平成23年度
日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 第3回窒化物半導体結晶成長講演会, 2011年6月17日-18日, 九州大学筑紫キャンパス
1)
(Invited) In系窒化物半導体のMOVPE、HVPE成長
村上 尚, 富樫 理恵, 稲葉 克彦, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
6月17日発表, IN1, 口頭. ＜研究奨励賞受賞＞賞状
2)
MOVPE法によるGaAs(110)上InN{1013}の成長温度が双晶形成に与える影響
堀田 哲郎, 末松 真友, 趙 賢哲, 富樫 理恵, 稲葉 克彦, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
6月17日発表, P1-14, ポスター.
3)
HVPE法によるInN/sapphire(0001)テンプレート上InN高速成長の検討
山本 翔, 東川 義弘, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 山口 智広, 荒木 努, 名西 やすし, 纐纈 明伯
6月17日発表, P1-16, ポスター.
4)
a面サファイア表面の反応メカニズムの原子レベルその場測定
吉田 崇, 阿部 創平, 土屋 正樹, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
6月18日発表, P2-12, ポスター.
5)
水素・窒素混合雰囲気での高温熱処理によるc面サファイア基板表面分解及びAlN形成
猪木 孝洋, 国崎 敦, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 柳 裕之, 纐纈 明伯
6月18日発表, P2-13, ポスター. ＜発表奨励賞受賞＞賞状
5th International Workshop on Crystal Growth Technology (IWCGT-5), Jun. 26-30, 2011, pentahotel Berlin-Köpenick, Berlin, Germany
6)
Influence of source gas supply sequence on hydride vapor phase epitaxy of AlN on (0001) sapphire substrates
Rie Togashi, Toru Nagashima, Manabu Harada, Yoshinao Kumagai, Hiroyuki Yanagi, and Akinori Koukitu
Presentation: Jun. 27, T7/8, Poster.
7)
(Invited Lecture) Growth of AlN on homo- and hetero-substrates by HVPE
Yoshinao Kumagai
Presentation: Jun. 30, Oral.
The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9), Jul. 10-15, 2011, SECC, Glasgow, England
8)
Influence of Growth Temperature on the Twin Formation of the InN{1013} on GaAs(110) by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
H. Murakami, H.-C. Cho, M. Suematsu, K. Inaba, Y. Kumagai, A. Koukitu
Presentation: Jul. 13, PD3.34, Poster. ＜Young Researcher Award＞Award certificate
第72回応用物理学会学術講演会, 2011年8月29日-9月2日, 山形大学小白川キャンパス
9)
HVPEの熱力学的反応解析とリアクタ設計
纐纈 明伯, 熊谷 義直, 村上 尚
8月29日発表, 29p-ZK-6, 口頭.
10)
InN/sapphire(0001)MBEテンプレート上へのInN HVPEにおける成長速度の影響
山本 翔, 東川 義弘, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 山口 智広, 荒木 努, 名西 やすし, 纐纈 明伯
8月30日発表, 30a-ZE-12, 口頭.
11)
高温熱処理によるサファイア表面分解・AlN形成における面方位依存性
猪木 孝洋, 国崎 敦, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 柳 裕之, 纐纈 明伯
8月30日発表, 30p-ZF-3, 口頭.
12)
水素・窒素混合雰囲気下熱処理におけるc面サファイア基板表面分解・AlN形成の挙動及びその熱力学解析
国崎 敦, 猪木 孝洋, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 柳 裕之, 纐纈 明伯
8月30日発表, 30p-ZF-4, 口頭.
13)
AlN/sapphire(0001)テンプレート上へのAlN HVPE高速成長における成長速度の影響
添田 邦光, 酒井 美希, 関口 修平, 久保田 有紀, 永島 徹, 富樫 理恵, 村上 尚, 木下 亨, 熊谷 義直, 柳 裕之, 纐纈 明伯
8月30日発表, 30p-ZF-5, 口頭.
独立行政法人日本学術振興会結晶成長の科学と技術第161委員会 第72回研究会「サファイア結晶基板の製造技術開発競争」, 2011年10月21日, 東北大学金属材料研究所
14)
(Invited) エピタキシャル装置内におけるサファイア基板とキャリアガスの反応
熊谷 義直, 纐纈 明伯
10月21日発表, 口頭.
第41回結晶成長国内会議(NCCG-41), 2011年11月3日-5日, つくば国際会議場
15)
HVPE法によるInN/sapphire(0001)MBEテンプレート上へのInN成長の検討
山本 翔, 東川 義弘, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 山口 智広, 荒木 努, 名西 やすし, 纐纈 明伯
11月3日発表, 03aB03, 口頭.
16)
AlN/sapphire(0001)テンプレート上AlN HVPE成長における成長速度増加の検討
添田 邦光, 酒井 美希, 関口 修平, 久保田 有紀, 永島 徹, 村上 尚, 木下 亨, 熊谷 義直, 柳 裕之, 纐纈 明伯
11月3日発表, 03aB04, 口頭.
17)
サファイア基板の水素・窒素混合雰囲気下熱処理による表面分解およびAlN形成の熱力学的検討
国崎 敦, 猪木 孝洋, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 柳 裕之, 纐纈 明伯
11月5日発表, 05aB11, 口頭.
18)
高温下での水素・窒素同時供給によるサファイア基板表面分解・AlN形成における面方位依存性
猪木 孝洋, 国崎 敦, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 柳 裕之, 纐纈 明伯
11月5日発表, 05aB14, 口頭.
電気通信大学・東京農工大学 第8回合同シンポジウム「ナノ未来材料とコヒーレント光科学」, 2011年12月10日, 東京農工大学小金井キャンパス
19)
ハイドライド気相成長した(0001)ZnO/(0001)sapphire単結晶薄膜のフォトルミネッセンスによる光学物性評価
増田 塁, Chih-Wei Hsu, Martin Eriksson, 熊谷 義直, 纐纈 明伯, Per-Olof Holtz
12月10日発表, T46, ポスター.
20)
原料分子制御法を用いたInGaN厚膜成長の検討
平崎 貴英, 朝野 数馬, 伴野 瑞紀, 花岡 幸史, 石川 真人, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
12月10日発表, T48, ポスター.
21)
新規Ga原料GaCl3を用いたGaNの高速成長
嘉義 唯, 神崎 舞野, 近藤 英昭, 染谷 恵梨奈, 宮崎 智成, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
12月10日発表, T50, ポスター.
応用物理学会結晶工学分科会2011年年末講演会, 2011年12月15日, 学習院創立百周年記念会館
22)
MOVPE法による高指数面GaAs(311)A及び(311)B基板上への半極性InN成長
末松 真友, 竹中 佐江, 堀田 哲郎, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
12月15日発表, 7, ポスター.
23)
MOVPE法を用いた半極性InN(1013)低温成長への水素添加の影響
竹中 佐江, 堀田 哲郎, 末松 真友, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
12月15日発表, 8, ポスター.
第59回応用物理学関係連合講演会, 2012年3月15日-18日, 早稲田大学早稲田キャンパス
24)
MOVPE法によるGaAs(110)上InN成長における水素添加の影響
堀田 哲郎, 竹中 佐江, 末松 真友, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
3月16日発表, 16a-DP1-28, ポスター.