平成25年度
International Conference on LED and Its Industrial Application '13 (LEDIA '13), Apr. 23-25, 2013, Pacifico Yokohama, Japan
1)
Growth of Semi-polar InN Layers on GaAs(311)A and (311)B by MOVPE
Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, and Akinori Koukitu
Presentation: Apr. 23, 23p-LED1-4, Oral.
2)
High-Speed Growth of In- and N-polarity InN Using a Two-Stage Source Generation Hydride Vapor Phase Epitaxy System
R. Togashi, N. Fujita, R. Imai, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Koukitu
Presentation: Apr. 24, 24p-LEDp3-15, Poster.
3)
High-Speed Growth of InN over 10 μm/h by a Novel HVPE System
N. Fujita, R. Imai, H. Saito, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Koukitu
Presentation: Apr. 24, 24p-LEDp3-16, Poster.
4)
Deep-UV Transparent AlN Substrates Prepared by HVPE for UV-C LED Applications
T. Nukaga, R. Sakamaki, Y. Kubota, T. Nagashima, T. Kinoshita, B. Moody, J. Xie, H. Murakami,Y. Kumagai, A. Koukitu, and Z. Sitar
Presentation: Apr. 25, 25a-LED4-4, Oral.
5)
(Invited) Fabrication of DUV-LEDs on AlN Substrates
T. Kinoshita, T. Obata, T. Nagashima, H. Yanagi, J. Xie, R. Collazo, S. Inoue, Y. Kumagai, A. Koukitu, and Z. Sitar
Presentation: Apr. 25, 25a-LED4-7, Oral.
応用物理学会応用電子物性分科会 研究例会「ワイドギャップ半導体の基板から展開するデバイス　〜実用デバイスへの展開〜」, 2013年6月7日, 京都テルサ
6)
(Invited) HVPE法によるAlN基板作製と260 nm帯深紫外LEDへの応用
熊谷義直, 纐纈明伯
6月7日発表, 口頭.
2013 Collaborative Conference on Crystal Growth (3CG 2013), Jun. 10-13, 2013, WESTIN Resort & SPA CANCUN, Cancun, Mexico
7)
(Invited) Semi-polar growth of InN on GaAs(11n) substrate by MOVPE
Hisashi Murakami, Rie Togashi, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
Presentation: Jun. 10, C1, Oral.
日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 第5回窒化物半導体結晶成長講演会, 2013年6月21日-22日, 大阪大学銀杏会館
8)
三塩化ガリウムを用いたGaN高温厚膜成長
村上 尚, 宮崎 智成, 富樫 理恵, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
6月21日発表, FR09, ポスター.
9)
HVPE法による深紫外光透過性を有する高品質AlNの成長
額賀 俊成, 坂巻 龍之介, 久保田 有紀, 永島 徹, 木下 亨, B. Moody, J. Xie, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯, Z. Sitar
6月21日発表, FR15, ポスター. ＜発表奨励賞受賞＞賞状
10)
前駆体二段階生成HVPE法によるInNの高速成長の実現
藤田 直人, 斉藤 広伸, 今井 亮太, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
6月21日発表, FR19, ポスター. ＜発表奨励賞受賞＞賞状
11)
前駆体二段階生成HVPE装置を用いたIn極性およびN極性InN成長の比較検討
斉藤 広伸, 藤田 直人, 今井 亮太, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
6月21日発表, FR20, ポスター.
12)
GaAs(11n)基板上半極性InN成長の温度依存性
北井 佑典, 佐久間 文昭, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
6月21日発表, FR21, ポスター.
The 10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10), Aug. 25-30, 2013, Gaylord National Resort & Convention Center, Washington, D.C., U.S.A.
13)
Comparative Study on High-Speed InN Growth in Both In- and N-Polarities Using a Two-Stage Source Generation Hydride Vapor Phase Epitaxy System
Rie Togashi, Naoto Fujita, Ryota Imai, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai and Akinori Koukitu
Presentation: Aug. 26, A1.04, Oral.
14)
Temperature Dependence of InN Growth by a Novel HVPE System with Two-Step Generation of InCl3
Naoto Fujita, Ryota Imai, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai and Akinori Koukitu
Presentation: Aug. 26, A1.05, Oral.
