平成19年度
26th Electronic Materials Symposium, EMS-26, Laforet Biwako, Moriyama
1)
Effect of hydrogen partial pressure on the growth of InN layers on GaAs (111)A surfaces by metalorganic vapor phase epitaxy
Hisashi Murakami, Hyun-Chol Cho, Yoshinao Kumagai and Akinori Koukitu
2007 年 7 月 5 日, E5.
2)
Decomposition Rate on the Surface of (10-12) r-plane Sapphire Monitored by in situ Gravimetric Monitoring Method for the High Temperature Growth of non-polar AlN
Kazuhiro Akiyama, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai and Akinori Koukitu
2007 年 7 月 5 日, E11.
3)
High Temperature Growth of High-Quality AlN by Solid-Source HVPE
Ken-ichi Eriguchi, Hisashi Murakami, Uliana Panyukova, Yoshinao Kumagai Shigeo Ohira and Akinori Koukitu
2007 年 7 月 5 日, H4.
Fifteenth International Conference on Crystal Growth, ICCG-15, Salt Lake City
4)
Ab initio calculation of decomposition GaN (0001) and (000-1) Surfaces
Hikari Suzuki, Rie Togashi, Murakami Hisashi, Kumagai Yoshinao, Koukitu Akinori
2007 年 8 月 14 日, 1094 s09.
5)
In situ Gravimetric Monitoring of Decomposition Rate on the Surface of (10-12) r-plane Sapphire for the High Temperature Growth of non-polar AlN
Kazuhiro Akiyama, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
2007 年 8 月 16 日, 1117.
6)
(Invited) HVPE growth of AlN and AlGaN
Akinori Koukitu, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai
2007 年 8 月 16 日, 122.
第68回応用物理学会学術講演会, 北海道工業大学
7)
原料分子制御HVPE法によるAlN，AlGaNおよびInN成長
纐纈明伯, 熊谷義直，村上尚
2007 年 9 月 5 日, 5p-ZR-3.
8)
GaN{0001}基板を用いた InN HVPE 成長における極性制御
鴨下朋樹, 西澤雄樹, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
2007 年 9 月 6 日, 6p-ZS-2.
9)
様々な雰囲気下における N 極性 InN 分解の温度依存性
富樫理恵, 鴨下朋樹, 西澤雄樹, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
2007 年 9 月 6 日, 6p-ZS-3.
10)
HVPE法によるsapphire基板上AlN高温成長における中間層導入の効果
田島純平, 久保田有紀, 永島徹, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 高田和哉, 纐纈明伯
2007 年 9 月 6 日, 6p-ZS-8.
11)
HVPE法によるSi-doped AlN成長の検討
久保田有紀, 田島純平, 永島徹, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 柳裕之, 纐纈明伯
2007 年 9 月 6 日, 6p-ZS-9.
12)
Si (111)基板を初期基板に用いたHVPE法によるAlN自立基板の作製
熊谷義直, 永島徹，村上尚，高田和哉，纐纈明伯
2007 年 9 月 7 日, 7a-ZS-11.
13)
HVPE法によるGaN基板上高品質AlxGa1-xN成長
村上尚, 佐藤史隆，秋山和博，武藤弘，柴田克幸，山下宗修，熊谷義直，纐纈明伯
2007 年 9 月 7 日, 7p-ZS-2.
14)
In situグラヴィメトリック法によるNH3雰囲気下(0001)c面サファイア分解速度の測定
秋山和博, 石井泰寛，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯
2007 年 9 月 7 日, 7p-ZS-12.
15)
第一原理計算による水素雰囲気下における GaN(0001)および(0001)面の分解過程の解析
鈴木ひかり, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
2007 年 9 月 6 日, 8a-ZQ-1.
7th International Conference of Nitride Semiconductors, ICNS-7, MGM Grand Hotel, Las Vegas, Nevada
16)
Growth of thin protective AlN layers on sapphire substrates at 1065°C for hydride vapor phase epitaxy of AlN above 1300°C
Jumpei Tajima, Yuki Kubota, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Kokitu
2007 年 9 月 17 日, C5.
17)
Characterization of a Freestanding AlN Substrate Prepared by Hydride Vapor Phase Epitaxy
Yoshinao Kumagai, Toru Nagashima, Hisashi Murakami, Kazuya Takada, Akinori Koukitu
2007 年 9 月 17 日, F2.
