平成22年度
日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 第2回窒化物半導体結晶成長講演会, 2010年5月14日-15日, 三重大学
1)
（基調講演） 窒化物半導体のHVPE成長−表面反応解析から結晶成長へ−
纐纈 明伯, 村上 尚, 熊谷 義直
5月14日発表, 口頭.
纐纈 明伯, 村上 尚, 熊谷 義直
5月14日発表, 口頭.
2)
単結晶AlNの格子定数の温度依存性
酒井 美希, 田島 純平, 永島 徹, 富樫 理恵, 村上 尚, 森岡 仁, 山内 剣, 斎藤 啓介, 熊谷 義直, 高田 和哉, 纐纈 明伯
5月14日発表, FR04, ポスター.
酒井 美希, 田島 純平, 永島 徹, 富樫 理恵, 村上 尚, 森岡 仁, 山内 剣, 斎藤 啓介, 熊谷 義直, 高田 和哉, 纐纈 明伯
5月14日発表, FR04, ポスター.
3)
r面sapphire基板上a面AlN HVPE成長初期過程におけるキャリアガスの影響
田島 純平, 富樫 理恵, 村上 尚, 高田 和哉, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
5月14日発表, FR05, ポスター.
田島 純平, 富樫 理恵, 村上 尚, 高田 和哉, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
5月14日発表, FR05, ポスター.
4)
5)
第一原理計算による気相成長法におけるGaN(0001)へのV族原料吸着過程の解析
鈴木 ひかり, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
5月15日発表, SA07, ポスター.
鈴木 ひかり, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
5月15日発表, SA07, ポスター.
6)
InGaN三元混晶のHVPE成長に関する熱力学的考察
花岡 幸史, 田口 悠嘉, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
5月15日発表, SA19, ポスター.
花岡 幸史, 田口 悠嘉, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
5月15日発表, SA19, ポスター.
7)
サファイア(0001)基板上InN HVPE成長における成長初期核制御の効果
東川 義弘, 大竹 斐, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
5月15日発表, SA24, ポスター.
東川 義弘, 大竹 斐, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
5月15日発表, SA24, ポスター.
2010 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (22nd IPRM), May 31 - Jun. 4, 2010, Takamatsu Symbol Tower, Kagawa, Japan
8)
Hydride Vapor Phase Epitaxy of AlN at High Temperatures on Freestanding (0001)AlN Substrates
Y. Kumagai, J. Tajima, Y. Kubota, M. Ishizuki, R. Togashi, H. Murakami, T. Nagashima, K. Takada and A. Koukitu
Presentation: Jun. 2, WeB3-3, Oral.
Y. Kumagai, J. Tajima, Y. Kubota, M. Ishizuki, R. Togashi, H. Murakami, T. Nagashima, K. Takada and A. Koukitu
Presentation: Jun. 2, WeB3-3, Oral.
The 37th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2010), May 31 - Jun. 4, 2010, Takamatsu Symbol Tower, Kagawa, Japan
9)
Lattice Constants of AlN in the Range 25-1600°C Investigated by Using a Quasi-Bulk Crystal Grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy
Yoshinao Kumagai, Miki Sakai, Jumpei Tajima, Toru Nagashima, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Hitoshi Morioka, Tsutomu Yamauchi, Keisuke Saito, Kazuya Takada and Akinori Koukitu
Presentation: Jun. 2, WeC4-3, Oral.
Yoshinao Kumagai, Miki Sakai, Jumpei Tajima, Toru Nagashima, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Hitoshi Morioka, Tsutomu Yamauchi, Keisuke Saito, Kazuya Takada and Akinori Koukitu
Presentation: Jun. 2, WeC4-3, Oral.
The 3rd International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-3), Jul. 5-7, 2010, Montpellier, France
10)
Tri-halide vapor-phase epitaxy of GaN
Takayoshi Yamane, Hisashi Murakami, Koshi Hanaoka, Yoshinao Kumagai and Akinori Koukitu
Presentation: Jul. 5, MoP-11, Poster.
Takayoshi Yamane, Hisashi Murakami, Koshi Hanaoka, Yoshinao Kumagai and Akinori Koukitu
Presentation: Jul. 5, MoP-11, Poster.
11)
Theoretical study on the influence of surface hydrogen coverage on the initial growth process of AlN(0001) surface
Hikari Suzuki, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
Presentation: Jul. 5, MoP-42, Poster.
Hikari Suzuki, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
Presentation: Jul. 5, MoP-42, Poster.
29th Electronic Materials Symposium (EMS-29), Jul. 14-16, 2010, Laforet Shuzenji, Izu
12)
Effects of growth temperature on the crystal orientation of InN on GaAs(110) by metalorganic vapor phase epitaxy
Hisashi Murakami, Hyun-Chol Cho, Mayu Suematsu, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
Presentation: Jul. 14, We1-9, Poster.
