plamen P. Paskov, Bo Monemar, 熊谷 義直
11月2日発表, 2P16, ポスター．
45)
THVPE法を用いたGaNの高温高速成長
林田 直人, 竹川 直, 大関 大輔, 山口 晃, 村上 尚, 熊谷 義直, 松本 功, 纐纈 明伯
11月2日発表, 2P20, ポスター．
林田 直人, 竹川 直, 大関 大輔, 山口 晃, 村上 尚, 熊谷 義直, 松本 功, 纐纈 明伯
11月2日発表, 2P20, ポスター．
36th Electronic Materials Symposium (EMS-36), Nov. 8-10, 2017, Nagahama Royal Hotel, Shiga
46)
(Plenary) HVPE growth of the group III nitrides
A. Koukitu, Y. Kumagai, and H. Murakami
Presentation: Nov. 8, Oral.
A. Koukitu, Y. Kumagai, and H. Murakami
Presentation: Nov. 8, Oral.
International Workshop on UV Materials and Devices 2017 (IWUMD 2017), Nov. 14-18, 2017, Centennial Hall, Kyushu University School of Medicine, Fukuoka, Japan
47)
(Tutorial Lecture) Preparation of bulk AlN substrates by hydride vapor phase epitaxy
Yoshinao Kumagai
Presentation: Nov. 14, Oral.
Yoshinao Kumagai
Presentation: Nov. 14, Oral.
48)
High temperature growth of GaN by THVPE method
Nao Takekawa, Naoto Hayashida, Daisuke Oozeki, Akira Yamaguchi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Koh Matsumoto, Akinori Koukitu
Presentation: Nov. 15, We-P51, Poster.
Nao Takekawa, Naoto Hayashida, Daisuke Oozeki, Akira Yamaguchi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Koh Matsumoto, Akinori Koukitu
Presentation: Nov. 15, We-P51, Poster.
49)
Solid-Source Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy of Thick GaN and AlGaN using GaCl3 and AlCl3
Hisashi Murakami, Machi Takahashi, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
Presentation: Nov. 15, We-13, Oral.
Hisashi Murakami, Machi Takahashi, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
Presentation: Nov. 15, We-13, Oral.
50)
Defect selective etching of MOVPE grown AlN and HVPE grown bulk AlN substrates in a molten KOH/NaOH eutectic
Mari Higuchi, Taro Mitsui, Toru Nagashima, Reo Yamamoto, Keita Konishi, Galia Pozina, Rafael Dalmau, Raoul Schlesser, Ramón Collazo, Bo Monemar, Zlatko Sitar, and Yoshinao Kumagai
Presentation: Nov. 16, Th-P51, Poster.
Mari Higuchi, Taro Mitsui, Toru Nagashima, Reo Yamamoto, Keita Konishi, Galia Pozina, Rafael Dalmau, Raoul Schlesser, Ramón Collazo, Bo Monemar, Zlatko Sitar, and Yoshinao Kumagai
Presentation: Nov. 16, Th-P51, Poster.
51)
Thermodynamic analysis on molecular beam epitaxy of Ga2O3
Yohei Sawada, Natsuki Ueda, Keita Konishi, and Yoshinao Kumagai
Presentation: Nov. 16, Th-17, Oral.
Yohei Sawada, Natsuki Ueda, Keita Konishi, and Yoshinao Kumagai
Presentation: Nov. 16, Th-17, Oral.
The 4th International Conference on Advanced Electromaterials (ICAE 2017), Nov. 21-24, 2017, Ramada Plaza Jeju Hotel, Jeju, Korea
52)
(Invited) Unlocking the Potential of Ga2O3 MOSFETs for Power Electronics
Man Hoi Wong, Kohei Sasaki, Yoshiaki Nakata, Chia-Hung Lin, Yoji Morikawa, Ken Goto, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi, Masataka Higashiwaki
Presentation: Nov. 21, S10-0284, Oral.
Man Hoi Wong, Kohei Sasaki, Yoshiaki Nakata, Chia-Hung Lin, Yoji Morikawa, Ken Goto, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi, Masataka Higashiwaki
Presentation: Nov. 21, S10-0284, Oral.
