平成24年度
日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 第4回窒化物半導体結晶成長講演会, 2012年4月27日-28日, 東京大学生産技術研究所
1)
GaAs(311)A及び(311)B上半極性InNのMOVPE成長
堀田 哲郎, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
4月28日発表, SA-20, ポスター.
堀田 哲郎, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
4月28日発表, SA-20, ポスター.
2)
様々なハロゲン化物を原料に用いたInGaN-HVPE成長の熱力学解析
平崎 貴英, 花岡 幸史, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
4月28日発表, SA-21, ポスター.
平崎 貴英, 花岡 幸史, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
4月28日発表, SA-21, ポスター.
3)
GaAs(110)基板上半極性InN成長における水素添加効果
村上 尚, 堀田 哲郎, 富樫 理恵, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
4月28日発表, SA-22, ポスター.
村上 尚, 堀田 哲郎, 富樫 理恵, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
4月28日発表, SA-22, ポスター.
4)
(Invited) GaN自立基板上InNハイドライド気相成長における基板極性の影響
富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
4月28日発表, IN-3, 口頭.
富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
4月28日発表, IN-3, 口頭.
The 4th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-4), Jul. 16-19, 2012, St. Petersburg, Russia
5)
Thermodynamic analysis of InGaN-HVPE growth using III-bromides and III-iodides
T. Hirasaki, K. Hanaoka, H. Murakami, Y. Kumagai and A. Koukitu
Presentation: Jul. 17, Tu-32p, Poster.
T. Hirasaki, K. Hanaoka, H. Murakami, Y. Kumagai and A. Koukitu
Presentation: Jul. 17, Tu-32p, Poster.
6)
Suppression of twin formation for the growth of InN(10-1-3) on GaAs(110) by metalorganic vapor phase epitaxy
H. Murakami, S. Takenaka, T. Hotta, Y. Kumagai and A. Koukitu
Presentation: Jul. 19, Th-12o, Oral.
H. Murakami, S. Takenaka, T. Hotta, Y. Kumagai and A. Koukitu
Presentation: Jul. 19, Th-12o, Oral.
第73回応用物理学会学術講演会, 2012年9月11日-14日, 松山大学文京キャンパス
7)
Improvement of crystalline and optical properties of InN grown on nitrided (0001) sapphire with high NH3 input partial pressures by HVPE
R. Togashi, S. Yamamoto, K. F. Karlsson, H. Murakami, Y. Kumagai, P. O. Holtz, A. Koukitu
9月11日発表, 11p-H10-3, 口頭.
R. Togashi, S. Yamamoto, K. F. Karlsson, H. Murakami, Y. Kumagai, P. O. Holtz, A. Koukitu
9月11日発表, 11p-H10-3, 口頭.
8)
２段階原料生成機構を有する新規HVPE法によるInNの高速成長の検討
今井 亮太, 山本 翔, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
9月13日発表, 13a-H9-7, 口頭.
今井 亮太, 山本 翔, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
9月13日発表, 13a-H9-7, 口頭.
9)
水素・窒素混合雰囲気下の高温熱処理によるサファイア表面上AlNウィスカーの形成メカニズム
花形 祥子, 国崎 敦, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
9月13日発表, 13a-H10-8, 口頭.
花形 祥子, 国崎 敦, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
9月13日発表, 13a-H10-8, 口頭.
10)
バルクPVT基板上HVPE成長によるAlN自立基板の作製
坂巻 龍之介, 久保田 有紀, 永島 徹, 木下 亨, R. Dalmau, R. Schlesser, B. Moody, J. Xie, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯, Z. Sitar
9月13日発表, 13a-H10-9, 口頭.
坂巻 龍之介, 久保田 有紀, 永島 徹, 木下 亨, R. Dalmau, R. Schlesser, B. Moody, J. Xie, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯, Z. Sitar
9月13日発表, 13a-H10-9, 口頭.
11)
HVPE成長フリースタンディングAlN基板の異方性を考慮した分光エリプソメトリー評価
岡本 浩, 佐藤 崇信, 堤 浩一, 鈴木 道夫, 熊谷 義直, 久保田 有紀, 永島 徹, 木下 亨, R. Dalmau, R. Schlesser, B. Moody, J. Xie, 村上 尚, 纐纈 明伯, Z. Sitar
9月13日発表, 13a-H10-10, 口頭.
岡本 浩, 佐藤 崇信, 堤 浩一, 鈴木 道夫, 熊谷 義直, 久保田 有紀, 永島 徹, 木下 亨, R. Dalmau, R. Schlesser, B. Moody, J. Xie, 村上 尚, 纐纈 明伯, Z. Sitar
9月13日発表, 13a-H10-10, 口頭.