Hisashi Murakami, Hyun-Chol Cho, Mayu Suematsu, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
Presentation: Jul. 14, We1-9, Poster.
13)
Influence of GaN substrate polarity on InN growth by hydride vapor phase epitaxy
R. Togashi, A. Otake, Y. Higashikawa, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu
Presentation: Jul. 14, We1-10, Poster.
R. Togashi, A. Otake, Y. Higashikawa, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu
Presentation: Jul. 14, We1-10, Poster.
14)
Influence of nucleation behavior in the initial growth stage on the HVPE growth of InN on sapphire (0001) substrates
Y. Higashikawa, A. Otake, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu
Presentation: Jul. 14, We1-11, Poster.
Y. Higashikawa, A. Otake, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu
Presentation: Jul. 14, We1-11, Poster.
15)
Temperature dependence of the lattice constants of single crystal AlN
M. Sakai, J. Tajima, T. Nagashima, R. Togashi, H. Murakami, H. Morioka, T. Yamauchi, K. Saito, Y. Kumagai, K. Takada, A. Koukitu
Presentation: Jul. 15, Th6-6, Poster.
M. Sakai, J. Tajima, T. Nagashima, R. Togashi, H. Murakami, H. Morioka, T. Yamauchi, K. Saito, Y. Kumagai, K. Takada, A. Koukitu
Presentation: Jul. 15, Th6-6, Poster.
16)
Carrier Gas Dependence of a-Plane AlN Layer Growth on r-Plane Sapphire Substrates at Initial Stage by Hydride Vapor Phase Epitaxy
Jumpei Tajima, Chikashi Echizen, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Kazuya Takada and Akinori Koukitu
Presentation: Jul. 15, Th6-8, Poster.
Jumpei Tajima, Chikashi Echizen, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Kazuya Takada and Akinori Koukitu
Presentation: Jul. 15, Th6-8, Poster.
17)
Hydride vapor-phase epitaxy of GaN using GaCl3
T. Yamane, K. Hanaoka, H. Murakami, Y. Kumagai and A. Koukitu
Presentation: Jul. 16, Fr1-4, Poster.
T. Yamane, K. Hanaoka, H. Murakami, Y. Kumagai and A. Koukitu
Presentation: Jul. 16, Fr1-4, Poster.
The 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16), Aug. 8-13, 2010, Beijing, China
18)
Growth of Semi-Polar InN Layer on GaAs(110) Surface by MOVPE
Hisashi Murakami, Hyun-Chol Cho, Mayu Suematsu, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
Presentation: Aug. 9, HB3, Oral.
Hisashi Murakami, Hyun-Chol Cho, Mayu Suematsu, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
Presentation: Aug. 9, HB3, Oral.
19)
Thermodynamic Analysis on HVPE Growth of InGaN Ternary Alloy
Koshi Hanaoka, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
Presentation: Aug. 10, PB051, Poster.
Koshi Hanaoka, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
Presentation: Aug. 10, PB051, Poster.
20)
Two-Step Growth of (0001) ZnO Single Crystal Layers on (0001) Sapphire Substrates by Halide Vapor Phase Epitaxy
Rui Masuda, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
Presentation: Aug. 10, FF4, Oral.
Rui Masuda, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
Presentation: Aug. 10, FF4, Oral.
21)
(Invited) Growth of InN Films by Hydride Vapor Phase Epitaxy
Yoshinao Kumagai, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Akinori Koukitu
Presentation: Aug. 12, DK1, Oral.
Yoshinao Kumagai, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Akinori Koukitu
Presentation: Aug. 12, DK1, Oral.
22)
Effect of High NH3 Input Partial Pressure on HVPE of InN on (0001) Sapphire Substrates
Rie Togashi, Aya Otake, Yoshihiro Higashikawa, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
Presentation: Aug. 12, DK4, Oral.
Rie Togashi, Aya Otake, Yoshihiro Higashikawa, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
Presentation: Aug. 12, DK4, Oral.
第71回応用物理学会学術講演会, 2010年9月14日-17日, 長崎大学文教キャンパス
23)
GaCl3を用いたGaNのHVPE成長
山根 貴好, 花岡 幸史, 近藤 秀昭, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
9月14日発表, 14a-A-4, 口頭.
山根 貴好, 花岡 幸史, 近藤 秀昭, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
9月14日発表, 14a-A-4, 口頭.
24)
a面sapphire基板上c面AlN HVPE成長における面内配向性の制御
田島 純平, 越前 史, 富樫 理恵, 村上 尚, 高田 和哉, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
9月14日発表, 14p-C-13, 口頭.