15)
(Invited) DUV-LEDs Fabricated on HVPE-AlN Substrates
T. Kinoshita, T. Obata, T. Nagashima, H. Yanagi, J. Xie, R. Collazo, S. Inoue, Y. Kumagai, A. Koukitu and Z. Sitar
Presentation: Aug. 26, C3.02, Oral.
16)
Donor-Acceptor Pair Compensation and the Broad 2.8 eV Luminescence in Bulk AlN
Benjamin E. Gaddy, Zachary A. Bryan, Isaac S. Bryan, Ronny Kirste, Jinqiao Xie, Rafael Dalmau, Baxter Moody, Yoshinao Kumagai, Toru Nagashima, Yuki Kubota, Toru Kinoshita, Akinori Koukitu, Zlatko Sitar, Ramon Collazo and Douglas L. Irving
Presentation: Aug. 26, A3.11, Oral.
17)
Influence of Growth Temperature on Homo-Epitaxial Growth of AlN by HVPE on PVT-AlN Substrates
Toshinari Nukaga, Ryunosuke Sakamaki, Yuki Kubota, Toru Nagashima, Toru Kinoshita, Baxter Moody, Jinqiao Xie, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu and Zlatko Sitar
Presentation: Aug. 26, AP1.68, Poster.
18)
Vacancy Defects in UV-Transparent HVPE-AlN
Tanja Kuittinen, Filip Tuomisto, Yoshinao Kumagai, Toru Nagashima, Toru Kinoshita, Akinori Koukitu, Ramon Collazo and Zlatko Sitar
Presentation: Aug. 28, A6.10, Oral.
第74回応用物理学会秋季学術講演会, 2013年9月16日-20日, 同志社大学京田辺キャンパス
19)
高温下におけるβ-Ga2O3 (010)基板表面安定性の検討
蕗澤 孝紘, 江口 千尋, 花形 祥子, 野村 一城, 後藤 健, 富樫 理恵, 村上 尚, 倉又 朗人, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
9月16日発表, 16p-B4-2, 口頭.
20)
ハライド気相成長法によるZnO薄膜成長の酸素源の検討
神崎 直人, 伊佐 雄太, 康松 潤, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 柏木 勇作, 纐纈 明伯
9月17日発表, 17a-B4-6, 口頭.
21)
（応用物理学会優秀論文賞受賞記念講演） Preparation of a Freestanding AlN Substrate from a Thick AlN Layer Grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy on a Bulk AlN Substrate Prepared by Physical Vapor Transport
熊谷 義直, 久保田 有紀, 永島 徹, 木下 亨, Rafael Dalmau, Raoul Schlesser, Baxter Moody, Jinqiao Xie, 村上 尚, 纐纈 明伯, Zlatko Sitar
9月19日発表, 19p-B5-1, 口頭. 賞状
22)
前駆体二段階生成HVPE法によるIn極性およびN極性InNの高速成長
斉藤 広伸, 藤田 直人, 今井 亮太, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
9月19日発表, 19p-B5-6, 口頭.
2013 JSAP-MRS Joint Symposia, Sep. 16-20, 2013, Doshisha University, Kyoto, Japan
23)
(Invited) High temperature growth of thick GaN using GaCl3-NH3 system
Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
Presentation: Sep. 17, 17p-M6-1, Oral.
24)
Demonstration of high-speed growth of InN by HVPE with a two-step precursor generation scheme
Naoto Fujita, Ryota Imai, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai and Akinori Koukitu
Presentation: Sep. 17, 17p-M6-3, Oral.
25)
Dependence of InGaN-HVPE growth on group-III input partial pressure
Takahide Hirasaki, Masato Ishikawa, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai and Akinori Koukitu
Presentation: Sep. 17, 17p-M6-4, Oral.
26)
Growth of high quality AlN with deep-UV transparency by HVPE
Toshinari Nukaga, Ryunosuke Sakamaki, Yuki Kubota, Toru Nagashima, Toru Kinoshita, Baxter Moody, Jinqiao Xie, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu and Zlatko Sitar
Presentation: Sep. 18, 18a-M6-8, Oral.
