平成21年度
日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 第1回窒化物半導体結晶成長講演会,
2009年5月15日-16日, 東京農工大学小金井キャンパス
1)
XPSを用いたGaN結晶の表面改質評価
野口 和之, 野崎 理, 渡邉 謙二, 纐纈 明伯, 熊谷 義直, 本田 徹
5月15日発表, FRI-13, ポスター.
2)
第一原理計算による水素雰囲気下におけるGaN(0001)の分解過程の解析
鈴木 ひかり, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
5月15日発表, FRI-16, ポスター.
3)
成長モード制御によるMOVPE-InNの高品質化の検討
趙 賢哲, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
5月15日発表, FRI-28, ポスター.
4)
HVPE AlN厚膜自発分離の最適化に向けたAlN/sapphire (0001)界面ボイドの拡張制御
江夏 悠貴, 石附 正成, 田島 純平, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 高田 和哉, 纐纈 明伯
5月16日発表, SAT-30, ポスター.
5)
AlN-HVPE成長のための原料探索 −熱力学解析−
田口 悠嘉, 鈴木 ひかり, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
5月16日発表, SAT-31, ポスター.
6th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-VI),
Aug. 23-28, 2009, Galindia Mazurski Eden, Iznota, Mikołajki, Ruciane Nida, Poland
6)
(Invited) Growth of 2H-AlN films on Si(111) grown by RF-MBE using an interface reaction epitaxy and AM-MEE for HVPE growth
T. Ohachi, N. Yamabe, K. Ohkusa, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Koukitu
Presentation: Aug. 24, Oral.
7)
(Invited) Investigation of void formation beneath thin AlN layers by decomposition of sapphire substrates for self-separation of thick AlN layers grown by HVPE
Y. Kumagai, Y. Enatsu, M. Ishizuki, Y. Kubota, J. Tajima, T. Nagashima, H. Murakami, K. Takada,
A. Koukitu
Presentation: Aug. 24, Oral.
8)
(Invited) Investigation of source precursor for AlN-HVPE to decrease Si-contamination
Akinori Koukitu, Yuka Taguchi, Hikari Suzuki, Hisashi Murakami and Yoshinao Kumagai
Presentation: Aug. 25, Oral.
第70回応用物理学会学術講演会, 2009年9月8日-11日, 富山大学五福キャンパス
9)
sapphire (0001)基板上InN HVPE成長における成長温度依存性
足立 裕和, 大竹 斐, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
9月10日発表, 10p-E-8, 口頭.
10)
気相成長法におけるGaN(0001)の成長初期過程の理論解析
鈴木 ひかり, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
9月11日発表, 11a-E-4, 口頭.
The 8th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-8),
Oct. 18-23, 2009, ICC Jeju, Korea
11)
Selective growth of InN on patterned GaAs(111)B substrate -Influence of InN decomposition at the interface-
Hisashi Murakami, Hyun-Chol Cho, Yoshinao Kumagai and Akinori Koukitu
Presentation: Oct. 19, MP30, Poster.
12)
Theoretical investigation of the decomposition mechanism of AlN(0001) surface under a hydrogen atmosphere
Hikari Suzuki, Uliana Panyukova, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai
and Akinori Koukitu
Presentation: Oct. 19, MP70, Poster.
13)
XPS spectra of (0001) and (0001) GaN surfaces
Kazuyuki Noguchi, Tadashi Nozaki, Naoyuki Sakai, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
and Tohru Honda
Presentation: Oct. 19, MP104, Poster.
14)
Temperature dependence of InN growth on (0001) sapphire substrates by atmospheric pressure hydride vapor phase epitaxy
Yoshinao Kumagai, Hirokazu Adachi, Aya Otake, Yoshihiro Higashikawa, Rie Togashi, Hisashi Murakami
and Akinori Koukitu
Presentation: Oct. 20, TP20, Poster.
第39回結晶成長国内会議 (NCCG-39), 2009年11月12日-14日, 名古屋大学東山キャンパス
15)
AlN/sapphire界面ボイドの形成制御により自発分離したAlN自立基板の特性
内田 健悟, 江夏 悠貴, 石附 正成, 田島 純平, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 高田 和哉, 纐纈 明伯
11月13日発表, 13PS24, ポスター.
16)
HVPE法を用いたsapphire (0001)基板上InN成長における成長温度の影響
大竹 斐, 足立 裕和, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
11月13日発表, 13PS35, ポスター.
