平成27年度
International Conference on LED and Its Industrial Application '15 (LEDIA '15), Apr. 22-24, 2015, Pacifico Yokohama, Japan
1)
Growth of GaN on r-plane sapphire substrate by tri-halide vapor phase epitaxy
A. Shiono, N. Takekawa, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Koukitu
Presentation: Apr. 23, 23p-LEDp2-6, Poster.
2)
Calculation of thermochemical data for the growth of III-nitrides by vapor phase epitaxy
N. Takekawa, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Koukitu
Presentation: Apr. 23, 23p-LEDp2-15, Poster.
3)
Homoepitaxial growth of nitrogen doped ZnO thin layers by atmospheric pressure CVD using NO
Mayuko Hayashida, Rintaro Asakawa, Akihiko Hiroe, Song-Yun Kang, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yusaku Kashiwagi, Yoshinao Kumagai, and Akinori Koukitu
Presentation: Apr. 23, 23p-LEDp2-22,Poster.
4)
Thermal stability of group-III oxides in flows of H2 and N2
Y. Kisanuki, C. Eguchi, K. Nomura, K. Goto, Q. T. Thieu, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Kuramata, B. Monemar, and A. Koukitu
Presentation: Apr. 23, 23p-LEDp2-23, Poster.
日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 第7回窒化物半導体結晶成長講演会, 2015年5月7日-8日, 東北大学片平キャンパス
5)
トリハライド気相成長法を用いたInGaN成長におけるNH3供給分圧の影響
平崎 貴英, 長谷川 智康, 目黒 美佐稀, 村上 尚, 熊谷 義直, Bo Monemar, 纐纈 明伯
5月8日発表, Fr-17, ポスター.
応用物理学会結晶工学分科会 第143回研究会「深紫外固体発光デバイス開発・応用の最前線」, 2015年6月5日, 東京都市大学世田谷キャンパス
6)
(Invited) HVPE法AlN基板上紫外LEDの開発
木下 亨, 熊谷 義直, 井上 振一郎
6月5日発表, 口頭.
73rd Device Research Conference (73rd DRC), Jun. 21-24, 2015, Ohio State University, Columbus,OH, U.S.A.
7)
Ga2O3 Schottky Barrier Diodes with n--Ga2O3 Drift Layers Grown by HVPE
Masataka Higashiwaki, Kohei Sasaki, Ken Goto, Kazushiro Nomura, Quang Tu Thieu, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Bo Monemar, Akinori Koukitu, Akito Kuramata, and Shigenobu Yamakoshi
Presentation: Jun.22, Session Ⅱ-A, Ⅱ-A-2, Oral.
Compound Semiconductor Week 2015 (CSW 2015), Jun. 28 - Jul. 2, 2015, University of California Santa Barbara, CA, U.S.A.
8)
(Invited) Progress in Research and Development on Gallium Oxide Power Devices
Masataka Higashiwaki, Kohei Sasaki, Takafumi Kamimura, Man Hoi Wong, Ken Goto, Kazushiro Nomura, Quang Tu Thieu, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Bo Monemar, Akinori Koukitu, Akito Kuramata, Takekazu Masui, and Shigenobu Yamakoshi
Presentation: Jun. 30, Tu3AD4.1, Oral.
応用物理学会先進パワー半導体分科会 第3回研究会「次世代パワー半導体デバイスの進展」, 2015年7月9日, 産総研つくば西事業所 TIA連携棟 TIA-nanoホール
9)
(Invited) 酸化ガリウムパワーデバイス基盤技術の開発
東脇 正高, 佐々木 公平, Man Hoi Wong, 上村 崇史, 後藤 健, 野村 一城, Quang Tu Thieu, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, Bo Monemar, 纐纈 明伯, 倉又 朗人, 増井 建和, 山腰 茂伸
7月9日発表, 口頭.
10)
(Invited) HVPE法によるn型AlN基板の開発
木下 亨, 熊谷 義直
7月9日発表, 口頭.
Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Devices, Jul. 11-14, 2015 , Kyoto University, Kyoto, Japan
11)
Growth of GaN and InGaN thick epitaxial layers by tri-halide vapor phase epitaxy
Hisashi Murakami, Takahide Hirasaki, Quang Tu Thieu, Rie Togashi, Yoshinao Kumagai, Kou Matsumoto, and Akinori Koukitu
Presentation: Jul. 13, Mo-12, Oral.
34th Electronic Materials Symposium (EMS-34), Jul. 15-17, 2015, Laforet Biwako, Shiga, Japan
12)
Dependences of input InCl3 ratio and growth temperature in InGaN growth by Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy
Misaki Meguro, Takahide Hirasaki, Tomoyasu Hasegawa, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Bo Monemar, and Akinori Koukitu
Presentation: Jul. 15, We1-15, Poster.
13)
Effect of NH3 Input Partial Pressure on InGaN Growth by Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy
Takahide Hirasaki, Tomoyasu Hasegawa, Misaki Meguro, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Bo Monemar, and Akinori Koukitu
Presentation: Jul. 15, We1-16, Poster.
14)
Thermodynamic and experimental studies on homoepitaxial growth of β-Ga2O3 by halide vapor phase epitaxy
Katsuaki Kawara, Kazushiro Nomura, Ken Goto, Kohei Sasaki, Quang Tu Thieu, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Masataka Higashiwaki, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi, Bo Monemar, and Akinori Koukitu
Presentation: Jul. 15, We1-26, Poster.
第76回応用物理学会秋季学術講演会, 2015年9月13日-16日, 名古屋国際会議場
15)
トリハライド気相成長法を用いたInGaN厚膜成長
平﨑 貴英, 目黒 美佐稀, ティユ クァン トゥ, 村上 尚, 熊谷 義直, Bo Monemar, 纐纈 明伯
9月13日発表, 13p-1D-11, 口頭.
16)
HVPE法によるn型AlN基板作製と縦型ショットキーダイオードへの適用
山本 玲緒, 木下 亨, 永島 徹, 小幡 俊之, 高島 信也, 富樫 理恵, 熊谷 義直, Raoul Schlesser, Ramon Collazo, 纐纈 明伯, Zlatko Sitar
9月13日発表, 13p-1D-13, 口頭.
17)
III族酸化物結晶の熱的安定性の比較
富樫 理恵, 野村 一城, 江口 千尋, 木佐貫 裕美, 後藤 健, Quang Tu Thieu, 村上 尚, 熊谷 義直, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, Bo Monemar, 纐纈 明伯
9月15日発表, 15a-1B-8, 口頭.
18)
ハライド気相成長法によるSiドープn形β-Ga2O3(001)厚膜のホモエピタキシャル成長
野村 一城, 後藤 健, 佐々木 公平, ティユ クァン トゥ, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 東脇 正高, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, Bo Monemar, 纐纈 明伯
9月16日発表, 16p-4C-5, 口頭.
19)
HVPE成長したドリフト層を有するGa2O3ショットキーバリアダイオード
東脇 正高, 佐々木 公平, 小西 敬太, 後藤 健, 野村 一城, Quang Tu Thieu, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, Bo Monemar, 纐纈 明伯, 倉又 朗人, 山腰 茂伸
9月16日発表, 16p-4C-6, 口頭.
20)
HVPE成長したG2O3ショットキーバリアダイオードのデバイス特性温度依存性
小西 敬太, 佐々木 公平, 後藤 健, 野村 一城, Quang Tu Thieu, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, Bo Monemar, 纐纈 明伯, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, 東脇 正高
9月16日発表, 16p-4C-7, 口頭.
21)
フィールドプレート電極終端構造を設けたβ-Ga2O3ショットキーバリアダイオード
佐々木 公平, 東脇 正高, 後藤 健, 野村 一城, Quang Tu Thieu, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, Bo Monemar, 纐纈 明伯, 倉又 朗人, 山腰 茂伸
9月16日発表, 16p-4C-8, 口頭.
2015 E-MRS Fall Meeting and Exhibit, Sep. 15-18, 2015, Warsaw University of Technology, Warsaw, Poland
22)
(Invited) HVPE growth of AlN substrates for opto-electronic applications
Toru Kinoshita, Toru Nagashima, Toshiyuki Obata, Shinya Takashima, Reo Yamamoto, Rie Togashi, Yoshinao Kumagai, Raoul Schlesser, Ramón Collazo, Akinori Koukitu, and Zlatko Sitar
Presentation: Sep. 16, H.2, Oral.
