大学院学位論文一覧


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(M:博士前期課程、 D:博士後期課程)


2014年度
M 櫻澤健光「スパッタエピタキシー法を用いたSiGe埋め込みチャンネル型p-MOSFETの作製技術と基礎特性」
M 藤村宗平「スパッタエピタキシー法を用いたSi系太陽電池形成技術に関する研究」
M 前田裕貴「GSMBE法を用いたSi/SiGe 2重量子井戸p-RTDの作製技術と基礎特性」
M 山下敦史「クロスポイント型p-CuOx/SiOx/SiC/n-Si抵抗変化型不揮発性メモリ」
M 渡辺崚介「スパッタエピタキシー法を用いたSiC膜の形成法と太陽電池への応用」


2013年度
M 佐藤芳彦「p-Ag2O/n-SiC構造のpnダイオード型不揮発性メモリ」
M 玉生 啓「SiGe系スパッタ膜の評価と高移動度トランジスタの試作」
M 山田有季乃「酸化物/4H-SiC型不揮発性メモリの素子化と基礎特性」
M 渡邉嵩也「GSMBE法を用いたSi/SiGe系2重量子井戸n-RTDの特性評価」


2012年度
M 伊賀 宏一郎「Si/SiGe正孔トンネル型2重量子井戸共鳴トンネルダイオード」
M 大塚 英玄「スパッタエピタキシー法を用いたSiGe系n-DCFETの素子化技術」
M 小松 辰実「スパッタ法を用いたSiC MISメモリの素子化技術」
M 染矢 貴洋「スパッタエピタキシー法で作製したSi太陽電池の評価」
M 村中 将紀「MBE法を用いたSiGe系太陽電池の素子化と基礎特性」
M 山口 伸雄「アルミナ/SiC構造を用いた不揮発性メモリ」


2011年度
M 新田 春樹「GSMBE法を用いたSi/SiGe系対称2重量子井戸n-RTDの素子化技術」
M 吉川 満大「スパッタエピタキシー法を用いたSiGe系p/n-DCFETの素子化」


2010年度
D 花房 宏明「スパッタエピタキシー法とSi系低次元高速デバイスへの応用」
M 岩崎 慶士「スパッタSiC膜を用いたMISメモリの素子化と基礎特性」
M 金澤  学「スパッタエピタキシー法を用いたp-RTDの素子化と基礎特性」
M 野村 彬成「浮遊電極を用いた不揮発性メモリの素子化と基礎特性」


2009年度
M 有光 昇一 「MBE法を用いたSi/SiGe p-RTDの素子化技術」
M 大窪 隆文 「MBE法を用いた平面型Si/SiGe n-RTD素子化技術」
M 大橋 弘幸「スパッタエピタキシー法を用いたGe低次元構造アレイ化技術に関する研究」
M 河村 隼也「スパッタエピタキシー法によるSiGe系RTDの試作」
M 功刀 弘太「スパッタエピタキシー法によるSiGe系DCFETの試作」
M 山口 祐一郎「SiC MISメモリの製造プロセスの低温化に関する研究」


2008年度
M 伊藤 優 「光単電子デバイスとシミュレーションによる動作特性」
M 今野 桂太 「スパッタエピタキシー法によるSiGe 2D-FET素子化技術」
M 南部 紗希「SiGe系p-RTDの作製技術と基礎特性」
M 長谷川 宏巳「SiO2/SiOx/SiC/Si ReRAMの素子化技術」


2007年度
M 花房 宏明「スパッタエピタキシー法とSiGe低次元デバイスへの応用」


2006年度
D 前川 裕隆「SiGe系電子トンネル型共鳴トンネルデバイスの素子化技術」
M 小林 忠正 「SiGeスパッタエピタキシー技術とFET系デバイスへの応用」
M 佐野 嘉洋 「SiGe 系2 重量子井戸p-RTD の作製」
M 高橋 陽一「スパッタエピタキシー法を用いたGeドット位置制御技術」
M 三觜 盛生「縦型単電子デバイスの作成技術及びシミュレーションによる動作解析」

2005年度
M 小泉 隼人「量子ドットを用いた単電子デバイスのシミュレーション解析」
M 庄司 正嗣「βーSiC MIS ダイオードメモリ素子」

2004年度
M 北山 大祐「Ge量子効果ドットデバイスに関する研究」
M 窪田 純一「SiGeスパッタエピタキシー技術とデバイスへの応用」

2003年度
M 岩瀬 寛和「単電子トランジスタの設計と作製技術」
M 前川 裕隆「SiGe QWRTDの歪緩和層の作製技術」

2002年度
M 中村 保之「窒素水素混合イオン照射による多孔質シリコンの発光特性制御」
M 目黒 明彦「SiGe系量子井戸トンネルダイオードの要素技術」
M 替地 修也「SiGe系低次元量子構造の作製法に関する研究」

2001年度
M 飯牟礼 享助「単電子4値回路と動特性」
M 細谷 直之「Siの熱分解型ALE法の成長機構と成長制御」
M 田中 秀明「STM金属細線描画システムと描画特性」

2000年度
M 山口 哲「SiGe系量子井戸トンネルダイオードに関する研究」

1999年度
D 山村耕一郎「単電子回路システムに関する研究」(6月短縮修了)
M 伊達 崇「SiGe系量子井戸構造のエレクトロルミネッセンス特性」
M 白鳥 大樹「熱分解水素化分子を用いたSi/Geの原子層エピタキシー」
M 金川 雄志「多孔質シリコンのパッシベーションによる発光制御」
M 遠藤 聡「多孔質β-SiCの発光特性制御と電界発光」

1998年度
M 小山 啓「Si/Ge系量子井戸構造トンネルデバイス」
M 高田 和良「β-SiC MISダイオードのメモリ特性と発光特性」
M 西島 英紀「多孔質β-SiCの発光特性と電子構造」
M 布留川秀暁「半導体材料のSTMトポグラフとトンネル発光」

1997年度
M 三里 康宏「クラック法を用いたW族半導体の原子層エピタキシー」
M 熊谷 文香「多孔質シリコンの発光特性に及ぼす酸素・窒素プラズマ照射の効果」

1996年度
M 小幡 功史「多孔質シリコンの発光特性に及ぼす表面終端の効果」
M 手塚 明「多孔質シリコンの表面構造とSTM発光特性」
M 嶋  教子「Si/Si1-xGex系超格子構造のフォトルミネッセンス特性」
M 山村耕一郎「単電子デバイスに関する基礎動作解析」

1995年度
M 高橋 正愼「バナジウム酸化物の金属-絶縁体相転移機構に関する光電子分光法による研究」
M 橋本 介臣「超高真空型走査型トンネル顕微鏡の試作」
M 山下 三富「Si/Ge半導体の原子スケール制御エピタキシー」

1994年度
M 石田 雅裕「Siのサブ原子層単位成長エピタキシー技術」
M 大和 哲也「走査型トンネル顕微鏡の試作とSi清浄化表面の原子的平坦性の評価」
M 小泉 友弘「多孔質Siのホトルミネッセンス特性に及ぼす酸素終端の効果の解析」

1993年度
M 伴  拓弥「光電子分光法による多孔質シリコンの発光機構に関する研究」

1992年度
M 白濱 正尋「ジシランを用いたSiの原子層エピタキシー」
M 皆川 康幸「SOR光を用いたc-BN およびTiO2の光電子放出特性」