平成16年度
12th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy, ICMOVPE-12, Westin Maui Hotel, Lahaina, Maui, HI, U.S.A.
1)
Influence of Laser Power on Crystalline Quality of InGaN with High Indium Content Grown by Pulse Laser Assisted MOVPE
Yoshihiro Kangawa, Ken-nosuke Hida, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu, Norihito Kawaguchi
2004 年 5 月 31 日.
2)
Thermodynamic Analysis of InN and In
xGa
1-xN MOVPE Using Various Nitrogen Sources
Yoshinao Kumagai, Jun Kikuchi, Yuriko Matsuo, Yoshihiro Kangawa, Ken Tanaka, Akinori Koukitu
2004
年
6
月
3
日.
23rd Electronic Materials Symposium, EMS-23, Hotel Sunvalley Fujimi, Izu-Nagaoka
3)
High Fe doping during thick GaN layer growth on sapphire (0001)
H. Murakami, M. Harada, Y. Kangawa, Y. Kumagai and A. Koukitu
2004 年 7 月 9 日, E9.
4)
Thermodynamic Analyses of the MOVPE Growth of Indium Containing Nitrides Using Various Nitrogen Sources
Jun Kikuchi, Yuriko Matsuo, Yoshihiro Kangawa, Yoshinao Kumagai and Akinori Koukitu
2004 年 7 月 9 日, E15.
5)
Hydride Vapor Phase Epitaxy of Thick AlN Layer on Sapphire (0001) Substrate
T. Yamane, H. Shikauchi, H. Murakami, Y. Kangawa, Y. Kumagai and A. Koukitu
2004 年 7 月 9 日, F2.
International Workshop on Nitride Semiconductors, IWN2004, Sheraton Station Square, Pittsburgh, PA, U.S.A.
6)
Growth and Characterization of Thick GaN Layers with High Fe Doping
Yoshinao Kumagai, Hisashi Murakami, Yoshihiro Kangawa and Akinori Koukitu
2004 年 7 月 22 日, B14.2.
7)
Growth of Thick AlN Layer on Sapphire (0001) Substrate Using Hydride Vapor Phase Epitaxy
Takayoshi Yamane, Hisashi Murakami, Yoshihiro Kangawa, Yoshinao Kumagai and Akinori Koukitu
2004 年 7 月 22 日, B15.4
14th International Conference on Crystal Growth, ICCG-14, Alpes Congres, Grenoble, France
8)
GaN growth process using GaP(111)A and (111)B surfaces as an initial substrate
Yuriko Matsuo, Nobuhiko Kawaguchi, Marie Fujino, Yoshihiro Kangawa, Yoshinao Kumagai, Toshiharu Irisawa, Akinori Koukitu
2004 年 8 月 9 日, 0839.
9)
Impact of crystallization manner of buffer layer on the crystalline quality of GaN epitaxial layer on GaAs (111)
Hisashi Murakami, Nobuhiko Kawaguchi, Yoshihiro Kangawa, Yoshinao Kumagai and Akinori Koukitu
2004 年 8 月 10 日, 0827.
第34回結晶成長国内会議, NCCG-34, 東京農工大学小金井キャンパス
10)
表面光吸収法によるGaAs(111)A面からのAs脱離過程のその場観察
岩本智行, 野間かおり，松尾有里子，寒川義裕，熊谷義直，纐纈明伯
2004 年 8 月 25 日, 25aC03.
11)
II-IV-V2族磁性半導体薄膜のMBE成長に向けた理論検討
寒川義裕, 石橋隆幸，熊谷義直，纐纈明伯，佐藤勝昭
2004 年 8 月 26 日, 26aC03.
12)
完全固溶体における実効分配係数の結合エネルギー依存性
松本喜以子, 入澤寿美，北村雅夫，横山悦郎，熊谷義直，纐纈明伯
2004 年 8 月 26 日, 26aC07.
13)
GaN/GaP ヘテロ成長と基板面方位
藤野真理恵, 富樫理恵, 松尾有里子, 寒川義裕, 熊谷義直, 入澤寿美, 纐纈明伯
2004 年 8 月 27 日, 27aB01.
14)
第一原理計算によるIn系窒化物原料の熱力学データ
松尾有里子, 田中健，寒川義裕，熊谷義直，纐纈明伯
2004 年 8 月 27 日, 27aB02.
15)
様々な窒素源を用いたMOVPE法によるInNおよびInGaNの成長の熱力学解析
菊地潤, 松尾有里子，寒川義裕，田中健，熊谷義直，纐纈明伯
2004 年 8 月 27 日, 27aB03.
16)
InGaN光励起MOVPEにおける薄膜物性の光強度依存性
寒川義裕, 河口紀仁，岡田安史，熊谷義直，纐纈明伯
2004 年 8 月 27 日, 27aB06.
第65回応用物理学会学術講演会, 東北学院大学泉キャンパス
17)
様々な窒素源を用いたIn系窒化物MOVPE成長の熱力学解析
菊地潤, 松尾有里子，寒川義裕，田中健，熊谷義直，纐纈明伯
2004 年 9 月 1 日, 1a-T-4.
International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors III, IWBNS-III, Hotel Skalny, Zakopane, Poland
18)
(Invited) Thermodynamic analysis of AlGaN HVPE growth
A. Koukitu, J. Kikuchi and Y. Kumagai
2004 年 9 月 6 日.
19)
(Invited) Growth of thick AlN by hydride vapor phase epitaxy
Yoshinao Kumagai, Takayoshi Yamane and Akinori Koukitu
2004 年 9 月 7 日.
電子情報通信学会技術研究報告〔電子デバイス〕, 京都大学吉田キャンパス
20)
ハイドライド気相成長法によるAl系窒化物の高速成長 −AlNの高速成長は可能か？−
熊谷義直, 纐纈明伯
2004 年 10 月 21 日, ED2004-121.
応用物理学会応用電子物性分科会研究例会, 「窒化アルミニウム −結晶・プロセス・デバイスの最前線−」，機械振興会館，東京
21)
(Invited) HVPEによるAlN成長
纐纈明伯, 熊谷義直
2004 年 10 月 29 日.
第52回応用物理学関係連合講演会, 埼玉大学
22)
サファイアおよびGaAs基板上へのFeドープGaN厚膜成長
熊谷義直, 村上尚，纐纈明伯
2005 年 3 月 30 日, 30a-L-21.
23)
AlGaN三元混晶のHVPE成長は可能か？
竹本菊郎, 山根貴好，菊地潤，熊谷義直，纐纈明伯
2005 年 3 月 30 日, 30a-L-27.
24)
AlNのHVPE成長の熱力学解析
菊地潤, 熊谷義直，纐纈明伯
2005 年 3 月 30 日, 30a-L-28.
25)
MOVPE AlN/sapphireテンプレート上へのAlNのHVPE成長
熊谷義直, 鹿内洋志，永島徹，纐纈明伯，武内道一，木下亨，川崎宏治，青柳克信，高田和哉
2005 年 3 月 30 日, 30p-L-14.
26)
GaNバッファー層を用いたGaN/Si(111)のMOVPE成長
松尾有里子, 寒川義裕，岩本智行，野間かおり，熊谷義直，纐纈明伯
2005 年 3 月 31 日, 31a-L-2.