平成28年度
2016 E-MRS Spring Meeting and Exhibit, May. 2-6, 2016, Congress Center in Lille, Lille, France
1)
(Invited) Gallium oxide-based devices for power electronics and beyond
M. Higashiwaki, M. H. Wong, K. Konishi, K. Sasaki, T. Kamimura, K. Goto, K. Nomura, Q. T. Thieu, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, B. Monemar, A. Koukitu, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi
Presentation: May. 4, L.VIII.1, Oral.
International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications '16 (LEDIA '16), May. 18-20, 2016, Pacifico Yokohama, Japan
2)
High temperature growth of thick InGaN layers using tri-halide vapor phase epitaxy
M. Meguro, T. Hirasaki, T. Hasegawa, Q. T. Thieu, H. Murakami, Y. Kumagai, B. Monemar, and A. Koukitu
Presentation: May. 19, 19a-LED3-5, Oral.
3)
Growth of In2O3 by Halide Vapor Phase Epitaxy
S. Numata, R. Togashi, K. Goto, H. Murakami, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and Y. Kumagai
Presentation: May. 19, 19a-LED3-9, Oral.
応用物理学会結晶工学分科会 第145回研究会「ワイドギャップ半導体を支えるバルク基板とエピ技術」, 2016年6月3日, 名古屋大学東山キャンパス
4)
(Invited) HVPE法によるn形AlNバルク基板作製の検討
熊谷 義直, 富樫 理恵, 山本 玲緒, 永島 徹, 木下 亨, 村上 尚, Monemar Bo, 纐纈 明伯
6月3日発表, 口頭.
5)
(Invited) Ga2O3基板とホモ/ヘテロエピタキシャル成長技術
佐々木 公平, 倉又 朗人, 増井 建和, 後藤 健, 森島 嘉克, 飯塚 和幸, ティユ クァン トゥ, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, モネマー ボ, 東脇 正高, 山腰 茂伸
6月3日発表, 口頭.
74th Device Research Conference (74th DRC), Jun. 19-22, 2016, University of Delaware, Newark, DE, U.S.A.
6)
(Late News) Ga2O3 Field-Plated Schottky Barrier Diodes with a Breakdown Voltage of Over 1 kV
Keita Konishi, Ken Goto, Quang Tu Thieu, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Bo Monemar, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi, and Masataka Higashiwaki
Presentation: Jun. 21, Oral.
2016 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2016), Jul. 4-6, 2016, Hakodate Kokusai Hotel, Hakodate, Japan
7)
(Invited) Recent advances in gallium oxide device technologies
M. Higashiwaki, M. H. Wong, K. Konishi, K. Sasaki, K. Goto, Q. T. Thieu, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, B. Monemar, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi
Presentation: Jul. 5, A5-1, Oral.
35th Electronic Materials Symposium (EMS-35), Jul. 6-8, 2016, Laforet Biwako, Shiga
8)
High temperature growth of thick InGaN ternary alloy by tri-halide vapor phase epitaxy
N. Matsumoto, M. Meguro, K. Ema, Q.-T. Thieu, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Koukitu
Presentation: Jul. 7, Th2-6, Poster.
9)
(Invited) Recent progress in development of gallium oxide power devices
M. Higashiwaki, M. H. Wong, K. Konishi, K. Sasaki, K. Goto, Q. T. Thieu, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, B. Monemar, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi
Presentation: Jul. 8, Fr1-1, Oral.
応用物理学会応用電子物性分科会 研究例会「酸化物材料の基礎物性とその応用」, 2016年7月29日, 首都大学東京秋葉原サテライトキャンパス
10)
(Invited) 酸化ガリウムパワーデバイス開発の進捗状況
東脇 正高, ワン マンホイ, 小西 敬太, 佐々木 公平, 後藤 健, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, モネマー ボ, 倉又 朗人, 山腰 茂伸
7月29日発表, 口頭.