17)
ZnCl2-H2O系HVPE法によるZnO高温ホモエピタキシャル成長
増田 塁, 藤井 哲雄, 吉井 直樹, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
11月14日発表, 14aC02, 口頭.
18)
ハライド気相成長法によるZnO成長における成長温度・VI/II比の影響
佐藤 浩二, 増田 塁, 藤井 哲雄, 吉井 直樹, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
11月14日発表, 14aC03, 口頭.
19)
水素雰囲気下におけるAlN(0001)面の分解過程の理論解析
鈴木 ひかり, ウリアナ・パニュコワ, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
11月14日発表, 14pA01, 口頭.
20)
Si汚染の低減を目指したAlN-HVPE成長のための原料探索
田口 悠嘉, 鈴木 ひかり, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
11月14日発表, 14pA04, 口頭.
電気通信大学・東京農工大学 第6回合同シンポジウム「ナノ未来材料とコヒーレント光科学」,
2009年12月5日, 東京農工大学小金井キャンパス
21)
第一原理計算によるGaN(0001)への原料吸着過程の検討
鈴木 ひかり, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
12月5日発表, T54, ポスター.
22)
界面ボイド制御によるサファイア初期基板からのAlN厚膜自発分離
田島 順平, 江夏 悠貴, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
12月5日発表, T56, ポスター. ＜優秀ポスター賞受賞＞
23)
ZnO基板上にZnCl2-H2O系のHVPEで高温成長したホモエピタキシャルZnO層の特性評価
増田 塁, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
12月5日発表, T58, ポスター.
応用物理学会結晶工学分科会2009年年末講演会, 2009年12月11日, 学習院創立百周年記念会館
24)
AlN/sapphire界面ボイドの形成を利用したfreestanding AlN基板の作製
内田 健悟, 江夏 悠貴, 石附 正成, 田島 純平, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 高田 和哉, 纐纈 明伯
12月11日発表, 3, ポスター.
25)
ハイドライド気相成長法によるsapphire(0001)基板上InN成長の成長温度依存性
大竹 斐, 足立 裕和, 富樫 理恵, 村上 尚 熊谷 義直, 纐纈 明伯
12月11日発表, 7, ポスター.
26)
ZnCl2-H2O系HVPEにより高温成長したホモエピタキシャルZnO膜の特性評価
増田 塁, 藤井 哲雄, 吉井 直樹, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
12月11日発表, 11, ポスター.
27)
ハライド気相成長法によるZnO単結晶薄膜のヘテロエピタキシャル成長
佐藤 浩二, 増田 塁, 藤井 哲雄, 吉井 直樹, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
12月11日発表, 13, ポスター.
37th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces (PCSI 37),
Jan. 10-14, 2010, Santa Fe, NM, U.S.A.
28)
Surface analysis of Ga- and N-polar GaN by angle resolved X-ray photoelectron spectroscopy
Tohru Honda, Kazuyuki Noguchi, Yoshinao Kumagai and Akinori Koukitu
Presentation: Jan. 13, We1150, Poster.
第57回応用物理学関係連合講演会, 2010年3月17日-20日, 東海大学湘南キャンパス
29)
r面sapphire基板上a面AlN HVPE成長におけるキャリアガスの影響
田島 純平, 越前 史, 富樫 理恵, 村上 尚, 高田 和哉, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
3月17日発表, 17a-TB-8, 口頭.
30)
高温その場X線回折による単結晶AlNの格子定数の温度依存性測定
酒井 美希, 田島 純平, 永島 徹, 富樫 理恵, 村上 尚, 森岡 仁, 山内 剣, 斎藤 啓介, 熊谷 義直, 高田 和哉,
纐纈 明伯
3月17日発表, 17a-TB-11, 口頭.
31)
サファイア(0001)基板上InN HVPE成長におけるNH3供給分圧変調効果
東川 義弘, 大竹 斐, 足立 裕和, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
3月17日発表, 17p-TC-1, 口頭.
32)
ハイドライド気相成長法によるGaN自立基板上InN成長の極性依存性
富樫 理恵, 足立 裕和, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
3月17日発表, 17p-TC-2, 口頭.
33)
ZnO基板上へのHVPE-MgZnO膜の成長および特性評価
吉井 直樹, 藤井 哲雄, 増田 塁, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
3月17日発表, 17p-TL-12, 口頭.
34)
HVPE法によるMgZnO成長における混晶組成制御
藤井 哲雄, 吉井 直樹, 増田 塁, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
3月17日発表, 17p-TL-13, 口頭.