平成20年度
2008年日本結晶成長学会特別講演会, 2008年4月18日, キャンパスイノベーションセンター東京
1)
(Invited) 窒化物気相成長の熱力学解析
纐纈 明伯, 村上 尚, 熊谷 義直
4月18日発表, 口頭.
14th International Conference of Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIV), Jun. 1-6, 2008, Metz, France
2)
Improvements in crystalline quality of MOVPE-InN layers by facet controlling with hydrogen partial pressure
Hisashi Murakami, Hyun-Chol Cho, Yoshinao Kumagai and Akinori koukitu
Presentation: Jun. 4, We-P.18, Poster.
電子情報通信学会研究会「材料デバイスサマーミーティング：インジウムナイトライドの現状と将来」, 2008年6月27日, 機械振興会館, 東京
3)
(Invited) HVPE法によるInN厚膜成長の現状と課題
熊谷 義直, 纐纈 明伯
6月27日発表, 口頭.
The 2nd International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-2), Jul. 6-9, 2008, Laforet Shuzenji, Izu, Japan
4)
Theoretical Investigation on the Decomposition Process of GaN(0001) Surface under a Hydrogen Atmosphere
Hikari Suzuki, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
Presentation: Jul. 7, Mo-31, Poster.
5)
Preparation of a crack-free AlN template layer on sapphire substrate by hydride vapor phase epitaxy at 1450°C
Jumpei Tajima, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Kazuya Takada, and Akinori Koukitu
Presentation: Jul. 7, Mo-40, Poster.
6)
In situ Gravimetric Monitoring of Surface Reactions between Sapphire and NH3
Kazuhiro Akiyama, Yasuhiro Ishii, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, and Akinori Koukitu
Presentation: Jul. 8, Tu-61, Poster.
27th Electronic Materials Symposium (EMS-27), Jul. 9-11, 2008, Laforet Shuzenji, Izu, Japan
7)
Investigation of surface reactions between (0001) C-plane sapphire and NH3 by in situ gravimetric monitoring method
Kazuhiro Akiyama, Yasuhiro Ishii, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai and Akinori Koukitu
Presentation: Jul. 9, A-2, Poster.
8)
First-principle calculation for the decomposition process of the reconstructed GaN(0001) surface under a hydrogen atmosphere
Hikari Suzuki, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
Presentation: Jul. 9, A-3, Poster.
9)
Study of the decomposition of R-plane sapphire by the first principles calculation
Uliana Panyukova, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
Presentation: Jul. 9, A-4, Poster.
10)
High temperature growth of a crack-free AlN layer on sapphire substrate by hydride vapor phase epitaxy
Jumpei Tajima, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Kazuya Takada and Akinori Koukitu
Presentation: Jul. 10, E-9, Poster.
11)
Facet formation of InN for the growth of high quality InN layers on GaAs (111)B surfaces by MOVPE
Hisashi Murakami, Hyun-Chol Cho, Yoshinao Kumagai and Akinori Koukitu
Presentation: Jul. 10, I-9, Poster.
XXI Congress of the International Union of Crystallography (IUCr 2008), Aug. 23-31, 2008, Osaka, Japan
12)
(Invited) Hydride vapor phase epitaxy of AlN and AlGaN
Akinori Koukitu, Yoshinao Kumagai, Hisashi Murakami
Presentation: Aug. 27, MS.49.2, Oral.
第69回応用物理学会学術講演会, 2008年9月2日-5日, 中部大学
13)
In situ グラヴィメトリック法による6H-SiC(0001)Si面の表面分解速度の測定
秋山 和博, 石井 泰寛, 村上 尚, 熊谷 義直, 奥村 宏典, 須田 淳, 木本 恒暢, 纐纈 明伯
9月2日発表, 2p-CE-8, 口頭.
14)
窒素及び水素雰囲気下におけるInN{0001}分解の極性依存性
富樫 理恵, 鴨下 朋樹, 足立 裕和, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
9月4日発表, 4a-CG-6, 口頭.
15)
サファイア(0001)初期基板を用いたAlN自立基板の作製
久保田 有紀, 田島 純平, 石附 正成, 永島 徹, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 高田 和哉, 纐纈 明伯
9月4日発表, 4p-CG-11, 口頭.
