平成26年度
International Conference on LED and Its Industrial Application '14 (LEDIA '14), Apr. 22-24, 2014, Pacifico Yokohama, Japan
1)
Surface orientation dependence of the In-incorporation of THVPE-grown InGaN studied by first principles and statistical thermodynamics
Hisashi Murakami, Yu Fujimura, Rie Togashi, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
Presentation: Apr. 23, 23p-LED4-9, Oral.
2)
Growth of homoepitaxial ZnO thin layers by halide vapor phase epitaxy using non-hydrogenous sources
Rintaro Asakawa, Yuta Isa, Naoto Kanzaki, Song-Yun Kang, Akihiko Hiroe, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yusaku Kashiwagi, Yoshinao Kumagai, and Akinori Koukitu
Presentation: Apr. 24, 24p-LEDp6-4, Poster.
3)
Thermal stability of β-Ga2O3 substrates in mixed flows of H2 and N2
C. Eguchi, T. Fukizawa, S. Hanagata, K. Nomura, K. Goto, R. Togashi, H. Murakami, A. Kuramata, Y. Kumagai, and A. Koukitu
Presentation: Apr. 24, 24p-LEDp6-6, Poster.
4)
High-speed InN growth on yttria-stabilized zirconia (111) substrates by a two-step precursor generation HVPE system
C. Kojima, R. Togashi, R. Imai, N. Fujita, H. Saito, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Koukitu
Presentation: Apr. 24, 24p-LEDp6-16, Poster.
The 5th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-5), May. 18-22, 2014, The Westin Peachtree Plaza, Atlanta, Georgia, U.S.A.
5)
(Invited) Hydride Vapor Phase Epitaxy and Doping of AlN
Yoshinao Kumagai, Toru Nagashima, Toru Kinoshita, Baxter Moody, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Ramon Collazo, Akinori Koukitu and Zlatko Sitar
Presentation: May. 19, B2, Oral.
6)
Temperature Dependence of InN Growth on Nitrided Yttria-Stabilized Zirconia (111) Substrates Using a Novel HVPE System
Rie Togashi, Chie Kojima, Naoto Fujita, Hironobu Saito, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai and Akinori Koukitu
Presentation: May. 20, G3, Oral.
7)
(Invited) Deep UV-LEDs Fabricated of on HVPE-AlN Substrates
Toru Kinoshita, Toshiyuki Obata, Toru Nagashima, Hiroyuki Yanagi, Baxter Moody, Ramon Collazo, Shin-ichiro Inoue, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu and Zlatko Sitar
Presentation: May. 21, K1, Oral.
33rd Electronic Materials Symposium (EMS-33), Jul. 9-11, 2014, Laforet Shuzenji, Izu
8)
Influence of Growth Temperature on InGaN Growth by Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy
Takahide Hirasaki, Yuta Watanabe, Masato Ishikawa, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, and Akinori Koukitu
Presentation: Jul. 10, Th3-13, Poster.
9)
Theoretical investigation of the influence of surface orientation on In-incorporation during InGaN growth using THVPE
Yu Fujimura, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, and Akinori Koukitu
Presentation: Jul. 10, Th3-14 Poster.
10)
Selective growth of InN on patterned GaAs(110) substrate by MOVPE
Hisashi Murakami, Yusuke Kitai, Thieu Quan Tu, Yoshinao Kumagai, and Akinori Koukitu
Presentation: Jul. 10, Th3-19, Poster.
11)
Estimation of thermochemical data for the growth of group-III nitrides by the combination of first principles and statistical thermodynamic
Nao Takekawa, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, and Akinori Koukitu
Presentation: Jul. 10, Th3-21, Poster.
17th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-17), Jul. 13-18, 2014, EPFL, Lausanne, Switzerland
12)
(Plenary Talk) MOCVD growth of AlGaN alloy for DUV-LEDs
T. Kinoshita, T. Obata, T. Nagashima, H. Yanagi, B. Moody, S. Inoue, Y. Kumagai, A. Koukitu, R. Collazo, and Z. Sitar
Presentation: Jul. 15, Tue-Plenary-2, Oral.
日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 第6回窒化物半導体結晶成長講演会, 2014年7月25日-26日, 名城大学天白キャンパス
13)
（チュートリアル講演） HVPE法によるAlN単結晶自立基板の作製とそのデバイス応用
熊谷 義直, 永島 徹, 木下 亨, 村上 尚, 纐纈 明伯
7月25日発表, T-Fr-1, 口頭.