12)
PVT基板上に成長したCドープHVPE法AlN厚膜の光学特性と構造特性
永島 徹, 久保田 有紀, 木下 亨, R. Schlesser, B. Moody, J. Xie, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯, Z. Sitar
9月13日発表, 13a-H10-11, 口頭.
永島 徹, 久保田 有紀, 木下 亨, R. Schlesser, B. Moody, J. Xie, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯, Z. Sitar
9月13日発表, 13a-H10-11, 口頭.
13)
ハライド気相成長法によるm面ZnOバルク基板上へのホモエピタキシャルZnOの成長
伊佐 雄太, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
9月13日発表, 13p-H7-10, 口頭.
伊佐 雄太, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
9月13日発表, 13p-H7-10, 口頭.
International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012), Oct. 14-19, 2012, Sapporo Convention Center, Sapporo, Japan
14)
Homoepitaxial growth of thick AlN layers by HVPE on bulk AlN substrates prepared by PVT
R. Sakamaki, Y. Kubota, T. Nagashima, T. Kinoshita, R. Dalmau, R. Schlesser, B. Moody, J. Xie, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu, and Z. Sitar
Presentation: Oct. 15, MoP-GR-48, Poster.
R. Sakamaki, Y. Kubota, T. Nagashima, T. Kinoshita, R. Dalmau, R. Schlesser, B. Moody, J. Xie, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu, and Z. Sitar
Presentation: Oct. 15, MoP-GR-48, Poster.
15)
High-temperature heat-treatment of c-, a-, r- and m-plane sapphire substrates in mixed gases of H2 and N2
K. Nomura, S. Hanagata, A. Kunisaki, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Koukitu
Presentation: Oct. 15, MoP-GR-72, Poster.
K. Nomura, S. Hanagata, A. Kunisaki, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Koukitu
Presentation: Oct. 15, MoP-GR-72, Poster.
16)
Predictive Calculations of Defect Properties using Hybrid Exchange DFT: Applications to Optically Active Impurities in AlN
Benjamin E. Gaddy, Ramón Collazo, Jinqiao Xie, Zachary Bryan, Ronny Kirste, Marc Hoffmann, Rafael Dalmau, Baxter Moody, Yoshinao Kumagai, Toru Nagashima, Yuki Kubota, Toru Kinoshita, Akinori Koukitu, Zlatko Sitar, and Douglas L. Irving
Presentation: Oct. 15, MoP-PR-44, Poster.
Benjamin E. Gaddy, Ramón Collazo, Jinqiao Xie, Zachary Bryan, Ronny Kirste, Marc Hoffmann, Rafael Dalmau, Baxter Moody, Yoshinao Kumagai, Toru Nagashima, Yuki Kubota, Toru Kinoshita, Akinori Koukitu, Zlatko Sitar, and Douglas L. Irving
Presentation: Oct. 15, MoP-PR-44, Poster.
17)
Effect of high NH3 input partial pressure on hydride vapor phase epitaxy of InN using nitrided (0001) sapphire substrates
R. Togashi, S. Yamamoto, K. F. Karlsson, H. Murakami, Y. Kumagai, P. O. Holtz, and A. Koukitu
Presentation: Oct. 16, TuP-GR-55, Poster.
R. Togashi, S. Yamamoto, K. F. Karlsson, H. Murakami, Y. Kumagai, P. O. Holtz, and A. Koukitu
Presentation: Oct. 16, TuP-GR-55, Poster.
18)
HVPE growth of InN on InN/sapphire (0001) templates prepared by MBE
R. Imai, S. Yamamoto, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, T. Yamaguchi, T. Araki, Y. Nanishi, and A. Koukitu
Presentation: Oct. 16, TuP-GR-60, Poster.
R. Imai, S. Yamamoto, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, T. Yamaguchi, T. Araki, Y. Nanishi, and A. Koukitu
Presentation: Oct. 16, TuP-GR-60, Poster.
19)
MOVPE growth of semi-polar InN layers on GaAs(311)A and (311)B substrates
Hisashi Murakami, Tetsuro Hotta, Mayu Suematsu, Tadashi Ohachi, Yoshinao Kumagai, and Akinori Koukitu
Presentation: Oct. 16, TuP-GR-66, Poster.
Hisashi Murakami, Tetsuro Hotta, Mayu Suematsu, Tadashi Ohachi, Yoshinao Kumagai, and Akinori Koukitu
Presentation: Oct. 16, TuP-GR-66, Poster.
20)
Prediction of point defect behavior in nitrides using hybrid exchange DFT: Applications to the deep-UV absorption band in AlN
Zlatko Sitar, Benjamin E. Gaddy, Ramon Collazo, Jinquiao Xie, Zachary Bryan, Ronny Kirste, Marc Hoffmann, Rafael Dalmau, Baxter Moody, Yoshinao Kumagai, Toru Nagashima, Yuki Kubota, Toru Kinoshita, Akinori Koukitu, and Douglas L. Irving
Presentation: Oct. 16, TuP-LN-7, Poster.