16)
HVPE法によるサファイア基板上クラックフリーAlNテンプレートの作製
田島 純平, 久保田 有紀, 村上 尚, 熊谷 義直, 高田 和哉, 纐纈 明伯
9月4日発表, 4p-CG-12, 口頭.
17)
水素雰囲気下におけるGaN(0001)表面の分解過程の理論解析
鈴木 ひかり, 富樫 理恵, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
9月4日発表, 4p-CG-13, 口頭.
18)
SiC (0001) Si面 - H2系における表面反応速度のその場測定
石井 泰寛, 秋山 和博, 村上 尚, 熊谷 義直, 奥村 宏典, 須田 淳, 木本 恒暢, 纐纈 明伯
9月4日発表, 4p-CG-14, 口頭.
5th International Workshop on Zinc Oxide and Related Materials, Sep. 21-24, 2008, Eagle Crest Resort, Ypsilanti, MI, U.S.A.
19)
Influence of growth condition on homoepitaxy of ZnO by halide vapor phase epitaxy
Rui Masuda, Tetsuo Fujii, Naoki Yoshii, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
Presentation: Sep. 22, AP2, Poster.
20)
Homoepitaxial growth of high-quality ZnO layers at 1000°C by halide vapor phase epitaxy
Yoshinao Kumagai, Tetsuo Fujii, Rui Masuda, Naoki Yoshii, Akinori Koukitu
Presentation: Sep. 22, AP18, Poster.
21)
Nucleation and coalescence behavior for halide vapor phase epitaxy-grown ZnO on ZnO templates
Tetsuo Fujii, Naoki Yoshii, Rui Masuda, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
Presentation: Sep. 22, AP35, Poster.
International Workshop on Nitride Semiconductors 2008 (IWN2008), Oct. 6-10, 2008, Montreux Music and Convention Center, Montreux, Switzerland
22)
Ab Initio Calculation for an Initial Growth Process of GaN on (0001) and (0001) Surfaces by Vapor Phase Epitaxy
H. Suzuki, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Koukitu
Presentation: Oct. 6, Mo1-P10, Poster.
23)
Measurement of Misorientation of AlN Layer Grown on (111)Si for Freestanding Substrate
K. Saito, J. Tajima, Y. Kumagai, M. Ishizuki, K. Takada, H. Morioka, and A. Koukitu
Presentation: Oct. 6, Mo1-P19, Poster.
24)
Controlled Formation of Voids at the AlN and Sapphire Interface by the Sapphire Decomposition for Self-Separation of AlN Layers
J. Tajima, Y. Kubota, M. Ishizuki, T. Nagashima, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, K. Takada, and A. Koukitu
Presentation: Oct. 7, Tu2b-P11, Poster.
25)
(Invited) Progress in Preparation of Freestanding AlN Substrates by Hydride Vapor Phase Epitaxy
Y. Kumagai, J. Tajima, Y. Kubota, M. Ishizuki, R. Togashi, H. Murakami, T. Nagashima, K. Takada, and A. Koukitu
Presentation: Oct. 8, We2b-C1, Oral.
26)
AlN Nano-islands Prepared from Polarity-Controlled Buffer Layer by Hydride Vapor Phase Epitaxy
T. Nagashima, K. Hironaka, M. Ishizuki, Y. Kumagai, A. Koukitu, K. Takada
Presentation: Oct. 8, We2b-C3, Oral.
27)
Investigation of Polarity Dependent InN{0001} Decomposition in N2 and H2 Ambient
R. Togashi, H. Adachi, T. Kamoshita, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Koukitu
Presentation: Oct. 9, Th2a-G3, Oral.
第38回結晶成長国内会議 (NCCG-38), 2008年11月4日-6日, 仙台市戦災復興記念館, 仙台
28)
サファイア基板上AlN薄膜下へのボイド形成によるAlN厚膜の自発的リフトオフ
熊谷 義直, 田島 純平, 久保田 有紀, 石附 正成, 富樫 理恵, 村上 尚, 永島 徹, 高田 和哉, 纐纈 明伯
11月4日発表, 04aC05, 口頭.