14)
第一原理計算と統計力学を用いたIII族窒化物の成長における熱化学データの算出
竹川 直, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
7月25日発表, Fr-3, ポスター.
15)
III族酸化物単結晶基板の水素・窒素雰囲気下分解の熱力学解析
江口 千尋, 蕗澤 孝紘, 野村 一城, 後藤 健, 富樫 理恵, 村上 尚, 倉又 朗人, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
7月25日発表, Fr-5, ポスター.
16)
AlN 高温HVPE成長における基板昇降温プロセスが表面に与える影響
東城 俊介, 田中 凌平, 額賀 俊成, 富樫 理恵, 永島 徹, 木下 亨, Baxter Moody, 村上 尚, Ramon Collazo, 熊谷 義直, 纐纈 明伯, Zlatko Sitar
7月25日発表, Fr-16, ポスター.
17)
AlN/sapphireテンプレート上へのSiドープAlN層のHVPE成長の検討
田中 凌平, 東城 俊介, 額賀 俊成, 富樫 理恵, 永島 徹, 木下 亨, Baxter Moody, 村上 尚, Ramon Collazo, 熊谷 義直, 纐纈 明伯, Zlatko Sitar
7月25日発表, Fr-17, ポスター.
18)
前駆体二段階生成HVPE法による高速・高温InN成長
富樫 理恵, 小島 千恵, 藤田 直人, 斉藤 広伸, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
7月25日発表, Fr-18, ポスター. ＜研究奨励賞受賞＞賞状
19)
トリハライド気相成長法を用いたr面サファイヤ基板上へのGaN成長
塩野 杏奈, 竹川 直, 藤村 侑, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
7月25日発表, Fr-22, ポスター.
International Workshop on Nitride Semiconductors 2014 (IWN2014), Aug. 24-29, 2014, Centennial Hall, Wrocław, Poland
20)
High-Speed Hydride Vapor Phase Epitaxy of InN on Nitrided Yttria-Stabilized Zirconia (111) Substrates
C. Kojima, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai and A. Koukitu
Presentation: Aug. 25, MoGO9, Oral.
21)
(Invited) Growth of AlN by Hydride Vapor Phase Epitaxy
Yoshinao Kumagai, Toru Nagashima, Toru Kinoshita, Baxter Moody, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Ramón Collazo, Akinori Koukitu and Zlatko Sitar
Presentation: Aug. 26, TuGI2, Oral.
22)
Growth of Si-Doped AlN Layers by Hydride Vapor Phase Epitaxy
R. Tanaka, S. Tojo, T. Nukaga, T. Nagashima, T. Kinoshita, B. Moody, R. Togashi, H. Murakami, R. Collazo, Y. Kumagai, A. Koukitu and Z. Sitar
Presentation: Aug. 26, TuGO3, Oral.
23)
Investigation of Ambient Gas after High-Temperature Growth of AlN by Hydride Vapor Phase Epitaxy
S. Tojo, R. Tanaka, T. Nukaga, T. Nagashima, T. Kinoshita, B. Moody, R. Togashi, H. Murakami, R. Collazo, Y. Kumagai, A. Koukitu and Z. Sitar
Presentation: Aug. 26, TuGP15, Poster.
24)
Selective nucleation of semi-polar InN on patterned GaAs(110) substrate by MOVPE
Hisashi Murakami, Yusuke Kitai, Thieu Quan Tu, Yoshinao Kumagai and Akinori Koukitu
Presentation: Aug. 26, TuGP62, Poster.
25)
Thermal Stability of Group-III Oxides in Mixed Flows of H2 and N2 for Growth of Group-III Nitrides
C. Eguchi, T. Fukizawa, K. Nomura, K. Goto, R. Togashi, H. Murakami, A. Kuramata, Y. Kumagai and A. Koukitu
Presentation: Aug. 27, WeGP4, Poster.
26)
Characterizing the role of point defects and complexes in UV absorption and emission in AlN
Benjamin E. Gaddy, Zachary A. Bryan, Isaac S. Bryan, Ronny Kirste, Jinqiao Xie, Rafael Dalmau, Baxter Moody, Yoshinao Kumagai, Toru Nagashima, Yuki Kubota, Toru Kinoshita, Akinori Koukitu, Ramon Collazo, Zlatko Sitar and Douglas L. Irving
Presentation: Aug. 27, WeBP67, Poster.