Zlatko Sitar, Benjamin E. Gaddy, Ramon Collazo, Jinquiao Xie, Zachary Bryan, Ronny Kirste, Marc Hoffmann, Rafael Dalmau, Baxter Moody, Yoshinao Kumagai, Toru Nagashima, Yuki Kubota, Toru Kinoshita, Akinori Koukitu, and Douglas L. Irving
Presentation: Oct. 16, TuP-LN-7, Poster.
21)
On the origin of the 265 nm absorption band in AlN bulk crystals
Ramón Collazo, Jinqiao Xie, Benjamin E. Gaddy, Zachary Bryan, Ronny Kirste, Marc Hoffmann, Rafael Dalmau, Baxter Moody, Yoshinao Kumagai, Toru Nagashima, Yuki Kubota, Toru Kinoshita, Akinori Koukitu, Douglas L. Irving, and Zlatko Sitar
Presentation: Oct. 18, ThP-PR-32, Poster.
Ramón Collazo, Jinqiao Xie, Benjamin E. Gaddy, Zachary Bryan, Ronny Kirste, Marc Hoffmann, Rafael Dalmau, Baxter Moody, Yoshinao Kumagai, Toru Nagashima, Yuki Kubota, Toru Kinoshita, Akinori Koukitu, Douglas L. Irving, and Zlatko Sitar
Presentation: Oct. 18, ThP-PR-32, Poster.
22)
Optical and structural properties of intentionally C-doped thick HVPE AlN layers grown on PVT AlN substrates
T. Nagashima, Y. Kubota, T. Kinoshita, R. Schlesser, B. Moody, J. Xie, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu, and Z. Sitar
Presentation: Oct. 18, ThP-PR-41, Poster.
T. Nagashima, Y. Kubota, T. Kinoshita, R. Schlesser, B. Moody, J. Xie, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu, and Z. Sitar
Presentation: Oct. 18, ThP-PR-41, Poster.
Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors, Oct. 22-23, 2012, Tohoku University, Sendai, Japan
23)
(Invited) High-Speed Growth of InN Using a Two-Stage Source Generation HVPE System
R. Togashi, R. Imai, S. Yamamoto, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu
Presentation: Oct. 22, Oral.
R. Togashi, R. Imai, S. Yamamoto, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu
Presentation: Oct. 22, Oral.
24)
(Invited) Preparation of low dislocation density and deep-UV transparent AlN substrates by hydride vapor phase epitaxy
Y. Kumagai, Y. Kubota, T. Nagashima, T. Kinoshita, R. Collazo, R. Dalmau, R. Schlesser, B. Moody, J. Xie, H. Murakami, A. Koukitu, Z. Sitar
Presentation: Oct. 23, Oral.
Y. Kumagai, Y. Kubota, T. Nagashima, T. Kinoshita, R. Collazo, R. Dalmau, R. Schlesser, B. Moody, J. Xie, H. Murakami, A. Koukitu, Z. Sitar
Presentation: Oct. 23, Oral.
第42回結晶成長国内会議（NCCG-42）, 2012年11月9日-11日, 九州大学筑紫キャンパス
25)
HVPE法を用いたsapphire(0001)基板上InN成長におけるNH3供給分圧依存性
富樫 理恵, 山本 翔, K. F. Karlsson, 村上 尚, 熊谷 義直, P. O. Holtz, 纐纈 明伯
11月9日発表, 09aC08, 口頭.
富樫 理恵, 山本 翔, K. F. Karlsson, 村上 尚, 熊谷 義直, P. O. Holtz, 纐纈 明伯
11月9日発表, 09aC08, 口頭.
26)
２段階原料生成HVPE法によるGaN/sapphire(0001)テンプレート上InN成長
今井 亮太, 山本 翔, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
11月9日発表, 09aC09, 口頭.
今井 亮太, 山本 翔, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
11月9日発表, 09aC09, 口頭.
27)
HVPE法による深紫外光透過性を有する高品質AlNウェーハーの作製
坂巻 龍之介, 久保田 有紀, 永島 徹, 木下 亨, Rafael Dalmau, Raoul Schlesser, Baxter Moody, Jinqiao Xie, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯, Zlatko Sitar
11月9日発表, 09aC10, 口頭.
坂巻 龍之介, 久保田 有紀, 永島 徹, 木下 亨, Rafael Dalmau, Raoul Schlesser, Baxter Moody, Jinqiao Xie, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯, Zlatko Sitar
11月9日発表, 09aC10, 口頭.
