平成17年度
24th Electronic Materials Symposium, EMS-24, Mielparque Matsuyama, Dogo-Himeduka
1)
MOVPE growth of GaN buffer layer directly on Si substrate
A. Koukitu, K. Takemoto, Y. Matsuo, T. Iwamoto, Y. Kangawa and Y. Kumagai
2005 年 7 月 5 日, K3.
2)
Thermodynamic study on hydride vapor phase epitaxy of AlxGa1-xN
H. Murakami, J. Kikuchi, Y. Kumagai and A. Koukitu
2005 年 7 月 5 日, N8.
第35回結晶成長国内会議, NCCG-35, 広島大学東広島キャンパス
3)
AlCl3固体原料を用いたAlN成長
江里口健一, 石井健一，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯，大平重男
2005 年 8 月 17 日, 17pB02.
4)
ハライド気相成長法によるAlxGa1-xN成長の熱力学解析　−キャリアガス中水素分圧の影響−
村上尚, 菊地潤，熊谷義直，纐纈明伯
2005 年 8 月 17 日, 17pB04.
5)
二成分完全固溶体結晶の実効分配係数の成長条件依存
松本喜以子, 入澤寿美，北村雅夫，横山悦郎，熊谷義直，纐纈明伯
2005 年 8 月 17 日, 17pC12.
6th International Conference on Nitride Semiconductors, ICNS-6, Congress Center Bremen, Bremen, Germany
6)
Thermodynamic study on the role of hydrogen during hydride vapor phase epitaxy of
AlxGa1-xN
H. Murakami, J. Kikuchi, Y. Kumagai and A. Koukitu
2005 年 8 月 29 日, Mo-P-133.
7)
Thermodynamics on Hydride Vapor Phase Epitaxy of AlN Using AlCl3 and NH3
Y. Kumagai, K. Takemoto, J. Kikuchi, T. Hasegawa, H. Murakami and A. Koukitu
2005 年 8 月 30 日, Tu-G3-5.
第66回応用物理学会学術講演会, 徳島大学常三島キャンパス
8)
Al原料反応部を伴わない新しいAlN-HVPE成長
江里口健一, 石井健一，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯，大平重男
2005 年 9 月 8 日, 8a-X-14.
9)
DEEP法によるGaN結晶
元木健作, 岡久拓司，松本直樹，笠井仁，中畑成二，上松康二，熊谷義直，纐纈明伯，関壽
2005 年 9 月 10 日, 10a-X-6.
東北大学学際センター研究会, 「窒化物単結晶基板技術の新たな展開」，仙台
10)
(Invited) ハイドライド気相成長法によるGaN, AlN擬似バルク結晶の作製
熊谷義直
2006 年 1 月 13 日.
第53回応用物理学関係連合講演会，武蔵工業大学
11)
Si基板上低温GaNバッファ層成長における水素キャリアガスの影響
村上尚，岩本智行，田島純平，松尾有里子，寒川義裕，熊谷義直，纐纈明伯
2006 年 3 月 22 日, 22a-ZF-9.
12)
GaAsを初期基板に用いたHVPE成長によるFeドープ半絶縁性GaN基板の作製
熊谷義直，竹本菊郎，村上尚，纐纈明伯
2006 年 3 月 25 日, 25p-ZE-6.
13)
AlGaN三元混晶厚膜エピタキシーを目指したHVPE成長
山根貴好，秋山和博，佐藤史隆，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯
2006 年 3 月 25 日, 25p-ZE-17.