8th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-VIII), Sep. 30 - Oct. 5, 2013, Kloster Seeon, Seeon, Germany
27)
(Invited, Keynote) Influence of growth parameters on homo-epitaxial growth of thick AlN layers by HVPE on PVT-AlN substrates,
Y. Kumagai, T. Nukaga, R. Sakamaki, Y. Kubota, T. Nagashima, T. Kinoshita, B. Moody, J. Xie, H. Murakami, A. Koukitu, and Z. Sitar
Presentation: Oct. 2, Oral.
28)
(Invited) Properties of homoepitaxial AlN layers grown by HVPE on PVT-AlN substrates,
T. Nagashima, Y. Kubota, R. Okayama, T. Kinoshita, B. Moody, J. Xie, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu, R. Collazo, and Z. Sitar
Presentation: Oct. 2, Oral.
29)
(Invited) High speed and high temperature growth of GaN by HVPE using GaCl3 as group III-precursor
Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
Presentation: Oct. 2, Oral.
30)
(Invited) High-Speed InN Growth Using a Novel Two-Stage Source Generation Hydride Vapor Phase Epitaxy System
R. Togashi, N. Fujita, R. Imai, H. Murakami, Y. Kumagai,and A. Koukitu
Presentation: Oct. 3, Oral.
31)
(Invited, Keynote) Hydride Vapor Phase Epitaxy of InGaN
A. Koukitu,T. Hirasaki, H. Murakami and Y. Kumagai
Presentation: Oct. 4, Oral.
第43回結晶成長国内会議（NCCG-43）, 2013年11月6日-8日, 長野市生涯学習センター
32)
前駆体二段階生成HVPE法によるInN成長の温度依存性
藤田 直人, 斉藤 広伸, 今井 亮太, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
11月7日発表, 07aB11, 口頭.
33)
前駆体二段階生成HVPE法によるIn, N各極性InN高速成長の比較検討
斉藤 広伸, 藤田 直人, 今井 亮太, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
11月7日発表, 07aB12, 口頭.
34)
HVPE炉内高温雰囲気下におけるAlN単結晶表面の劣化
坂巻 龍之介, 額賀 俊成, 平連 有紀, 永島 徹, 木下 亨, Baxter Moody, 村上 尚, R. Collazo, 熊谷 義直, 纐纈 明伯, Zlatko Sitar
11月7日発表, 07PS14, ポスター.
35)
水素・窒素雰囲気下におけるβ-Ga2O3 (010)基板表面安定性の検討
蕗澤 孝紘, 江口 千尋, 花形 祥子, 野村 一城, 後藤 健, 富樫 理恵, 村上 尚, 倉又 朗人, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
11月7日発表, 07PS18, ポスター.
36)
酸化亜鉛HVPEホモエピタキシャル成長のVI族源の比較検討
神崎 直人, 伊佐 雄太, 康松 潤, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 柏木 勇作, 纐纈 明伯
11月7日発表, 07PS20, ポスター.
37)
HVPE法によるPVT-AlN基板上ホモエピタキシャル成長における成長速度増加の検討
額賀 俊成, 坂巻 龍之介, 平連 有紀, 永島 徹, 木下 亨, B. Moody, 村上 尚, R. Collazo, 熊谷 義直, 纐纈 明伯, Z. Sitar
11月8日発表, 08aB06, 口頭.
2014 Photonics West, Feb. 1-6, 2014, The Moscone Center, San Francisco, CA, U.S.A.
38)
(Invited) Performance of DUV-LEDs fabricated on HVPE-AlN substrates
Toru Kinoshita, Toshiyuki Obata, Toru Nagashima, Hiroyuki Yanagi, Baxter Moody, Ramon Collazo, Shin-ichiro Inoue, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu, Zlatko Sitar
Presentation: Feb. 6, 8986-64, Oral.
第61回応用物理学会春季学術講演会, 2014年3月17日-20日, 青山学院大学相模原キャンパス
39)
前駆体二段階生成HVPE法により作製したInN成長層の特性評価
富樫 理恵, 斉藤 広伸, 藤田 直人, 今井 亮太, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
3月19日発表, 19p-E13-4, 口頭.
40)
InGaN成長におけるIn取り込みの面方位依存性の理論検討
藤村 侑, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
3月19日発表, 19p-E13-13, 口頭.