28)
超高温熱処理サファイア表面の水素・窒素混合ガスとの反応によるAlNウィスカー形成メカニズム
花形 祥子, 国崎 敦, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
11月9日発表, 09pC01, 口頭.
花形 祥子, 国崎 敦, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
11月9日発表, 09pC01, 口頭.
29)
InGaN成長組成の面方位依存性に関する理論的考察
藤村 侑, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
11月10日発表, 10PS03, ポスター.
藤村 侑, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
11月10日発表, 10PS03, ポスター.
30)
HVPE法によるm面ZnO基板上へのZnO成長における表面オフ方向の影響
伊佐 雄太, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
11月10日発表, 10PS06, ポスター.
伊佐 雄太, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
11月10日発表, 10PS06, ポスター.
2012 Collaborative Conference on Crystal Growth (3CG 2012), Dec. 11-14, 2012, Doubletree by Hilton Orlando at SeaWorld, Orlando, FL, U.S.A.
31)
(Invited) Hetero- and Homo-Epitaxy of Thick AlN Layers by Hydride Vapor Phase Epitaxy
Y. Kumagai, Y. Kubota, T. Nagashima, T. Kinoshita, R. Dalmau, R. Schlesser, B. Moody, J. Xie, H. Murakami, A. Koukitu, Z. Sitar
Presentation: Dec. 12, A26, Oral.
Y. Kumagai, Y. Kubota, T. Nagashima, T. Kinoshita, R. Dalmau, R. Schlesser, B. Moody, J. Xie, H. Murakami, A. Koukitu, Z. Sitar
Presentation: Dec. 12, A26, Oral.
東京農工大学・電気通信大学 第9回合同シンポジウム「ナノ未来材料とコヒーレント光科学」, 2012年12月15日, 電気通信大学
32)
Substrate Orientation Dependence of Sapphire Decomposition and Resultant AlN Formation during High-Temperature Heat-Treatment in a Mixed Gas of H2 and N2
Kazushiro Nomura, Shoko Hanagata, Atsushi Kunisaki, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
12月15日発表, T1, ポスター.
Kazushiro Nomura, Shoko Hanagata, Atsushi Kunisaki, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
12月15日発表, T1, ポスター.
33)
Investigation of InN growth on InN/sapphire (0001) MBE-grown templates by HVPE
R. Imai, S. Yamamoto, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, T. Yamaguchi, T. Araki, Y. Nanishi, and A. Koukitu
12月15日発表, T6, ポスター.
R. Imai, S. Yamamoto, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, T. Yamaguchi, T. Araki, Y. Nanishi, and A. Koukitu
12月15日発表, T6, ポスター.
34)
新規HVPE法を用いたInGaN三元混晶の高速成長
朝野 数馬, 平崎 貴英, 伴野 瑞紀, 石川 真人, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
12月15日発表, T8, ポスター.
朝野 数馬, 平崎 貴英, 伴野 瑞紀, 石川 真人, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
12月15日発表, T8, ポスター.
35)
熱力学解析によるInGaN-HVPE成長のための最適な原料系の探索
平﨑 貴英, 花岡 幸史, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
12月15日発表, T18, ポスター.
平﨑 貴英, 花岡 幸史, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
12月15日発表, T18, ポスター.
36)
ハライド気相成長法によるm面ZnO基板上へのホモエピタキシャル成長における基板オフ角の効果
伊佐 雄太, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
12月15日発表, T24, ポスター.
伊佐 雄太, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
12月15日発表, T24, ポスター.
37)
サファイア基板の水素・窒素混合ガス中高温熱処理によるAlNウィスカー形成メカニズムの検討
花形 祥子, 国崎 敦, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
12月15日発表, T29, ポスター. ＜優秀ポスター発表「進歩賞」受賞＞
賞状
花形 祥子, 国崎 敦, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
12月15日発表, T29, ポスター. ＜優秀ポスター発表「進歩賞」受賞＞
賞状2013 Photonics West, Feb. 2-7, 2013, The Moscone Center, San Francisco, CA, U.S.A.
38)
Deep ultraviolet light-emitting diodes fabricated on AlN substrates prepared by hydride vapor phase epitaxy
Toru Kinoshita, Keiichiro Hironaka, Toshiyuki Obata, Toru Nagashima, Rafael F. Dalmau, Raoul Schlesser, Baxter Moody, Jinqiao Xie, Shin-ichiro Inoue, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu, Zlatko Sitar
Presentation: Feb. 6, 8641-36, Oral.
Toru Kinoshita, Keiichiro Hironaka, Toshiyuki Obata, Toru Nagashima, Rafael F. Dalmau, Raoul Schlesser, Baxter Moody, Jinqiao Xie, Shin-ichiro Inoue, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu, Zlatko Sitar
Presentation: Feb. 6, 8641-36, Oral.