29)
水素雰囲気下6H-SiC {0001}表面反応過程のその場測定
秋山 和博, 石井 泰寛, 村上 尚, 熊谷 義直, 奥村 宏典, 木本 恒暢, 須田 淳, 纐纈 明伯
11月4日発表, 04pA01, 口頭.
30)
HVPE法を用いたAlGaN結晶の成長と評価
佐藤 史隆, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
11月5日発表, 05aA07, 口頭.
31)
HVPE 法による AlN(0001)自立基板上への AlN 高温成長
江夏悠貴, 田島純平, 久保田有紀, 石附正成, 富樫理恵, 村上尚, 永島徹, 熊谷義直, 高田和哉,
纐纈明伯
2008 年 11 月 5 日, 05aB06.
32)
AlN/sapphire 界面 void 形成による AlN 厚膜の自己分離
久保田有紀, 田島純平, 石附正成, 永島徹, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 高田和哉, 纐纈明伯
2008 年 11 月 5 日, 05aB07.
33)
InN{0001}の窒素及び水素雰囲気下における分解の極性依存性
富樫理恵, 鴨下朋樹, 足立裕和, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
2008 年 11 月 5 日, 05aB09.
34)
Comparison of decomposition processes of R- and m-plane sapphire studied by ab initio calculation
Uliana Panyukova, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
2008 年 11 月 6 日, 06aB01.
応用物理学会結晶工学分科会2008年年末講演会，学習院創立百周年記念会館
35)
AlN自立基板上へのAlN高温HVPE成長
江夏悠貴，田島純平，久保田有紀，石附正成，富樫理恵，村上尚，永島徹, 熊谷義直,
高田和哉, 纐纈明伯
2008 年 12 月 11 日, 17.
36)
Sapphire初期基板上にHVPE成長したAlN厚膜の自発分離プロセスの考案
久保田有紀，田島純平，石附正成，永島徹，富樫理恵，村上尚, 熊谷義直，高田和哉,
纐纈明伯
2008 年 12 月 11 日, 18.
37)
その場測定を用いた6H-SiC{0001}面の高温下における表面反応メカニズム面極性依存性の解明
秋山和博，石井泰寛，村上尚，熊谷義直，奥村宏典，木本恒暢，須田淳, 纐纈明伯
2008 年 12 月 11 日, 25.
第56回応用物理学関係連合講演会, 筑波大学筑波キャンパス
38)
その場測定による水素雰囲気下6H-SiC表面反応メカニズムの検討
石井泰寛, 秋山和博，阿部創平，村上尚，熊谷義直，奥村宏典，木本恒暢，須田淳，纐纈明伯
2009 年 3 月 31 日, 31p-ZJ-16.
39)
sapphire (0001)基板上 HVPE AlN 厚膜自発分離のための界面ボイド拡張制御
江夏悠貴, 久保田有紀, 石附正成, 田島純平, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 高田和哉,
纐纈明伯
2009 年 4 月 1 日, 1a-ZJ-6.
40)
熱力学解析によるAlN-HVPE成長のための原料探索 ‐Si汚染の低減を目指して‐
田口悠嘉, 鈴木ひかり，熊谷義直，纐纈明伯
2009 年 4 月 2 日, 1a-ZJ-7.
41)
ZnO 基板上 に高温 HVPE 成長した ZnO ホモエピタキシャル層の特性評価
熊谷義直, 増田塁, 藤井哲雄, 吉井直樹, 纐纈明伯
2009 年 4 月 2 日, 2p-ZK-1.
42)
ZnCl2 と H2Oを原料気体とする HVPE 法による ZnO 薄膜の高温成長
増田塁, 藤井哲雄, 吉井直樹, 熊谷義直, 纐纈明伯
2009 年 4 月 2 日, 2p-ZK-2.
43)
HVPE 法による ZnO/sapphire テンプレート上への ZnO 成長
染谷正太, 増田塁, 藤井哲雄, 吉井直樹, 熊谷義直, 纐纈明伯
2009 年 4 月 2 日, 2p-ZK-3.