田島 純平, 越前 史, 富樫 理恵, 村上 尚, 高田 和哉, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
9月14日発表, 14p-C-13, 口頭.
25)
非c軸配向AlNグレインを利用した6H-SiC(0001)基板上AlNのSelf-ELO
関口 修平, 石附 正成, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 高田 和哉, 纐纈 明伯
9月14日発表, 14p-C-14, 口頭.
関口 修平, 石附 正成, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 高田 和哉, 纐纈 明伯
9月14日発表, 14p-C-14, 口頭.
26)
高温熱処理によるc面sapphire基板表面の窒化
猪木 孝洋, 石附 正成, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 高田 和哉, 纐纈 明伯
9月14日発表, 14p-C-16, 口頭.
猪木 孝洋, 石附 正成, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 高田 和哉, 纐纈 明伯
9月14日発表, 14p-C-16, 口頭.
27)
GaAs(110)基板上半極性InNのMOVPE成長
村上 尚, 趙 賢哲, 末松 真友, 富樫 理恵, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
9月14日発表, 14p-NJ-16, 口頭.
村上 尚, 趙 賢哲, 末松 真友, 富樫 理恵, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
9月14日発表, 14p-NJ-16, 口頭.
28)
第一原理計算によるAlN(0001)表面へのV族原料吸着過程の解析
鈴木 ひかり, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
9月16日発表, 16a-C-5, 口頭.
鈴木 ひかり, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
9月16日発表, 16a-C-5, 口頭.
29)
AlN及びAlN成長用初期基板の格子定数の温度依存性測定
酒井 美希, 永島 徹, 田島 純平, 富樫 理恵, 村上 尚, 森岡 仁, 山内 剣, 斎藤 啓介, 熊谷 義直, 高田 和哉, 纐纈 明伯
9月16日発表, 16a-C-6, 口頭.
酒井 美希, 永島 徹, 田島 純平, 富樫 理恵, 村上 尚, 森岡 仁, 山内 剣, 斎藤 啓介, 熊谷 義直, 高田 和哉, 纐纈 明伯
9月16日発表, 16a-C-6, 口頭.
30)
ハライド気相成長法によるc面sapphire基板上ZnO二段階成長
篠塚 俊克, 増田 塁, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
9月17日発表, 17a-ZJ-6, 口頭.
篠塚 俊克, 増田 塁, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
9月17日発表, 17a-ZJ-6, 口頭.
International Workshop on Nitride Semiconductors 2010 (IWN2010), Sep. 19-24, 2010, Marriott Tampa Waterside Hotel & Marina, Tampa, FL, U.S.A.
31)
First-principle Study on the Effect of Surface Hydrogen Coverage on the Adsorption Process of Ammonia on the InN(0001) Surfaces
Hikari Suzuki, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai and Akinori Koukitu
Presentation: Sep. 20, FP1.5, Poster.
Hikari Suzuki, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai and Akinori Koukitu
Presentation: Sep. 20, FP1.5, Poster.
32)
Influence of Hydrogen Gas on the Growth of Semi-polar InN
Hyunchol Cho, Mayu Suematsu, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
Presentation: Sep. 20, AP1.57, Poster.
Hyunchol Cho, Mayu Suematsu, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
Presentation: Sep. 20, AP1.57, Poster.
33)
Control of in-plane Epitaxial Relationship of c-plane AlN Layers Grown on a-plane Sapphire Substrates by Hydride Vapor Phase Epitaxy
Jumpei Tajima, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Kazuya Takada and Akinori Koukitu
Presentation: Sep. 22, A1.8, Oral.
Jumpei Tajima, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Kazuya Takada and Akinori Koukitu
Presentation: Sep. 22, A1.8, Oral.
東北大学多元物質科学研究所 窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター講演会, 2010年11月4日-5日, 東北大学多元物質科学研究所
34)
第一原理計算による窒化物表面へのV族原料吸着過程の解析
鈴木 ひかり, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
11月5日発表, P-01, ポスター.
鈴木 ひかり, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
11月5日発表, P-01, ポスター.
東京農工大学・電気通信大学 第7回合同シンポジウム「ナノ未来材料とコヒーレント光科学」, 2010年12月11日, 電気通信大学
35)
ハイドライド気相成長法によるInN 結晶成長
富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
12月11日発表, 11, 口頭.
富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
12月11日発表, 11, 口頭.
応用物理学会結晶工学分科会2010年年末講演会, 2010年12月17日, 学習院創立百周年記念会館
36)
水素・窒素混合雰囲気における高温熱処理がc面sapphire基板表面に与える影響
猪木 孝洋, 石附 正成, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 高田 和哉, 纐纈 明伯
12月17日発表, 1, ポスター.