The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18), Aug. 7-12, 2016, Nagoya Congress Center, Nagoya, Japan
11)
(Invited) Progress of homoepitaxial growth technique of thick β-Ga2O3 layers by halide vapor phase epitaxy
Y. Kumagai, K. Nomura, K. Goto, Q.-T. Thieu, R. Togashi, K. Sasaki, K. Konishi, H. Murakami, A. Kuramata, S. Yamakoshi, B. Monemar, A. Koukitu, and M. Higashiwaki
Presentation: Aug. 9, Tu1-G04-1, Oral.
12)
(Invited) High-Speed Growth of Thick InGaN Ternary Alloy by Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy
H. Murakami, T. Hirasaki, M. Meguro, Q.-T. Thieu, R. Togashi, Y. Kumagai, B. Monemar, and A. Koukitu
Presentation: Aug. 9, Tu3-T09-1, Oral.
13)
(Invited) Point Defect Management in Bulk AlN and AlGaN Epitaxial Films
R. Collazo, I. Bryan, Z. Bryan, D. Alden, S. Mita, B. E. Gaddy, J. Tweedie, A. Franke, R. Kirste, T. Kinoshita, Y. Kumagai, A. Koukitu, D. L. Irving, and Z. Sitar
Presentation: Aug. 10, We1-T09-1, Oral.
14)
(Invited) Growth of AlN substrates by hydride vapor phase epitaxy for opto-electronic devices
T. Kinoshita, T. Nagashima, T. Obata, R. Togashi, Y. Kumagai, R. Schlesser, R. Collazo, A. Koukitu, and Z. Sitar
Presentation: Aug. 10, We1-T09-2, Oral.
15)
Influence of growth rate at 1000oC on homoepitaxial growth of β-Ga2O3 (001) by halide vapor phase epitaxy
Y. Kozakai, K. Nomura, M. Takahashi, K. Goto, K. Sasaki, Q. T. Thieu, R. Togashi, H. Murakami, M. Higashiwaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, B. Monemar, and Y. Kumagai
Presentation: Aug. 11, Th1-T04-6, Oral.
German-Japanese Gallium Oxide Technology Meeting 2016, Sep. 7-9, 2016, Leibniz Institute for Crystal Growth (IKZ), Berlin, Germany
16)
(Invited) Thick and conductivity-controlled homoepitaxial growth of β-Ga2O3 layers by halide vapor phase epitaxy
Y. Kumagai, K. Goto, R. Togashi, H. Murakami, M. H. Wong, A. Kuramata, S. Yamakoshi, B. Monemar, and M. Higashiwaki
Presentation: Sep. 7, Oral.
17)
(Invited) Progress in Ga2O3 transistor and diode technologies
M. Higashiwaki, M. H. Wong, K. Konishi, K. Sasaki, K. Goto, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, B. Monemar, A. Kuramata, and S. Yamakoshi
Presentation: Sep. 9, Oral.
第77回応用物理学会秋季学術講演会, 2016年9月13日-16日, 朱鷺メッセ
18)
(Invited) 酸化ガリウムエピ／基板開発の進展
佐々木 公平, 倉又 朗人, 増井 建和, 後藤 健, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, モネマー ボ, 東脇 正高, 山腰 茂伸
9月13日発表, 13p-A22-4, 口頭.
19)
1kV耐圧Ga2O3フィールドプレート付きショットキーバリアダイオード
小西 敬太, 後藤 健, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, Bo Monemar, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, 東脇 正高
9月15日発表, 15a-B1-3, 口頭.
11th European Conference on Silicon Carbide & Related Materials (ECSCRM 2016), Sep. 25-29, 2016, Porto Carras Grand Resort, Halkidiki, Greece
20)
(Invited) Status and Potential of Gallium Oxide Devices - a New Candidate for Future Power Semiconductor Electronics
M. Higashiwaki, M. H. Wong, K. Konishi, K. Sasaki, K. Goto, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, B. Monemar, A. Kuramata, and S. Yamakoshi
Presentation: Sep. 26, Mo2a.01, Oral.
International Workshop on Nitride Semiconductors 2016 (IWN 2016), Oct. 2-7, 2016, Hilton Orlando Lake Buena Vista, Orlando, FL, U.S.A.