2017 Workshop on Innovative Nanoscale Devices and Systems (WINDS 2017), Nov. 26 - Dec. 1, 2017, Hapuna Beach Prince Hotel, Kohala Coast, HI, U.S.A.
53)
(Invited) Recent achievements in Ga2O3 MOSFET technology
Masataka Higashiwaki, Man Hoi Wong, Yoshiaki Nakata, Chia-Hung Lin, Akinori Takeyama, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima, Naoki Hatta, Kuniaki Yagi, Ken Goto, Kohei Sasaki, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi, Hisashi Murakami, and Yoshinao Kumagai
Presentation: Nov. 27, Oral.
Masataka Higashiwaki, Man Hoi Wong, Yoshiaki Nakata, Chia-Hung Lin, Akinori Takeyama, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima, Naoki Hatta, Kuniaki Yagi, Ken Goto, Kohei Sasaki, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi, Hisashi Murakami, and Yoshinao Kumagai
Presentation: Nov. 27, Oral.
第46回結晶成長国内会議（JCCG-46）, 2017年11月27日-29日, ホテルコンコルド浜松
54)
(Invited) トリハライド気相成長法によるGaN高温厚膜成長
村上 尚, 竹川 直, 熊谷 義直, 山口 晃, 松本 功, 纐纈 明伯
11月27日発表, 27a-C02, 口頭．
村上 尚, 竹川 直, 熊谷 義直, 山口 晃, 松本 功, 纐纈 明伯
11月27日発表, 27a-C02, 口頭．
2018 Photonics West, Jan. 27 - Feb. 1, 2018, The Moscone Center, San Francisco, CA, U.S.A.
55)
(Invited) Growth of Ga2O3 and AlGaO epitaxial structures by MOCVD
Mathias Schubert, A. Mock, Rafal Korlacki, Sean Knight, Vanya Darakchieva, Bo Monemar, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Ken Goto, Masataka Higashiwaki
Presentation: Jan. 29, 10533-20, Oral.
Mathias Schubert, A. Mock, Rafal Korlacki, Sean Knight, Vanya Darakchieva, Bo Monemar, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Ken Goto, Masataka Higashiwaki
Presentation: Jan. 29, 10533-20, Oral.
56)
(Invited) Latest progress in gallium-oxide electronic devices
Masataka Higashiwaki, Man Hoi Wong, Keita Konishi, Yoshiaki Nakata, Chia-Hung Lin, Takafumi Kamimura, Lingaparthi Ravikiran, Kohei Sasaki, Ken Goto, Akinori Takeyama, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai
Presentation: Jan. 29, 10533-22, Oral.
Masataka Higashiwaki, Man Hoi Wong, Keita Konishi, Yoshiaki Nakata, Chia-Hung Lin, Takafumi Kamimura, Lingaparthi Ravikiran, Kohei Sasaki, Ken Goto, Akinori Takeyama, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai
Presentation: Jan. 29, 10533-22, Oral.
第65回応用物理学会春季学術講演会, 2018年3月17日-20日, 早稲田大学西早稲田キャンパス
57)
HVPE法によるAlGaNの薄膜成長
田中 大輝, 永松 謙太郎, 山田 永, 山田 寿一, 熊谷 義直, 新田 州吾, 本田 善央, 清水 三聡, 天野 浩
3月18日発表, 18a-E202-8, 口頭．
田中 大輝, 永松 謙太郎, 山田 永, 山田 寿一, 熊谷 義直, 新田 州吾, 本田 善央, 清水 三聡, 天野 浩
3月18日発表, 18a-E202-8, 口頭．
58)
Current Aperture Vertical Ga2O3 MOSFETs with N-Ion-Implanted Current Blocking Layer
Man Hoi Wong, Ken Goto, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Masataka Higashiwaki
3月18日発表, 18p-C302-19, 口頭．
Man Hoi Wong, Ken Goto, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Masataka Higashiwaki
3月18日発表, 18p-C302-19, 口頭．