第75回応用物理学会秋季学術講演会, 2014年9月17日-20日, 北海道大学札幌キャンパス
27)
AlNのHVPE高温ホモエピタキシャル成長における基板昇降温時表面劣化の原因
東城 俊介, 田中 凌平, 額賀 俊成, 富樫 理恵, 永島 徹, 木下 亨, Baxter Moody, 村上 尚, Ramon Collazo, 熊谷 義直, 纐纈 明伯, Zlatko Sitar
9月17日発表, 17p-C5-9, 口頭.
28)
前駆体二段階生成HVPE法による窒化イットリア安定化ジルコニア(111)基板上への高速InN成長
小島 千恵, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
9月17日発表, 17p-C5-13, 口頭.
29)
（応用物理学会優秀論文賞受賞記念講演） Performance and Reliability of Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes Fabricated on AlN Substrates Prepared by Hydride Vapor Phase Epitaxy
木下 亨, 小幡 俊之, 永島 徹, 柳 裕之, Baxter Moody, 三田 清二, 井上 振一郎, 熊谷 義直, 纐纈 明伯, Zlatko Sitar
9月18日発表, 18p-C5-1, 口頭. 賞状
30)
ハライド気相成長法による酸化ガリウム成長の熱力学解析
野村 一城, 後藤 健, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, 纐纈 明伯
9月19日発表, 19p-A12-8, 口頭.
独立行政法人日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会 第91回研究会「酸化物材料の最近の進展」, 2014年9月26日, 京都大学東京オフィス
31)
(Invited) 酸化物半導体ZnOおよびGa2O3のHVPE成長
熊谷 義直
9月26日発表, 口頭.
第44回結晶成長国内会議（NCCG-44）, 2014年11月6日-8日, 学習院創立百周年記念会館
32)
水素・窒素雰囲気下におけるGa2O3分解の検討
富樫 理恵, 野村 一城, 江口 千尋, 蕗澤 孝紘, 後藤 健, 村上 尚, 熊谷 義直, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, 纐纈 明伯
11月7日発表, 07aD01, 口頭.
33)
HVPE法を用いたβ-Ga2O3結晶成長の熱力学解析
野村 一城, 後藤 健, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, 纐纈 明伯
11月7日発表, 07aD02, 口頭.
34)
一酸化窒素を用いた常圧CVD法によるZnO:N薄膜の成長
淺川 倫太郎, 神崎 直人, 林田 真由子, 廣江 昭彦, 康松 潤, 富樫 理恵, 村上 尚, 柏木 勇作, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
11月7日発表, 07aD03, 口頭.
応用物理学会結晶工学分科会 第3回結晶工学未来塾, 2014年11月13日, 学習院創立百周年記念会館
35)
トリハライド気相成長法によるInGaN成長における成長温度の影響
長谷川 智康, 平崎 貴英, 渡辺 雄太, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
11月13日発表, ポスター02, ポスター.
36)
HVPE法によるAlN/sapphireテンプレート上へのSiドープAlN成長の検討
田中 凌平, 東城 俊介, 額賀 俊成, 富樫 理恵, 永島 徹, 木下 亨, Baxter Moody, 村上 尚, Ramon Collazo, 熊谷 義直, 纐纈 明伯, Zlatko Sitar
11月13日発表, ポスター16, ポスター. ＜結晶工学分科会発表奨励賞受賞＞賞状
37)
窒化イットリア安定化ジルコニア(111)基板上への前駆体二段階生成HVPE法による高速InN成長
小島 千恵, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
11月13日発表, ポスター20, ポスター.
38)
GaCl-O2系HVPE法によるβ-Ga2O3成長の熱力学解析
野村 一城, 後藤 健, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, 纐纈 明伯
11月13日発表, ポスター21, ポスター.
39)
水素・窒素雰囲気下におけるIII族酸化物基板安定性の熱力学的調査
江口 千尋, 蕗澤 孝紘, 野村 一城, 後藤 健, 富樫 理恵, 村上 尚, 倉又 朗人, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
11月13日発表, ポスター22, ポスター.
40)
ハライド気相成長法によるβ-Ga2O3のホモエピタキシャル成長
河原 克明, 野村 一城, 後藤 健, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, 纐纈 明伯
11月13日発表, ポスター24, ポスター.