2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2015), Sep. 27-30, 2015, Sapporo Convention Center, Sapporo, Japan
23)
First Demonstration of β-Ga2O3 Schottky Barrier Diode with Field Plate Edge Termination
K. Sasaki, M. Higashiwaki, K. Goto, K. Nomura, Q.T. Thieu, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, B. Monemar, A. Koukitu, A. Kuramata and S. Yamakoshi
Presentation: Sep. 29, M-5-4, Oral.
独立行政法人日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会薄膜 第131委員会合同研究会「エネルギーマネージメントデバイス」, 2015年10月2日, 京都リサーチパーク
24)
(Invited) Ga2O3パワーデバイス開発の現状と課題
東脇 正高, 佐々木 公平, 小西 敬太, Man Hoi Wong, 後藤 健, 野村 一城, Quang Tu Thieu, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, Bo Monemar, 纐纈 明伯, 倉又 朗人, 増井 建和, 山腰 茂伸
10月2日発表, 口頭.
Workshop on Oxide Electronics 22 (WOE 22), Oct. 7-9, 2015, College de France, Paris, France
25)
(Invited) Gallium Oxide Devices for Next Revolution in Power Electronics
M. Higashiwaki, K. Sasaki, T. Kamimura, M. H. Wong, K. Konishi, K. Goto, K. Nomura, Q. T. Thieu, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, B. Monemar, A. Koukitu, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi
Presentation: Oct. 8, Oral.
37th IEEE Compound Semiconductor IC Symposium (CSICS 37), Oct. 11-14, 2015, Sheraton New Orleans Hotel, LA, U.S.A.
26)
(Invited) Current Status of Gallium Oxide-Based Power Device Technology
M. Higashiwaki, K. Sasaki, M. H. Wong, T. Kamimura, K. Goto, K. Nomura, Q. T. Thieu, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, B. Monemar, A. Koukitu, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi
Presentation: Oct. 13, K.1, Oral.
第45回結晶成長国内会議（NCCG-45）, 2015年10月19日-21日, 北海道大学学術交流会館
27)
Siドープ酸化ガリウム厚膜のHVPEホモエピタキシャル成長
野村 一城, 後藤 健, 佐々木 公平, ティユ クァン トゥ, 富樫 理恵, 村上 尚, 東脇 正高, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, Bo Monemar, 纐纈 明伯, 熊谷義直
10月19日発表, 19pB08, 口頭.
28)
HVPE法によるSiドープn形AlN基板作製と縦型ショットキーバリアダイオード試作への適用
寺尾 真人, 山本 玲緒, 木下 亨, 永島 徹, 小幡 俊之, 高島 信也, 富樫 理恵, 村上 尚, Raoul Schlesser, Ramón Collazo, 纐纈 明伯, Bo Monemar, Zlatko Sitar, 熊谷 義直
10月20日発表, 20PS15, ポスター.
応用物理学会結晶工学分科会 第4回結晶工学未来塾, 2015年10月29日, 東京農工大学小金井キャンパス
29)
HVPE法AlN高温成長における基板昇降温時の炉内雰囲気が表面に与える影響
佐藤 圭介, 寺尾 真人, 東城 俊介, 田中 凌平, 富樫 理恵, 永島 徹, 木下 亨, Baxter Moody, Ramón Collazo, 村上 尚, 纐纈 明伯, Zlatko Sitar, 熊谷 義直
10月29日発表, ポスター05, ポスター.
30)
一酸化窒素を用いた常圧CVD法によるNドープZnO薄膜のホモエピタキシャル成長
林田 真由子, 淺川 倫太郎, 廣江 昭彦, 康松 潤, 富樫 理恵, 村上 尚, 柏木 勇作, 纐纈 明伯, 熊谷 義直
10月29日発表, ポスター07, ポスター.
