平成18年度
13th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy, ICMOVPE-13, Phoenix Seagaia Resort, Miyazaki, Japan
1)
Improvement of crystalline quality of N-polar AlN layers on c-plane sapphire by low-pressure flow-modulated MOCVD
M. Takeuchi, H. Shimizu, K. Kawasaki, Y. Kumagai, A. Koukitu and Y. Aoyagi
2006
年
5
月
23
日, Tu-A1.3.
2)
MOVPE-like HVPE of AlN using Solid Aluminum Trichloride Source
K. Eriguchi, H. Murakami, U. Panyukova, Y. Kumagai, S. Ohira and A. Koukitu
2006
年
5
月
23
日, Tu-A1.7.
3)
Influences of surface atom arrangement on the growth of InN layers on GaAs (111)A and (111)B surfaces by metalorganic vapor phase epitaxy
Hisashi Murakami, Jun-ichi Torii, Yoshinao Kumagai and Akinori Koukitu
2006
年
5
月
26
日, Fr-A2.4.
First International Symposium on Growth of III-Nitrides, ISGN-1, Linköping, Sweden
4)
High-speed epitaxial growth of AlN above 1200℃ by hydride vapor phase epitaxy
T. Nagashima, M. Harada, H. Yanagi, Y. Kumagai, A. Koukitu and K. Takada
2006 年 6 月 5 日, MoP-07.
5)
Influence of hydrogen coverage on Si(111) substrate on the growth of GaN buffer layer
Y. Matsuo, Y. Kangawa, R. Togashi, K. Kakimoto and A. Koukitu
2006 年 6 月 5 日, MoP-26.
6)
(Invited) Hydride vapor phase epitaxy of InN by the formation of InCl3 using In metal and Cl2
Y. Kumagai, J. Kikuchi, Y. Nishizawa, H. Murakami and A. Koukitu
2006 年 6 月 5 日, MoI-6.
7)
(Invited) Thermodynamic approach to the growth of III-nitrides
Akinori Koukitu, Jun Kikuchi, Hisashi Murakami and Yoshinao Kumagai
2006 年 6 月 5 日, TuI-7.
8)
Growth of AlxGa1-xN ternary alloy by hydride vapor phase epitaxy
T. Yamane, F. Satoh, H. Murakami, Y. Kumagai and A. Koukitu
2006 年 6 月 5 日, WeP-17.
25th Electronic Materials Symposium, EMS-25, Linköping, Sweden
9)
Effect of arsenic desorption on MOVPE-grown InN layers on GaAs (111)A and (111)B surfaces
Hisashi Murakami, Jun-ichi Torii, Yoshinao Kumagai and Akinori Koukitu
2006 年 7 月 5 日, B5.
15th International Conference on Crystal Growth, ICCG-15, Salt Lake City, UT, U.S.A.
10)
Influence of hydrogen input partial pressure on the polarity of InN on GaAs (111)A grown by metalorganic vapor phase epitaxy
Hisashi Murakami, Jun-ichi Torii, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
2006 年 8 月 13日, wg 30.
11)
Ab initio calculation of decomposition GaN (0001) and (0001) surfaces
Hikari Suzuki, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
2006 年 8 月 14日, s 09.
12)
In situ Gravimetric Monitoring of Decomposition Rate on the Surface of (10-12) r-plane Sapphire for the High Temperature Growth of non-polar AlN
Kazuhiro Akiyama, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
2006 年 8 月 14日, 1117.
第67回応用物理学会学術講演会, 立命館大学びわこ・くさつキャンパス
13)
原料分子制御法によるサファイア(0001)基板上InNのHVPE成長
西澤雄樹，菊地潤，村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
2006 年 8 月 29 日, 29a-C-9.
14)
In situグラヴィメトリック法による(0001)c面サファイアの表面分解過程のその場測定
秋山和博，荒木拓人，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯
2006 年 8 月 29 日, 29p-E-3.
15)
GaN バッファ層成長における Si(111)基板表面の水素被覆率の影響
松尾有里子, 寒川義裕, 富樫理恵, 柿本浩一, 纐纈明伯
2006 年 8 月 29 日, 29a-E-6.
16)
第一原理計算及びX線吸収微細構造解析による GaAs 初期基板上半絶縁性 GaN 成長を目指した Fe ドーピングメカニズムの解明
富樫理恵, 佐藤史隆, 村上尚, 飯原順次, 山口浩司, 熊谷義直, 纐纈明伯
2006 年 8 月 29 日, 29p-E-11.
17)
HVPE法によるAlNの高温・高速エピタキシャル成長
永島徹，原田学，柳裕之, 熊谷義直, 纐纈明伯，高田和哉
2006 年 8 月 29 日, 29p-E-15.