2014 MRS Fall Meeting and Exhibit, Nov. 30 - Dec. 5, 2014, Hynes Convention Center, Boston, MA, U.S.A.
41)
(Invited) Homo-Epitaxial Growth of High-Purity Films of β-Ga2O3 and ZnO by Halide Vapor Phase Epitaxy
Yoshinao Kumagai, Rie Togashi, Hisashi Murakami and Akinori Koukitu,
Presentation: Dec. 1, O2.01, Oral.
42)
Halide Vapor Phase Epitaxy of β-Ga2O3 Films on (001) β-Ga2O3 Substrate
Hisashi Murakami, Kazushiro Nomura, Ken Goto, Katsuaki Kawara, Rie Togashi, Yoshinao Kumagai, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi and Akinori Koukitu
Presentation: Dec. 1, O2.02, Oral.
43)
Predicted Properties of Point Defects and Complexes in AlN and AlGaN
Benjamin E. Gaddy, Zachary Bryan, Isaac Bryan, Ronny Kirste, Jinqiao Xie, Rafael Dalmau, Baxter Moody, Yoshinao Kumagai, Toru Nagashima, Yuki Kubota, Toru Kinoshita, Akinori Koukitu, Ramon Collazo, Zlatko Sitar and Douglas L. Irving
Presentation: Dec. 4, T12.02, Oral.
独立行政法人日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会 第92回研究会「ワイドギャップ光デバイスの最近の進展と応用」, 2014年12月12日-13日, 東レ三島総合研修センター
44)
(Invited) HVPE法AlN基板上紫外LED
木下 亨, 熊谷 義直, 井上 振一郎
12月13日発表, 7, 口頭.
10th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2014), Dec. 14-19, 2014, Sizihwan Bay, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, Taiwan
45)
Homoepitaxial Growth of ZnO Thin Layers by Halide Vapor Phase Epitaxy using Hydrogen-Free Sources
Rintaro Asakawa, Naoto Kanzaki, Song-Yun Kan, Akihiko Hiroe, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yusaku Kashiwagi, Yoshinao Kumagai, and Akinori Koukitu
Presentation: Dec. 15, Mo-O22, Oral.
46)
Thermal Stability of Ga2O3 in Mixed Gases of H2 and N2
R. Togashi, K. Nomura, C. Eguchi, T. Fukizawa, K. Goto, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Kuramata, S. Yamakoshi, A. Koukitu
Presentation: Dec. 15, Mo-O24, Oral.
47)
Temperature Dependence of InGaN Growth by Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy
T. Hirasaki, Y. Watanabe, T. Hasegawa, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Koukitu
Presentation: Dec. 16, Tu-P28, Poster.
48)
Theoretical Calculation of Thermochemical Data for the Growth of Group-III Nitrides
N. Takekawa, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Koukitu
Presentation: Dec. 16, Tu-P31, Poster.
2015 Photonics West, Feb. 7-12, 2015, The Moscone Center, San Francisco, CA, U.S.A.
49)
(Invited) High-purity and highly-transparent AlN bulk crystal growth for UVC LED application by HVPE
Yoshinao Kumagai, Toru Nagashima, Toru Kinoshita, Rie Togashi, Reo Yamamoto, Baxter Moody, Hisashi Murakami, Ramón Collazo, Akinori Koukitu and Zlatko Sitar
Presentation: Feb. 9, 9363-2, Oral.
第62回応用物理学会春季学術講演会, 2015年3月11日-14日, 東海大学湘南キャンパス
50)
水素・窒素気流中におけるβ-Ga2O3の熱的安定性の熱力学的検討
富樫 理恵, 野村 一城, 江口 千尋, 蕗澤 孝紘, 後藤 健, 村上 尚, 熊谷 義直, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, 纐纈 明伯
3月13日発表, 13p-D1-2, 口頭.
51)
ハライド気相成長法によるβ-Ga2O3基板上ホモエピタキシャル成長
野村 一城, 後藤 健, 佐々木 公平, 河原 克明, ティユ クァン トゥ, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 東脇 正高, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, Bo Monemar, 纐纈 明伯
3月13日発表, 13p-D1-6, 口頭.
52)
(Invited) III-Cl・III-Cl3混在ハライド気相成長によるIII族窒化物特異構造の形成
熊谷 義直, 富樫 理恵, ティユ クァン トゥ, 村上 尚, Bo Monemar, 纐纈 明伯
3月14日発表, 14p-B1-1, 口頭.