18)
Experimental and ab-initio studies of temperature dependent InN decomposition in various ambient
Rie Togashi, Tomoki kamoshita, Yuuki Nishizawa, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai,
Akinori Kokitu
2007 年 9 月 19 日, WP36.
5th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors, IWBNS-V, Itaparica Village Hotel, Itaparica, Salvador, Bahia, Brazil
19)
(Invited) Polarity-dependent growth of InN on Ga- and N-polar GaN surfaces by hydride vapor phase epitaxy
Y. Kumagai, R. Togashi, T. Kamoshita, Y. Nishizawa, H. Murakami, A. Koukitu
2007 年 9 月 28 日.
20)
(Invited) Polarity Control of 2H-AlN templates on Si(111) grown by RF-MBE using a mode change MEE for HVPE growth
T. Ohachi, H. Shimomura, N. Yamabe, K. Oride, H. Murakami, Y. Kumagai and A. Koukitu
2007 年 9 月 28 日.
21)
(Invited) N-polar AlN sacrificial layers grown by MOCVD for free-standing AlN substrates
Misaichi Takeuchi, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu and Yoshinobu Aoyagi
2007 年 9 月 28 日.
22)
(Invited) High temperature growth of AlN by solid source HVPE with local heating system
Hisashi Murakami, Ken-ichi Eriguchi, Takako Hiratsuka, Uliana Panyukova, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
2007 年 9 月 28 日.
23)
(Invited) Hydride vapor phase epitaxy of AlxGa1-xN layers on GaN substrates
Fumitaka Satoh, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai and Akinori Koukitu
2007 年 9 月 28 日.
The 34th International Symposium on Compound Semiconductors, iscs2007,
Main Campus, Kyoto University
24)
Theoretical study of AlN decomposition processes in hydrogen atmosphere
U. Panyukova, H. Suzuki, R.Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu
2007 年 10 月 16 日, TuC P33.
7th Akasaki Research Center Symposium "To the New Horizon of the Nitride Research", Nagoya University Environmental Studies Hall, Nagoya
25)
(Invited) HVPE Growth of AlN, AlGaN and InN
A. Koukitu, Y. Kumagai and H. Murakami
2007 年 10 月 19 日.
Meijo International Symposium on Nitride Semiconductors 2007, Meijo University, Nagoya
26)
(Invited) HVPE of AlN and AlGaN
A. Koukitu, Y. Kumagai and H. Murakami
2007 年 10 月 20 日.
平成19年度東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究会，パレス松洲，宮城県松島町
27)
HVPE法によるInN成長と表面反応メカニズム
熊谷義直, 纐纈明伯
2007 年 10 月 26 日.
結晶工学分科会2007年年末講演会 結晶から拡がる科学, 学習院大学
28)
N極性窒化インジウム結晶の様々な雰囲気下における分解メカニズムの解明
富樫理恵, 鴨下朋樹, 西澤雄樹, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
2007 年 12 月 14 日, 09.
29)
第一原理計算による水素雰囲気下における GaN(0001)および(0001)面の分解過程の解析
鈴木ひかり, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
2007 年 12 月 14 日, 21.
30)
Theoretical study of the decomposition of AlN in a hydrogen atmosphere
U. Panyukova, H. Suzuki, R.Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu
2007 年 12 月 14 日, 22.
31)
サファイア基板上への窒化アルミニウム成長における中間層導入の効果
田島純平, 久保田有紀, 永島徹, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 高田和哉, 纐纈明伯
2007 年 12 月 14 日, 29.
プレISGN-2シンポジウム「未来を切り開く窒化物半導体結晶」，田町キャンパスイノベーションセンター国際会議場，東京
32)
(Invited) HVPEによるInN成長と表面反応メカニズム
熊谷義直, 纐纈明伯
2007 年 12 月 19 日.
第55回応用物理学関係連合講演会，日本大学理工学部船橋キャンパス
33)
In situグラヴィメトリック法によるNH3雰囲気下(0001)C面サファイア表面反応メカニズム
秋山和博, 石井泰寛，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯
2007 年 12 月 19 日, 29p-B-4.