18)
サファイア(0001)基板上へのAlN HVPE成長における原料供給順序の影響
小渕啓誉，原田学，永島徹, 熊谷義直, 纐纈明伯
2006 年 8 月 30 日, 30p-E-1.
4th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors, IWBNS-IV, Okubiwako Makino Prince Hotel, Makino, Shiga, Japan
19)
(Invited) HVPE growth of AlxGa1-xN ternary alloy using AlCl3 and GaCl
A. Koukitu, T. Yamane, F. Satoh, H. Murakami and Y. Kumagai
2006 年 10 月 18 日.
20)
(Invited) Improvement of AlN crystalline quality with high epitaxial growth rate by hydride vapor phase epitaxy
T. Nagashima, M. Harada, A. Hakomori, H. Yanagi, H. Fukuyama, Y. Kumagai, A. Koukitu and K. Takada
2006 年 10 月 18 日.
21)
(Invited) Improvement of crystalline quality for Al- and N-polar AlN layers by modified flow-modulation MOCVD growth
M. Takeuchi, H. Shimizu, R. Kajitani, K. Kawasaki, T. Kinoshita, K. Takada, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu and Y. Aoyagi
2006 年 10 月 20 日.
22)
(Invited) Polarity dependence of AlN {0001} decomposition in flowing H2
Y. Kumagai, K. Akiyama, R. Togashi, H. Murakami, M. Takeuchi, T. Kinoshita, K. Takada,
Y. Aoyagi, A. Kokitu
2006 年 10 月 20 日.
23)
(Invited) RF-MBE growth of 2H-AlN templates by using a mode change MEE on Si(111) for HVPE growth
T. Ohachi, H. Shimomura, N. Yamabe, T. Yamane, Y. Kumagai and A. Koukitu
2006 年 10 月 21 日.
24)
(Invited) Properties of Fe-doped semi-insulating GaN substrates for high-frequency device fabrication
J. A. Freitas, Jr., J. G. Tischler, J-H. Kim, Y. Kumagai and A. Koukitu
2006 年 10 月 21 日.
International Workshop on Nitride Semiconductors 2006, IWN2006, Kyoto International Conference Hall, Kyoto University Katsura Campus, Ritsumeikan University Biwako-Kusatsu Campus
25)
A New System for Growing Thick InN Layers by Hydride Vapor Phase Epitaxy
Jun Kikuchi, Yuuki Nishizawa, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
2006 年 10 月 23日, MoP1-8.
26)
In situ Gravimetric Monitoring of Decomposition Rate on the Surface of (0001) c-plane Sapphire for the High Temperature Growth of AlN
Kazuhiro Akiyama, Takuto Araki, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
2006 年 10 月 24日, TuP1-82.
27)
First-principles calculation and X-ray absorption fine structure analysis of Fe doping mechanism for semi-insulating GaN growth on GaAs substrates
R. Togashi, F. Satoh, H. Murakami, J. Iihara, K.Yamaguchi, Y. Kumagai and A. Kokitu
2006 年 10 月 25日, WeG3-3.
第36回結晶成長国内会議, NCCG-36, 大阪大学コンベンションセンター
28)
GaN(0001)/(0001) 面の表面再構成面の解析
鈴木ひかり, 富樫理恵, 熊谷義直, 纐纈明伯
2006 年 11 月 1日, 01aC08.
29)
Theoretical investigation of Al desorption process from (0001) AlN surface
U. Panyukova, H.Suzuki, R. Togashi, H. Murakami, Y.Kumagai and A. Koukitu
2006 年 11 月 1日, 01aC09.
30)
HVPE法を用いたAlGaN三元混晶エピタキシー
佐藤史隆, 山根貴好，秋山和博，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯
2006 年 11 月 1日, 01aA11.
31)
GaAs初期基板上半絶縁性GaN成長に向けたFeドーピングメカニズムの解明
富樫理恵, 佐藤史隆, 村上尚, 飯原順次, 山口浩司, 熊谷義直, 纐纈明伯
2006 年 11 月 1日, 01aA12.
第54回応用物理学関係連合講演会, 青山学院大学
32)
高温H2雰囲気下における{0001}AlN 分解の面極性依存性
秋山和博, 熊谷義直, 武内道一, 村上尚, 富樫理恵, 木下亨, 高田和哉, 青柳克信, 纐纈明伯
2007 年 3 月 27 日, 27a-ZM-5.
33)
3C-SiC/Siテンプレート上へのAlNのHVPE成長
江里口健一, 山根貴好，村上尚，熊谷義直，小宮山純，纐纈明伯
2007 年 3 月 27 日, 27a-ZM-9.
34)
GaN自立基板上へのAlGaNのHVPE成長
佐藤史隆, 山根貴好，秋山和博，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯
2007 年 3 月 27 日, 27p-ZM-6.