31)
Siドープn形HVPE-AlNバルク基板の作製と縦型ショットキーバリアダイオード作製への適用
寺尾 真人, 山本 玲緒, 木下 亨, 永島 徹, 小幡 俊之, 高島 信也, 富樫 理恵, 村上 尚, Raoul Schlesser, Ramón Collazo, 纐纈 明伯, Bo Monemar, Zlatko Sitar, 熊谷 義直
10月29日発表, ポスター08, ポスター.
32)
SiCl4同時供給によるSiドープn形ホモエピタキシャルβ-Ga2O3(001)厚膜のHVPE成長
小堺 優人, 野村 一城, 河原 克明, 後藤 建, 佐々木 公平, ティユ クァン トゥ, 富樫 理恵, 村上 尚, 東脇 正高, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, Bo Monemar, 纐纈 明伯, 熊谷 義直
10月29日発表, ポスター25, ポスター.
33)
トリハライド気相成長法によるIn組成5%のInGaN厚膜(>10μm)成長
目黒 美佐稀, 平﨑 貴英, 長谷川 智康, ティユ クァン トゥ, 村上 尚, 熊谷 義直, Bo Monemar, 纐纈 明伯
10月29日発表, ポスター27, ポスター.
9th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-IX), Nov. 2-6, 2015,Hansol Oak Valley, Wonju, Korea
34)
(Invited) Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy of Thick GaN and InGaN Layers
Hisashi Murakami, Takahide Hirasaki, Quang Tu Thieu, Rie Togashi, Yoshinao Kumagai, Kou Matsumoto and Akinori Koukitu
Presentation: Nov. 4, Oral.
35)
(Invited) Thick (>10 m) and High Crystalline Quality InGaN Growth on GaN(0001) Substrate by Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy
Takahide Hirasaki, Tomoyasu Hasegawa, Misaki Meguro, Quang Tu Thieu, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Bo Monemar and Akinori Koukitu
Presentation: Nov. 4, Oral.
International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials 2015 (IWGO 2015), Nov. 3-6, 2015, Kyoto University, Kyoto, Japan
36)
Comparative Study on Thermal Stability of Group-III Oxides
R. Togashi, K. Nomura, C. Eguchi, Y. Kisanuki, K. Goto, Q. T. Thieu, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Kuramata, S. Yamakoshi, B. Monemar, and A. Koukitu
Presentation: Nov. 4, E11, Poster. ＜Young Researcher Paper Award＞
37)
Anisotropy, phonon modes and band-to-band transitions in single-crystal monoclinic beta-Ga2O3 determined by THz to VUV generalized ellipsometry
M. Schubert, R. Korlacki, S. Schoeche, V. Darakchieva, B. Monemar, K. Goto, K. Nomura, H. Murakami, Q.-T. Thieu, R. Togashi, Y. Kumagai, A. Kuramata, M. Higashiwaki, A. Koukitu, S. Yamakoshi, E. Janzén, D. Gogova, M. Schmidbauer, and Z. Galazka
Presentation: Nov. 4, E20, Poster.
38)
Si Doping of β-Ga2O3 in Halide Vapor Phase Epitaxy and its Electrical Properties
K. Goto, K. Nomura, H. Murakami, Q. T. Thieu, R. Togashi, Y. Kumagai, A. Kuramata, B. Monemar, A. Koukitu, and S. Yamakoshi
Presentation: Nov. 5, G4, Oral.
39)
Temperature-Dependent Device Characteristics of HVPE-Grown Ga2O3 Schottky Barrier Diodes
K. Konishi, K. Sasaki, K. Goto, K. Nomura, Q. T. Thieu, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, B. Monemar, A. Koukitu, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki
Presentation: Nov. 5, H4, Oral.
40)
Optical Properties of Doped and Intrinsic β-Ga2O3
I. G. Ivanov, K. Goto, K. Nomura, H. Murakami, Q.-T. Thieu, R. Togashi, Y. Kumagai, A. Kuramata, M. Higashiwaki, A. Koukitu, S. Yamakoshi, E. Janzén and B. Monemar
Presentation: Nov. 6, I4, Oral.
41)
EPR studies of defects in β-Ga2O3
N. T. Son, K. Goto, K. Nomura, H. Murakami, Q. T. Thieu, R. Togashi, Y. Kumagai, A. Kuramata, M. Higashiwaki, A. Koukitu, S. Yamakoshi, B. Monemar and E. Janzén
Presentation: Nov. 6, I6, Oral.