猪木 孝洋, 石附 正成, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 高田 和哉, 纐纈 明伯
12月17日発表, 1, ポスター.
37)
ハライド気相成長法を用いたsapphire(0001)基板上ZnO二段階成長
篠塚 俊克, 増田 塁, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
12月17日発表, 20, ポスター. ＜発表奨励賞受賞＞
賞状
篠塚 俊克, 増田 塁, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
12月17日発表, 20, ポスター. ＜発表奨励賞受賞＞
賞状電子ジャーナル第645回テクニカルセミナー「サファイア基板とその応用徹底解説」, 2010年12月21日, 総評会館, 東京
38)
(Invited) サファイア基板上へのInN、AlN HVPE成長
熊谷 義直
12月21日発表, 口頭.
熊谷 義直
12月21日発表, 口頭.
7th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-VII), Mar. 15-20, 2011, Koyasan, Wakayama, Japan
39)
(Invited) Possibility of InGaN HVPE growth with the high growth rate and the wide composition control
A. Koukitu, K. Hanaoka, H. Murakami and Y. Kumagai
Presentation: Mar. 16, S1-1, Oral.
A. Koukitu, K. Hanaoka, H. Murakami and Y. Kumagai
Presentation: Mar. 16, S1-1, Oral.
40)
(Invited) Properties of thick freestanding AlN films prepared by hydride vapor phase epitaxy
J. A. Freitas, Jr., J. C. Culbertson, Y. Kumagai, A. Koukitu
Presentation: Mar. 16, S3-1, Oral.
J. A. Freitas, Jr., J. C. Culbertson, Y. Kumagai, A. Koukitu
Presentation: Mar. 16, S3-1, Oral.
41)
(Invited) Preparation of freestanding AlN substrates by hydride vapor phase epitaxy using hybrid seed substrates
T. Nagashima, A. Hakomori, T. Shimoda, K. Hironaka, Y. Kubota, T. Kinoshita, R. Yamamoto, H. Yanagi, Y. Kumagai, A. Koukitu and K. Takada
Presentation: Mar. 16, S3-2, Oral.
T. Nagashima, A. Hakomori, T. Shimoda, K. Hironaka, Y. Kubota, T. Kinoshita, R. Yamamoto, H. Yanagi, Y. Kumagai, A. Koukitu and K. Takada
Presentation: Mar. 16, S3-2, Oral.
42)
(Invited) Self epitaxial lateral overgrowth of HVPE-AlN layers on 6H-SiC(0001) substrates by the intentional formation of non c-axis oriented AlN grains
H. Murakami, S. Sekiguchi, M. Ishizuki, R. Togashi, K. Takada, Y. Kumagai, A. Koukitu
Presentation: Mar. 16, S3-4, Oral.
H. Murakami, S. Sekiguchi, M. Ishizuki, R. Togashi, K. Takada, Y. Kumagai, A. Koukitu
Presentation: Mar. 16, S3-4, Oral.
43)
(Invited) Measurement of temperature dependent lattice constants of single crystal AlN and various starting substrates for the growth of AlN
R. Togashi, M. Sakai, T. Nagashima, J. Tajima, H. Murakami, H. Morioka, T. Yamauchi, K. Saito, Y. Kumagai, K. Takada, A. Koukitu
Presentation: Mar. 16, S3-5, Oral.
R. Togashi, M. Sakai, T. Nagashima, J. Tajima, H. Murakami, H. Morioka, T. Yamauchi, K. Saito, Y. Kumagai, K. Takada, A. Koukitu
Presentation: Mar. 16, S3-5, Oral.
44)
(Invited) Formation of AlN on sapphire surface by high temperature heating in the mixed flow of H2 and N2
Y. Kumagai, T. Igi, M. Ishizuki, R. Togashi, H. Murakami, K. Takada, A. Koukitu
Presentation: Mar. 16. S3-6, Oral.
Y. Kumagai, T. Igi, M. Ishizuki, R. Togashi, H. Murakami, K. Takada, A. Koukitu
Presentation: Mar. 16. S3-6, Oral.
45)
(Invited) Crack in HVPE grown 2H-AlN films on AlN templates prepared by PA-MBE using AM-MEE
T. Ohachi, N. Yamabe, Y. Yamamoto, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Koukitu
Presentation: Mar. 18, S6-3, Oral.
T. Ohachi, N. Yamabe, Y. Yamamoto, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Koukitu
Presentation: Mar. 18, S6-3, Oral.
第58回応用物理学関係連合講演会, 2011年3月24日-27日, 神奈川工科大学
46)
GaAs(110)上半極性InN(1013)成長における窒化及びバッファ層の効果
趙 賢哲, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
3月27日発表, 27p-BY-2, 口頭.
趙 賢哲, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
3月27日発表, 27p-BY-2, 口頭.