21)
(Invited) Recent Progress in the Growth of AlN by HVPE on Native AlN Substrates
Toru Kinoshita, Toru Nagashima, T. Obata, Rie Togashi, R. Schlesser, Ramon Collazo, Akinori Koukitu, Yoshinao Kumagai and Zlatko Sitar
Presentation: Oct. 4, A1.2.01, Oral.
22)
(Late News) Superior Thermal Resistance of N-Polar GaN Surface over Ga-Polar GaN Surface in NH3 added N2 Ambient at High Temperatures above 1200 oC
Y. Kisanuki, R. Togashi, S. Takashima, M. Edo, H. Murakami, A. Koukitu, and Y. Kumagai
Presentation: Oct. 5, D1.6.07, Oral.
応用物理学会結晶工学分科会 第5回結晶工学未来塾, 2016年11月7日, 東京農工大学小金井キャンパス
23)
HVPE法AlN単結晶基板表面のSi蓄積の原因調査および制御の検討
佐藤 圭介, 寺尾 真人, 三井 太朗, 山本 玲緒, 富樫 理恵, 永島 徹, 木下 亨, Baxter Moody, 村上 尚, Ramon Collazo, 纐纈 明伯, Bo Monemar, Zlatko Sitar, 熊谷 義直
11月7日発表, ポスター6, ポスター.
24)
ハライド気相成長法によるc-In2O3の高温成長
沼田 至優, 富樫 理恵, 林田 真由子, 須賀 隆之, 後藤 健, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, Plamen Paskov, Bo Monemar, 熊谷 義直
11月7日発表, ポスター8, ポスター.
25)
トリハライド気相成長法を用いたN極性窒化ガリウムの高温成長
引田 和宏, 竹川 直, 松田 華蓮, 林田 直人, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
11月7日発表, ポスター37, ポスター.
独立行政法人日本学術振興会結晶成長の科学と技術第161委員会 第97回研究会「バルクワイドギャップ半導体結晶」, 2016年11月18日, 大阪MEBIC扇町
26)
(Invited) HVPE法による単結晶窒化アルミニウム基板の開発
永島 徹, 木下 亨, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
11月18日発表, 口頭.
2016 MRS Fall Meeting and Exhibit, Nov. 27 - Dec. 2, 2016, Hynes Convention Center, Boston, MA, U.S.A.
27)
Mg Ion Implantation Technology for Vertical Ga2O3 Power Devices
Man Hoi Wong, Ken Goto, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi, and Masataka Higashiwaki
Presentation: Nov. 29, EM11.3.04, Oral.
独立行政法人日本学術振興会結晶成長の科学と技術第161委員会 第98回研究会「ワイドギャップ酸化物半導体β-Ga2O3結晶成長、結晶評価、デバイス応用」, 2017年1月12日-13日, 長浜ロイヤルホテル
28)
(Invited) ハライド気相成長法による単結晶β-Ga2O3基板上高速ホモエピタキシャル成長
熊谷 義直, 村上 尚, 後藤 健, 倉又 朗人, 東脇 正高
1月12日発表, 口頭.
44th Conference on the Physics & Chemistry of Surfaces & Interfaces (PCSI-44), Jan. 15-19, 2017, La Fonda Hotel, Santa Fe, NM, U.S.A.
29)
(Invited) Current State-of-the-Art of Gallium Oxide Power Device Technology
Masataka Higashiwaki, M. H. Wong, K. Konishi, K. Sasaki, K. Goto, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, B. Monemar, A. Kuramata, and S. Yamakoshi
Presentation: Jan. 18, PCSI-WeA10, Oral.
第64回応用物理学会春季学術講演会, 2017年3月14日-17日, パシフィコ横浜
30)
Mg Ion Implantation Technology for Vertical Ga2O3 Power Devices
Man Hoi Wong, Ken Goto, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi, Masataka Higashiwaki
3月15日発表, 15p-315-15, 口頭.
31)
パワーデバイスに向けたGa2O3ウエハプロセス技術
倉又 朗人, 興 公祥, 佐々木 公平, 後藤 健, 渡辺 信也, 山岡 優, 脇本 大樹, ティユ クァン トゥ, 増井 建和, 山腰 茂伸, 村上 尚, 熊谷 義直, 東脇 正高
3月16日発表, 16p-502-8, 口頭.