The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6), Nov. 8-13, 2015, Act City Hamamatsu, Japan
42)
Influence of NH3 Input Partial Pressure on N-Polarity InGaN Growth by Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy
Takahide Hirasaki, Tomoyasu Hasegawa, Misaki Meguro, Quang Tu Thieu, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Bo Monemar and Akinori Koukitu
Presentation: Nov. 10, Tu-A11, Poster.
43)
Fabrication of vertical Schottky barrier diodes on n-type freestanding AlN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy
R. Yamamoto, T. Kinoshita, T. Nagashima, T. Obata, S. Takashima, R. Togashi, Y. Kumagai, R. Schlesser, R. Collazo, A. Koukitu, and Z. Sitar
Presentation: Nov. 10, Tu-B51, Poster.
44)
Properties of point defects in AlN and high Al content AlGaN
Benjamin E. Gaddy, Zachary Bryan, Isaac Bryan, Joshua S. Harris, Kelsey J. Mirrielees, Brian D. Behrhorst, Jonathon N. Baker, Ronny Kirste, Toru Kinoshita, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu, Ramón Collazo, Zlatko Sitar, Douglas L. Irving
Presentation: Nov. 10, Tu-B62, Poster.
45)
Analysis of formation mechanism of AlN whiskers on sapphire surfaces at elevated temperature in a mixed flow of H2 and N2
K. Takada, K. Nomura, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Koukitu
Presentation: Nov. 11, We-A40, Poster.
2015 MRS Fall Meeting and Exhibit, Nov. 29 - Dec. 4, 2015, Hynes Convention Center, Boston, MA, U.S.A.
46)
Homoepitaxial Growth of Si-Doped Thick (001) β-Ga2O3 Layers by Halide Vapor Phase Epitaxy
Hisashi Murakami, Kazushiro Nomura, Ken Goto, Kohei Sasaki, Quang T. Thieu, Rie Togashi, Yoshinao Kumagai, Keita Konishi, Masataka Higashiwaki, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi, Bo A. Monemar and Akinori Koukitu
Presentation: Dec. 1, RR3.01, Oral.
18th International Workshop on Physics of Semiconductor Devices (IWPSD 2015), Dec. 7-10, 2015, Indian Institute of Science, Bangalore, India
47)
(Invited) The Challenges of Gallium Oxide Devices for Future Power Electronics
M. Higashiwaki, K. Sasaki, M. H. Wong, K. Konishi, T. Kamimura, K. Goto, K. Nomura, Q. T. Thieu, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, B. Monemar, A. Koukitu, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi
Presentation: Dec. 8, Oral.
2015 Collaborative Conference on Crystal Growth (3CG 2015), Dec. 14-17, 2015, Eaton Hotel, Hong Kong, China
48)
(Invited) Growth of Thick InGaN and GaN by Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy with High Rate
Hisashi Murakami, Takahide Hirasaki, Quang Tu Thieu, Rie Togashi, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
Presentation: Dec. 15, D17, Oral.
49)
(Invited) High speed growth of InN by HVPE realized by controlled generation of InCl3
Rie Togashi, Quang Tu Thieu, Hisashi Murakami, Yoshihiro Ishitani, Bo Monemar, Akinori Koukitu, Yoshinao Kumagai
Presentation: Dec. 15, D20, Oral.
2016 Photonics West, Feb. 13-18, 2016, The Moscone Center, San Francisco, CA, U.S.A.
50)
(Invited) High rate InN growth by two-step precursor generation hydride vapor phase epitaxy
Rie Togashi, Quang Tu Thieu, Hisashi Murakami, Yoshihiro Ishitani, Bo Monemar, Akinori Koukitu, Yoshinao Kumagai
Presentation: Feb. 15, 9748-10, Oral.
第63回応用物理学会春季学術講演会, 2016年3月19日-22日, 東京工業大学大岡山キャンパス
51)
HVPE法によるIn2O3成長の検討
沼田 至優, 富樫 理恵, 後藤 健, 村上 尚, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, 熊谷 義直
3月21日発表, 21a-S222-9, 口頭.